|
Всего работ:1882
951. Ардышев Михаил Вячеславович. Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоёв n-GaAs
Год: 2000 952. Асатрян, Рубен Симонович. Оптоэлектронные методы исследования полей излучения
Год: 2000 953. Астахов, Георгий Владимирович. Экситон-электронное взаимодействие в модулированно-легированных квантовых ямах на основе полупроводников А2В6
Год: 2000 954. Барасюк, Ярослав Николаевич. Физические свойства гетеропереходов в системе сульфид-теллурид кадмия
Год: 2000 955. Бланк, Татьяна Владимировна. Горячий фотоэффект в поверхностно-барьерных структурах на основе арсенида и фосфида галлия
Год: 2000 956. Бомк, Олег Иосифович. Газовая чувствительность поверхностно-барьерных структур на основе кремния, арсенида галлия и сульфида кадмия с сверхтонкими пленками титана и никеля
Год: 2000 957. Возний, Максим Валериевич. Влияние дефектной подсистемы на фотоэлектрические свойства кремния
Год: 2000 958. Воронова, Валерия Васильевна. Радиационно-стимулированные процессы в кристаллах LiBaF3
Год: 2000 959. Ганжа, Антон Владимирович. Идентификация компонент спектров фотоотражения полупроводников группы А3В5 иполупроводниковых структур на их основе
Год: 2000 960. Гонтарук, Александр Николаевич. Деградационные и релаксационные процессы в светодиодах GaP, обусловленные ультразвуком и радиацией
Год: 2000 961. Горбенко, Виталий Иванович. Исследование изменений свойств приповерхностныхслоев фосфида индия под действием атомов водорода тепловых энергий
Год: 2000 962. Гунда, Борис Михайлович. Люминесцентные свойства моно- и поликристаллов нелегированного и легированного медью тетрабората лития
Год: 2000 963. Гурский, Александр Леонидович. Излучательная рекомбинация в активных средах полупроводниковых лазеров на основе широкозонных соединений А2В6
Год: 2000 964. Давлеткильдеев, Надим Анварович. Исследование эффекта спонтанного упорядочения примесных комплексов в арсениде галлия n-типа
Год: 2000 965. Демарина, Наталия Витальевна. Электронный транспорт в GaAs структурах при радиационном воздействии
Год: 2000 966. Демич, Николай Васильевич. Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур на базе монокристаллического теллурида кадмия
Год: 2000 967. Джумалиев, Александр Сергеевич. Исследование особенностей получения и свойств пленок оксида цинка и железа
Год: 2000 968. Диденко Сергей Иванович. Моделирование физических явлений в инноимплантированных приборных структурах на основе соединений A III B U
Год: 2000 969. Диденко, Ирина Сергеевна. Особенности распространения поверхностных и оттекающих акустических волн в монокристаллах и слоистых средах
Год: 2000 970. Думеш, Борис Самуилович. Коррелированные ядерные спиновые системы в антиферромагнетиках
Год: 2000 971. Дьяков, Сергей Николаевич. Исследование влияния добавок Pb, Sn, Tl, Bi на электрофизические свойства систем Ge-Se и Ga-Te
Год: 2000 972. Ежлов, Вадим Сергеевич. Физические свойства и структурные особенности легированных германием монокристаллов кремния, выращенных в условиях жидкостной подпитки
Год: 2000 973. Еремян, Аршам Серобович. Нелинейные оптические явления и эффекты фазовой памяти в полупроводниковых системах с пониженной размерностью
Год: 2000 974. Жачкин, Владимир Арефьевич. Электронный парамагнитный резонанс ионов группы железа и дефектов в оксидных и фторидных стеклах
Год: 2000 975. Заварцев, Юрий Дмитриевич. Физико-химические процессы в расплаве на границах раздела фаз при направленной кристаллизации оксидных соединений
Год: 2000 976. Иванов, Сергей Викторович. Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктурыпа основе широкозонных соединений А2 В6(основы технологии получения методоммолекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств)
Год: 2000 977. Ильин, Николай Петрович. Локализованные примесные центры с частично заполненными d- и f- оболочками в бинарных полупроводниках
Год: 2000 978. Ищук, Лариса Вадимовна. Экстремальные токи в полупроводниковых структурах
Год: 2000 979. Каманин, Александр Вадимович. Исследование диффузии цинка из полимерных диффузантов в полупроводники A3 B5 : На примере InP
Год: 2000 980. Каменев, Борис Владимирович. Оптоэлектронные свойства светоизлучающих кремниевых структур
Год: 2000 981. Карасев, Платон Александрович. Особенности рассеяния быстрых электронов на тепловых колебаниях при прохождении через тонкие кристаллы
Год: 2000 982. Карачевцева, Мария Виссарионовна. Спектры краевой фотолюминисценции эпитаксиальных слоев GaSa, InGaAsP в условиях флуктуаций легирования и состава
Год: 2000 983. Карулина Елена Анатольевна. Инфразвуковая диэл. спектроскопия неполярных и полярных фторсодержащих полимерных пленок.
Год: 2000 984. Карулина, Елена Анатольевна. Инфразвуковая диэлектрическая спектроскопия неполярных и полярных фторсодержащих полимерных пленок
Год: 2000 985. Комарницкая, Елена Александровна. Особенности дефектообразования в ионноимплантированных слоях арсенида галлия
Год: 2000 986. Котов, Леонид Нафанаилович. Высокочастотные и магнитоакустические взаимодействия в магнитомягких ферритах с различными формой, размерами и микроструктурой
Год: 2000 987. Кочура, Алексей Вячеславович. Оптические и фотоэлектрические свойства твердых растворов арсенид кадмия - арсенид цинка в ИК-области спектра
Год: 2000 988. Кривуца, Зоя Федоровна. Проблема создания металл-керамических соединений с использованием вакуум-плазменных технологий
Год: 2000 989. Кудряшов, Игорь Вениаминович. Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs
Год: 2000 990. Кустов, Дмитрий Евгеньевич. Энергетическая структура многоэлектронных атомов
Год: 2000 991. Лабутин, Александр Валериевич. Исследование физических процессов при электретировании диэлектрических пленок в плазме газового разряда и разработка электретных датчиков
Год: 2000 992. Лешко, Андрей Юрьевич. Разработка, исследование свойств и оптимизация характеристик мощных InGaAsP/InP лазеров
Год: 2000 993. Лившиц Даниил Александрович. Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе: =0,78 - 1,3 мкм
Год: 2000 994. Лобода, Вера Владимировна. Влияние ионного обмена на фазовые равновесия в стеклах
Год: 2000 995. Макарян, Анушаван Айкарамович. Исследование явления неустойчивости в мультистабильных неоднородных полупроводниках
Год: 2000 996. Мансуров, Владимир Геннадьевич. Резонансное и брэгговское рассеяние быстрых электронов от совершенных поверхностей InAs и GaAs в дифракции на отражение
Год: 2000 997. Мануковский, Эдуард Юрьевич. Электронная структура, состав и фотолюминесценция пористого кремния
Год: 2000 998. Медведев, Александр Вячеславович. Видимая и ближняя инфракрасная фотолюминесценция тонких пленок гидрогенизированного кремния
Год: 2000 999. Мельничук, Александр Владимирович. Поверхностные плазмон-фононные возбуждения в одновесных полупроводниках ZnO i 6H-SiC и структура на их основе
Год: 2000 1000. Митровций, Виктор Васильевич. Динамика решетки и структурные фазовые переходы в гипо (селено)-дифосфатах с слоистой кристаллической структурой
Год: 2000 |
