|
Всего работ:2215
1001. Жмерик Валентин Николаевич. Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота : Применение для p-легирования ZnSe и роста GaN
Год: 2001 1002. Зайцев Роман Владимирович. Эффект позиционного беспорядка и примесное поглощение света в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами и точками
Год: 2001 1003. Иванов Павел Анатольевич. Полевые и биполярные приборы на основе карбида кремния
Год: 2001 1004. Калитеевская Наталия Алексеевна. Взаимодействие вакуумного ультрафиолетового излучения с тонкими неорганическими пленками
Год: 2001 1005. Колобаев Виктор Валентинович. Исследование тонкопленочных структур на основе CdTe и их применение в солнечных батареях
Год: 2001 1006. Кудряшов Владимир Евгеньевич. Механизмы излучательной рекомбинации в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами
Год: 2001 1007. Кузнецов Сергей Викторович. Фотоэлектрические свойства аморфного гидрированного кремния, легированного бором
Год: 2001 1008. Львов Павел Евгеньевич. Термодинамика образования дефектов в полупроводниках с учетом кластеризации в жидкой и газовой фазах
Год: 2001 1009. Нагорнов Юрий Сергеевич. Электронно-стимулированные изменения состава поверхности и фотолюминесценции кремниевых и карбидкремниевых наноразмерных структур
Год: 2001 1010. Потапова Дарья Александровна. Кинетические коэффициенты прыжкового переноса и плотность электронных состояний в неупорядоченных системах с сильной локализацией носителей заряда
Год: 2001 1011. Приходько Олег Владимирович. Моделирование и экспериментальное исследование преципитации кислорода в кремнии
Год: 2001 1012. Ромашко Лариса Николаевна. Исследование процессов переноса заряда в p-n переходах, изготовленных на основе CdHgTe (X0.22) и их изменений при механическом и температурном воздействиях
Год: 2001 1013. Субач Сергей Владимирович. Особенности формирования фазовых неоднородностей в гетероэпитаксиальных слоях InP и InGaAs
Год: 2001 1014. Тарасов Сергей Анатольевич. Исследование фотодиодных структур на основе фосфида галлия и твердых растворов A III B V для селективных фотоприемников
Год: 2001 1015. Тимошенко Виктор Юрьевич. Фотоиндуцированные электронные процессы и структурные перестройки в полупроводниковых системах пониженной размерности
Год: 2001 1016. Титков Илья Евгеньевич. Неразрушающая диагностика электронных свойств структур на основе SiC и GaAs/AlGaAs
Год: 2001 1017. Усачев Павел Анатольевич. Влияние подпороговых мод на шум интенсивности излучения полупроводникового лазера
Год: 2001 1018. Фроленкова Лариса Юрьевна. Влияние бомбардировки полупроводников заряженными частицами на их электронное возбуждение диссоциированными газами
Год: 2001 1019. Черемухина Ирина Анатольевна. Анализ областей несмешиваемости квазибинарных твердых растворов III-V и II-VI групп
Год: 2001 1020. Шайблер Генрих Эрнстович. Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения
Год: 2001 1021. Юрченко Алексей Васильевич. Планарная неоднородность фоточувствительности кремниевых фотоэлектрических преобразователей
Год: 2001 1022. Якимов Андрей Иннокентьевич. Электронные явления в массивах квантовых точек германия в кремнии
Год: 2001 1023. Абдэль-Ваххаб Абдэль-Кадер Базбаз Хийярат. Влияние условий роста на структуру и свойства эпитаксиальных слоев (SiC)1-x (AlN) x
Год: 2000 1024. Аветисян, Артак Араевич. Влияние непараболичности закона дисперсии носителей заряда на примесные состояния в низкоразмерных полупроводниковых системах
Год: 2000 1025. Агасян, Мгер Мартиросович. Теоретическое исследование зонной структуры и оптических и кинетических свойств квазиодномерных электронных систем
Год: 2000 1026. Акимов, Илья Андреевич. Свойства горячих электронов в квантовых ямах и сверхрешетках GaAs/Al x Ga1-x As
Год: 2000 1027. Александрович, Елена Викторовна. Стеклообразование и электропроводность в халькогенидных системах
Год: 2000 1028. Алешин, Алексей Николаевич. Фотоэлектрические свойства пленок сульфида свинца с различным потенциальным рельефом зон
Год: 2000 1029. Ардышев Михаил Вячеславович. Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоёв n-GaAs
Год: 2000 1030. Асатрян, Рубен Симонович. Оптоэлектронные методы исследования полей излучения
Год: 2000 1031. Астахов, Георгий Владимирович. Экситон-электронное взаимодействие в модулированно-легированных квантовых ямах на основе полупроводников А2В6
Год: 2000 1032. Барасюк, Ярослав Николаевич. Физические свойства гетеропереходов в системе сульфид-теллурид кадмия
Год: 2000 1033. Бланк, Татьяна Владимировна. Горячий фотоэффект в поверхностно-барьерных структурах на основе арсенида и фосфида галлия
Год: 2000 1034. Бомк, Олег Иосифович. Газовая чувствительность поверхностно-барьерных структур на основе кремния, арсенида галлия и сульфида кадмия с сверхтонкими пленками титана и никеля
Год: 2000 1035. Возний, Максим Валериевич. Влияние дефектной подсистемы на фотоэлектрические свойства кремния
Год: 2000 1036. Воронова, Валерия Васильевна. Радиационно-стимулированные процессы в кристаллах LiBaF3
Год: 2000 1037. Ганжа, Антон Владимирович. Идентификация компонент спектров фотоотражения полупроводников группы А3В5 иполупроводниковых структур на их основе
Год: 2000 1038. Гонтарук, Александр Николаевич. Деградационные и релаксационные процессы в светодиодах GaP, обусловленные ультразвуком и радиацией
Год: 2000 1039. Горбенко, Виталий Иванович. Исследование изменений свойств приповерхностныхслоев фосфида индия под действием атомов водорода тепловых энергий
Год: 2000 1040. Гунда, Борис Михайлович. Люминесцентные свойства моно- и поликристаллов нелегированного и легированного медью тетрабората лития
Год: 2000 1041. Гурский, Александр Леонидович. Излучательная рекомбинация в активных средах полупроводниковых лазеров на основе широкозонных соединений А2В6
Год: 2000 1042. Давлеткильдеев, Надим Анварович. Исследование эффекта спонтанного упорядочения примесных комплексов в арсениде галлия n-типа
Год: 2000 1043. Демарина, Наталия Витальевна. Электронный транспорт в GaAs структурах при радиационном воздействии
Год: 2000 1044. Демич, Николай Васильевич. Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур на базе монокристаллического теллурида кадмия
Год: 2000 1045. Джумалиев, Александр Сергеевич. Исследование особенностей получения и свойств пленок оксида цинка и железа
Год: 2000 1046. Диденко Сергей Иванович. Моделирование физических явлений в инноимплантированных приборных структурах на основе соединений A III B U
Год: 2000 1047. Диденко, Ирина Сергеевна. Особенности распространения поверхностных и оттекающих акустических волн в монокристаллах и слоистых средах
Год: 2000 1048. Думеш, Борис Самуилович. Коррелированные ядерные спиновые системы в антиферромагнетиках
Год: 2000 1049. Дьяков, Сергей Николаевич. Исследование влияния добавок Pb, Sn, Tl, Bi на электрофизические свойства систем Ge-Se и Ga-Te
Год: 2000 1050. Ежлов, Вадим Сергеевич. Физические свойства и структурные особенности легированных германием монокристаллов кремния, выращенных в условиях жидкостной подпитки
Год: 2000 |
