|
Всего работ:2208
451. Чугров, Иван Александрович. Формирование и оптоэлектронные свойства периодических структур с массивами нанокристаллов кремния в диэлектрике
Год: 2012 452. Шамирзаев, Тимур Сезгирович. Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной
Год: 2012 453. Шашкин, Илья Сергеевич. Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации
Год: 2012 454. Бакшаев, Илья Олегович. Интегрально-оптическая абсорбционная спектроскопия полупроводниковых наногетероструктур
Год: 2011 455. Блошкин, Алексей Александрович. Электронная структура напряженных гетероструктур Ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge
Год: 2011 456. Булатов, Альберт Рунарович. Высокочастотные акустические и магнитные исследования бората железа и слаболегированных лантан-стронциевых манганитов состава La1-xSrxMnO3 (0.12 < x < 0.175)
Год: 2011 457. Быков, Алексей Александрович. Магнетотранспортные явления в гетероструктурах GaAs/AIAs при больших факторах заполнения
Год: 2011 458. Галеева, Александра Викторовна. Исследование проводимости полупроводниковых структур методом импедансной спектроскопии
Год: 2011 459. Глотов, Антон Валерьевич. Структурные и оптические исследования легированных эпитаксиальных гетероструктур на основе A3B5
Год: 2011 460. Гриняев, Сергей Николаевич. Электронные состояния в квантово-размерных и дефектных полупроводниковых структурах
Год: 2011 461. Данилевич, Надежда Дмитриевна. Взаимозависимость оптических свойств, кристаллической структуры и состава кристаллов CdS(O) : с привлечением теории непересекающихся зон
Год: 2011 462. Дудин, Александр Александрович. Исследование структуры частиц веществ наноразмерной дисперсности
Год: 2011 463. Еганова, Елена Михайловна. Влияние сильного электрического поля на электронные процессы в пленках g-As2Se3
Год: 2011 464. Егоров, Антон Юрьевич. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники
Год: 2011 465. Емельянов, Виктор Михайлович. Математическое моделирование и исследование характеристик многопереходных A3B5 фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения
Год: 2011 466. Жевнеров, Евгений Владимирович. Исследование микродефектов в монокристаллах арсенида галлия, легированного кремнием
Год: 2011 467. Иман Абдель-Монем Эль-Сайед Махди. Получение и исследование электрофизических свойств объемных и пленочных материалов в тройной системе Co-Ge-Te
Год: 2011 468. Калюжный, Николай Александрович. Многопереходные солнечные элементы, содержащие субэлемент на основе германия
Год: 2011 469. Кашерининов, Петр Георгиевич. Оптические регистрирующие среды на основе полупроводниковых M(TI)S-структур с туннельно-тонким диэлектриком (TI)
Год: 2011 470. Кириенко, Виктор Владимирович. Эффект поля, зарядовые состояния и ИК фотопроводимость в гетероструктурах на основе Si с квантовыми точками Ge
Год: 2011 471. Ковш, Алексей Русланович. Динамические, шумовые и спектральные характеристики лазеров на квантовых точках
Год: 2011 472. Козлов, Дмитрий Андреевич. Электронный транспорт в наноструктурах с резкими потенциальными границами на основе гетероперехода AlGaAs/GaAs
Год: 2011 473. Комиссаров, Андрей Леонидович. Исследование электрофизических свойств фоторезисторов на основе PbS
Год: 2011 474. Комиссарова, Татьяна Александровна. Электрофизические свойства нитрида индия и твердых растворов на его основе
Год: 2011 475. Кучерова, Ольга Владимировна. Спектроскопия адмиттанса полупроводниковых гетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN
Год: 2011 476. Левчук, Сергей Александрович. Свойства осаждённых из лазерной плазмы разбавленных магнитных полупроводников на основе GaSb, Si и Ge, легированных Mn или Fe
Год: 2011 477. Мамутин, Владимир Васильевич. Разработка физических основ молекулярно-пучковой эпитаксии для создания полупроводниковых наноструктур и ВТСП соединений
Год: 2011 478. Махиборода, Максим Александрович. Исследование тепловых процессов при автоэлектронной эмиссии из кремниевого острийного катода
Год: 2011 479. Мизеров, Андрей Михайлович. Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота слоев и гетероструктур в системе (Al,Ga)N с высоким содержанием Al для ультрафиолетовой оптоэлектроники
Год: 2011 480. Надточий, Алексей Михайлович. Динамические характеристики новых типов поверхностно-излучающих лазеров с вертикальным микрорезонатором
Год: 2011 481. Никитина, Лариса Николаевна. Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n
Год: 2011 482. Номери Мохамед Абасс Хадия. Получение и исследование оптических свойств нитевидных полупроводниковых оксидов SnO2 и In2O3
Год: 2011 483. Павлюченко, Алексей Сергеевич. Исследование процессов генерации и вывода света в светодиодах на основе гетероструктур AllnGaN
Год: 2011 484. Паюсов, Алексей Сергеевич. Инжекционные полупроводниковые лазеры со спектрально-селективными потерями и спектрально-зависимым фактором оптического ограничения
Год: 2011 485. Подольская, Наталья Игоревна. Исследование термодинамических свойств многокомпонентных соединений AIIIBV методом поля валентных сил
Год: 2011 486. Пономарев, Иван Викторович. Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия
Год: 2011 487. Пчелинцева, Екатерина Сергеевна. Моделирование и исследование бетавольтаического эффекта на кремниевых PIN структурах
Год: 2011 488. Речкунов, Сергей Николаевич. Захват свободных носителей заряда на глубокие уровни в слоях объёмного заряда арсенида галлия
Год: 2011 489. Рыбин, Николай Борисович. Исследование полупроводниковых наногетероструктур методами токовой релаксационной спектроскопии, атомно-силовой микроскопии и спектроскопии НЧ-шумов
Год: 2011 490. Рябцев, Станислав Викторович. Электрофизические и оптические свойства различных наноформ оксида олова
Год: 2011 491. Саблин, Виктор Александрович. Разработка физических основ исследования моноатомного слоя поверхности полупроводников ионами низких и гипертермальных энергий
Год: 2011 492. Сачков, Виктор Анатольевич. Исследование динамики решетки низкоразмерных реальных структур на основе GaAs/ALAs методом численного эксперимента
Год: 2011 493. Серебренникова, Ольга Юрьевна. Создание и исследование оптоэлектронных приборов в средней инфракрасной области спектра на основе узкозонных гетероструктур A3B5
Год: 2011 494. Сидоров, Георгий Юрьевич. Исследование процессов образования, активации и аннигиляции электрически активных точечных дефектов в CdxHg1-xTe
Год: 2011 495. Сошников, Александр Игоревич. Методы измерения электрических свойств наноструктур с помощью полупроводникового алмазного зонда
Год: 2011 496. Тимошнев, Сергей Николаевич. Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя
Год: 2011 497. Усикова, Анна Александровна. Формирование и оптические свойства наноструктур на основе IN-содержащих полупроводниковых соединений А3-В5 с выводящими излучение брэгговскими элементами
Год: 2011 498. Феклистов, Константин Викторович. Преципитация бора в кремнии при имплантации и отжиге : расслоение на стадии Оствальдовского созревания
Год: 2011 499. Цюк, Александр Игоревич. Исследование пленок нитрида галлия, выращенных методом хлоридгидридной газофазной эпитаксии
Год: 2011 500. Чэнь Сяосин. Локализованные состояния и флуктуации в графене
Год: 2011 |
