|
Всего работ:1882
1801. Стрельчук, Анатолий Маркович. Механизмы тока и процессы рекомбинации носителей заряда в SiC p-n-структурах
Год: 1992 1802. Султанов, Ахмаджон Мажидович. Разработка технологии создания и исследование фотонно-инжекционных коммутаторов на основе гетероструктур GaAs-AlGaAs
Год: 1992 1803. Сычев, Сергей Альбертович. Нелинейное поглощение излучения ближнего ИК-диапазона радиационно окрашенными кристаллами со структурой флюорита, активированными неодимом
Год: 1992 1804. Ткач, Юрий Яковлевич. Кулоновские корреляции и концентрационно-неравновесные явления в полупроводниках
Год: 1992 1805. Тошходжаев, Хаким Азимович. Полупроводниковые сэндвич структуры на основе халькогенидов цинка (процессы роста и токопереноса)
Год: 1992 1806. Фетисов, Юрий Константинович. Магнитостатические волны в планарных магнитных структурах с нестационарными и неоднородными параметрами
Год: 1992 1807. Фуксман, Михаил Викторович. Особенности жидкофазного выращивания лазерных InGaAsP/GaAs РО ДГС ( =0.8 мкм) структур ориентации (100) и лазеры на их основе
Год: 1992 1808. Хасан Сулеман. Условия конденсации и механизмы электропереноса в аморфных полупроводниках
Год: 1992 1809. Хохлов, Дмитрий Ремович. Примесные метастабильные состояния в теллуридах свинца и олова, легированных элементами III группы
Год: 1992 1810. Цацульников, Андрей Федорович. Строение и свойства глубоких акцепторных центров, создаваемых элементами подгруппы меди в GaAs
Год: 1992 1811. Чу Чор. Диффузия и механизмы растворимости примесей (цинка, индия) в твердых растворах теллурида свинца-теллурида олова
Год: 1992 1812. Шофман, Вадим Григорьевич. Исследование метастабильных состояний в эпитаксиальном n-GaAs по краевой люминесценции
Год: 1992 1813. Эм, Александр Семенович. Особенности динамики нагрева и моделирования процесса наносекундного импульсного лазерного облучения полупроводников в режимах развитого плавления
Год: 1992 1814. Юзбашев, Эльтадж Рамзи оглы. Псевдопараболическая модель и ее применение к объяснению гальвано- и термомагнитных свойств твердых растворов BI1-xSBx (X
Год: 1992 1815. Юнис, Мурад Бадрахан. Влияние связанных экситонов на фотоэлектрические свойства фосфида галлия, легированного азотом
Год: 1992 1816. Якунова, Ада Юрьевна. Механизм потерь в магнитомягких ферритах в зависимости от их состава и технологии изготовления
Год: 1992 1817. Абдуллаев, Хаким Олимжанович. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP-InGaAs со встроенным потенциальным барьером
Год: 1991 1818. Андаспаева, Айкуль Абжапаровна. Исследование электролюминесценции гетеропереходов InGaAsSb/AlGaAsSb
Год: 1991 1819. Белоусов, Игорь Иванович. Перенос заряда в МДП-структурах с двуокисью кремния, полученной при низких (100-400°С) температурах
Год: 1991 1820. Витусевич, Светлана Александровна. Исследование контактной эхоклюзии электронно-дырочной плазмы в полупроводниках конечных размеров
Год: 1991 1821. Гулаков, Аркадий Борисович. Исследование особенностей ватт-амперных и теплофизических характеристик квантоворазмерных лазерных диодов с =0,8 МКМ и разработка диодной системы накачки АИГ: Nd3+ на основе ИнГаАсП/ГаАс ГЕТЕРОСТРУКТУР
Год: 1991 1822. Джумаев, Бердишукур Режепович. Исследование электронных и ионных процессов, приводящих к изменению фотоэлектрических и оптических свойств полупроводников A2 B6 под действием лазерного излучения
Год: 1991 1823. Дзамашвили, Александр Акакиевич. Исследование процессов роста при молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур с напряженными слоями
Год: 1991 1824. Дикарев, Алексей Вадимович. Рассеяние волн нерегулярными границами раздела фаз в поликристаллах и композитах
