|
Всего работ:1888
1001. Макарян, Анушаван Айкарамович. Исследование явления неустойчивости в мультистабильных неоднородных полупроводниках
Год: 2000 1002. Мансуров, Владимир Геннадьевич. Резонансное и брэгговское рассеяние быстрых электронов от совершенных поверхностей InAs и GaAs в дифракции на отражение
Год: 2000 1003. Мануковский, Эдуард Юрьевич. Электронная структура, состав и фотолюминесценция пористого кремния
Год: 2000 1004. Медведев, Александр Вячеславович. Видимая и ближняя инфракрасная фотолюминесценция тонких пленок гидрогенизированного кремния
Год: 2000 1005. Мельничук, Александр Владимирович. Поверхностные плазмон-фононные возбуждения в одновесных полупроводниках ZnO i 6H-SiC и структура на их основе
Год: 2000 1006. Митровций, Виктор Васильевич. Динамика решетки и структурные фазовые переходы в гипо (селено)-дифосфатах с слоистой кристаллической структурой
Год: 2000 1007. Моливер Сергей Соломонович. Электронная структура и спектроскопия полупроводниковых и кластерных систем углерода и кремния
Год: 2000 1008. Мусаев, Ахмед Магомедович. Неравновесные распределения и дальнее инфракрасное излучение горячих носителей заряда в одноосно деформированном германии и в электронно-дырочной плазме кремния
Год: 2000 1009. Мусихин, Юрий Геннадьевич. Электронная микроскопия полупроводниковых структур с наноразмерными включениями
Год: 2000 1010. Неустроев, Ефим Петрович. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С.
Год: 2000 1011. Новиков, Павел Леонидович. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности
Год: 2000 1012. Новиков, Юрий Николаевич. Электронная структура дефектов в оксиде и нитриде кремния
Год: 2000 1013. Ормонт, Михаил Александрович. Энергетический спектр и вертикальная прыжковая проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком
Год: 2000 1014. Осипов, Павел Анатольевич. Влияние гетеровалентного легирования на электрофизические свойства Sn0,63 Pb0,32 Ge0,05 Te и самокомпенсацию примесей в PbSe
Год: 2000 1015. Павликов, Александр Владимирович. Динамика рекомбинации неравновесных носителей заряда в наноструктурах пористого кремния
Год: 2000 1016. Пархоменко, Юрий Николаевич. Атомная и электронная структура поверхности и фазообразование в многослойных композициях на основе кремния
Год: 2000 1017. Петух, Алла Николаевна. Закономерности распределения междоузельного кислорода в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
Год: 2000 1018. Пихтин, Никита Александрович. Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода : = 1.3-1.55 мкм
Год: 2000 1019. Плюсинин, Николай Иннокентьевич. Фазы, стбализированные подложкой, и процессы формирования границы раздела в гетероструктурах на основе переходного 3d-металла (Cr,Co) и кремния
Год: 2000 1020. Пузиков, Вячеслав Михайлович. Условия образования, структура и свойства алмазоподобных пленок углерода, осажденных из ионных пучков
Год: 2000 1021. Решанов, Сергей Александрович. Получение и исследование полуизолирующего монокристаллического карбида кремния
Год: 2000 1022. Розов, Александр Евгеньевич. Исследование магнитотранспорта на гетерогранице II типа в системе GaInAsSb/InAs(GaSb)
Год: 2000 1023. Рущанский, Константин Золтанович. Спектры элементарных возбуждений решетки кристалловгруппы In-Se, In-Te
Год: 2000 1024. Салапак, Владимир Михайлович. Активаторные центры окраски в кристаллахSrCl2:TlCl
Год: 2000 1025. Самойлов, Виктор Александрович. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs
Год: 2000 1026. Самсонова, Ирина Викторовна. Жидкокристаллические композиты с индуцированной холестерической спиралью, стабилизированной сетчатым полимером
Год: 2000 1027. Сахаров, Алексей Валентинович. Оптические свойства слоев и гетероструктур на основе нитридов III группы
Год: 2000 1028. Саъдуллаев, Алавиддин Бобакулович. Влияние концентрации электроактивных атомов марганца на гальваномагнитные и фотоэлектрические свойства кремния в условиях компенсации
Год: 2000 1029. Слынько, Евгений Илларионович. Технология получения и физические свойства многокомпонентных твёрдых растворов на основе теллурида свинца
Год: 2000 1030. Смирнов, Валерий Михайлович. Многокомпонентные твердые растворы на основе GaSb и InAs, полученные из растворов-расплавов, обогащенных сурьмой
Год: 2000 1031. Спирин, Евгений Анатольевич. Кинетико-релаксационные процессы зарядового перераспределения в структурах на основе кристаллов силленитов
Год: 2000 1032. Стародубцев, Артем Николаевич. Нелинейные эффекты при распаде полупроводниковых твердых растворов в эпитаксиальных пленках
Год: 2000 1033. Сун Вейгуо. Инфракрасные детекторы на основе HgMnTe: физические и технологические проблемы
Год: 2000 1034. Сягло, Андрей Иванович. Квазиклассическая модель равновесных электронных процессов в легированных полупроводниках
Год: 2000 1035. Таскин, Алексей Анатольевич. Комплексообразование в кремнии, легированном селеном
Год: 2000 1036. Татохин, Евгений Анатольевич. Модифицированные поверхности арсенида индия, обработанной в парах халькогена
Год: 2000 1037. Тимофеев, Максим Владимирович. Емкостные и транспортные свойства квазидвумерных электронных слоев в субмикронных полевых транзисторах современной микроэлектроники
Год: 2000 1038. Токранов, Вадим Ефимович. Молекулярно-лучевая эпитаксия низкоразмерных лазерных InGaAs/AlGaAs гетероструктур
Год: 2000 1039. Трефилова, Лариса Николаевна. Роль примесных ионов СО3 в степени 2- в процессах создания центров свечения и центров окраски в кристаллах йодида цезия
Год: 2000 1040. Умрихин, Владимир Васильевич. Влияние параметров центров захвата на фотоэлектрические свойства кристаллов типа силленита
Год: 2000 1041. Ушаков, Дмитрий Владимирович. Электронные и оптические процессы в легированных сверхрешетках на основе GaAs
Год: 2000 1042. Федив, Владимир Иванович. Магнитооптические эффекты в полумагнитных полупроводниках на основе теллурида ртути
Год: 2000 1043. Филимонов, Сергей Николаевич. Компьютерное моделирование эволюцииповерхности и захвата примеси при кристаллизации из молекулярного пучка
Год: 2000 1044. Фирсов, Дмитрий Анатольевич. Оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах, связанные с неравновесными свободными носителями заряда
Год: 2000 1045. Чабан, Юрий Ярославович. Физические свойства кристаллов селенида цинка, легированных элементами I и V групп
Год: 2000 1046. Чеканов, Валерий Александрович. Электрические и рекомбинационные свойства нейтронно-легированных твердых растворов Si1-x Ge x со стороны кремния
Год: 2000 1047. Челядинский, Алексей Романович. Радиационные дефекты межузельного типа и их влияние на электрическую активацию и диффузию имплантированных примесей в кремний
Год: 2000 1048. Черноуцан, Кирилл Алексеевич. Оптические свойства наноструктур полупроводник-диэлектрик
Год: 2000 1049. Черный, Зиновий Павлович. Ионные процессы в радиационно загрязненных кристаллах галогенидов двувалентных металлов
Год: 2000 1050. Шовак, Иван Иванович. Электрофизические и оптические свойства градиентных структур на основе стеклоподобного AsS
Год: 2000 |