Год: 1991 1825. Кабулов, Ибрагим Акрем оглы. Сопряженное действие радиации и внешних факторов на деградацию фотоэнергетических параметров фотопреобразователей
Год: 1991 1826. Клингер, Павел Михайлович. Взаимодействие электрически неактивных примесей с собственными дефектами в кремнии
Год: 1991 1827. Кондратьев, Борис Сергеевич. Динамика флуктуаций тока микроплазм в P-N-переходах на кремнии и карбиде кремния
Год: 1991 1828. Корнев Константин Петрович. Фотоэмиссионные исследования электронной структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников
Год: 1991 1829. Коротаев, Александр Григорьевич. Исследование радиационных дефектов в кристаллах Hg1+xCdxTe ядернофизическими методами
Год: 1991 1830. Ланская, Татьяна Георгиевна. Фотоспилловер водорода в пленках оксидов переходных металлов
Год: 1991 1831. Лякас, Михаил Аронович. Исследование и разработка быстродействующих туннельных переходов в Ge и GaAs
Год: 1991 1832. Макаров, Олег Артемович. Оптические свойства полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик в области вакуумного ультрафиолета
Год: 1991 1833. Мынбаев, Карим Джафарович. Диффузионное и ионно-лучевое легирование CdxHg1-xTe
Год: 1991 1834. Николаева, Елена Петровна. Динамические преобразования доменных границ в импульсных магнитных полях
Год: 1991 1835. Нугманов, Дамир Лукманджанович. Нелегированные эпитаксиальные слои арсенида галлия и высоковольтные р-п-р-п структуры на их основе
Год: 1991 1836. Перепелицын, Юрий Николаевич. Светоуправляемые приборы на основе полупроводниковых структур
Год: 1991 1837. Перепелкин, Анатолий Дмитриевич. Исследование электрофизических явлений на поверхности и вв приповерхностных слоях узкощелевых и бесщеелевых полупроводников методом эффекта поля в электролитах
Год: 1991 1838. Рафаилов, Эдик Урихаевич. Исследование оптических характеристик InGaAsP/InP (лямбда=1,3 мкм) и InGaAsP/GaAs (лямбда=10,8 мкм) мощных лазеров раздельного ограничения с широким полосковым контактом
Год: 1991 1839. Сидоров, Павел Петрович. Особенности свойств чистых и активированных редкоземельными элементами полупроводниковых пленок, выращенных фотостимулированной эпитаксией
Год: 1991 1840. Фоминых, Сергей Васильевич. Исследование локальных уровней сильнолокализованных точечных дефектов в кристаллических полупроводниках
Год: 1991 1841. Харионовский, Александр Валентинович. Исследование фотоакустического эффекта в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
Год: 1991 1842. Андреев, Владимир Михайлович. Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в структурах и проблема дрейфа лития в кремнии и германии
Год: 1990 1843. Анисимкин, Владимир Иванович. Поверхностные и приповерхностные акустические волны в планарных структурах
Год: 1990 1844. Васильев, Валерий Анатольевич. Длинноволновая фурье-спектроскопия эпитаксиальных слоев твердых растворов InAs1-x-y Sb x P y и Cex Si1-x
Год: 1990 1845. Гавриленко, Владимир Иванович. Оптические характеристики разупорядоченных полупроводников, полупроводниковых границ раздела и пленок
Год: 1990 1846. Камаев, Андрей Юрьевич. Динамика ограниченной двумерной электронной системы GaAs-AlGaAs в сильном магнитном поле
Год: 1990 1847. Куликов, Александр Юрьевич. Получение однородных структур большой площади из арсенида галлия в хлоридной газотранспортной системе
Год: 1990 1848. Куликова, Наталия Александровна. Кристаллы аналогов фосфолипидов. Синтез и исследование свойств
Год: 1990 1849. Мирзабабаев, Рауф Мамедали оглы. Динамические явления в мессбауэровской спектроскопии систем различной размерности и проводимости
Год: 1990 1850. Мотеюнас, Стасис Владович. Ядерный гамма-резонанс олова-119 в полупроводниках А IV B VI и в их твердых растворах
Год: 1990 |
