|
Всего работ:520
401. Ткачук Андрій Іванович. Рідинна епітаксія твердих розчинів сполук A4B6 для діодів Шотткі
Год: 2002 402. Благина Лариса Васильевна. Кристаллизация твердых растворов InSbBi, AllnSbBi и AlGaInSbBi с заданным энергетическим спектром в поле температурного градиента
Год: 2001 403. Воробьев, Владимир Александрович. Материаловедческие аспекты разработки материалов для диэлектрических слоев ГИС на металлодиэлектрических подложках
Год: 2001 404. Горбулин Григорий Львович. Фотопроводимость и плотность состояний в a-Si: H и сплавах на его основе
Год: 2001 405. Дворников Сергей Александрович. Синтез и исследование стекловидных диэлектрических материалов и пленок на их основе, полученных золь-гель методом
Год: 2001 406. Емельченко Александр Геннадьевич. Выращивание и некоторые свойства кристаллов розового фосфорсодежащего кварца
Год: 2001 407. Ермолаева Наталия Вячеславовна. Выращивание многокомпонентных твердых растворов соединений А3 В5 в области термодинамической неустойчивости методом зонной перекристаллизации градиентом температуры
Год: 2001 408. Зотова Милена Олеговна. Исследование влияния неточности изготовления на дополнительные аберрации магнитных быстродействующих отклоняющих систем и квадрупольных линз
Год: 2001 409. Калугин Виктор Владимирович. Исследование и разработка процессов подготовки поверхности кремниевых пластин при изготовлении структур кремний на изоляторе
Год: 2001 410. Лысенко Любовь Николаевна. Использование нейтральных примесей, компенсированных основой, для производства монокристаллов кремния
Год: 2001 411. Науменко Наталья Васильевна. Разработка и исследование гетероструктур InP/InGaAsP для систем волоконно-оптических линий связи и промышленной технологии их производства
Год: 2001 412. Образцов Андрей Александрович. Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных гетероструктур арсенида галлия-алюминия для преобразователя-генератора импульсов света
Год: 2001 413. Пинчук Игорь Владимирович. Разработка полупроводниковых материалов для приборов ночного наблюдения и промышленной технологии их производства
Год: 2001 414. Прусаков Евгений Викторович. Моделирование процесса пленкообразования на стадиях предварительной разработки оборудования электронной техники
Год: 2001 415. Студеникин Павел Алексеевич. Выращивание и исследование сложных галлиевых гранатов ИСГГ: Cr: Nd, ГСГГ: Cr:Nd и ИСГГ: Cr: Ho: Yb для твердотельных лазеров
Год: 2001 416. Сысоев Андрей Александрович. Процессы обработки затравок для выращивания совершенных объемных монокристаллов полупроводникового карбида кремния методом ЛЭТИ
Год: 2001 417. Талимов Алексей Владимирович. Исследование процессов формирования и защиты поверхности планарных p-n переходов и модернизация базовой технологии изготовления фотодиодов на основе InSb
Год: 2001 418. Труфманов Алексей Петрович. Структурная динамика многокомпонентных твердых растворов соединений A3 B5 и A4 B6 , формируемых в поле температурного градиента
Год: 2001 419. Черномордик Владимир Дмитриевич. Солнечные элементы на основе аморфного гидрогенизированного кремния, полученные в низкочастотном тлеющем разряде
Год: 2001 420. Чмырова Ольга Леонидовна. Получение и исследование свойств наногетерогенных структур на основе системы вольфрам-углерод
Год: 2001 421. Шарин Андрей Геннадьевич. Получение и исследование керамических структур для приборов метрологии
Год: 2001 422. Яковлев Сергей Петрович. Обоснование и разработка прецизионного способа двухстороннего шлифования свободным абразивом пластин кремния большого диаметра
Год: 2001 423. Алфимова Диана Леонидовна. Многокомпонентные висмутсодержащие твердые растворы А3 В5 , полученные в поле температурного градиента
Год: 2000 424. Антоненко, Константин Иванович. Голографическая диагностика газофазных процессов микроэлектроники
Год: 2000 425. Богуш, Вадим Анатольевич. Композитные металлосодержащие волокнистые материалы для гибких экранов электромагнитного излучения
Год: 2000 426. Борисова, Ирина Владимировна. Ленгмюровское испарение фосфора из растворов-расплавов фосфидов индия и галлия
Год: 2000 427. Вотинцева, Елена Евгеньевна. Исследование структурного совершенства и путей повышения качества бездислокационных монокристаллов кремния диаметром 100 мм, полученных методом Чохральского в условиях отечественного производства
Год: 2000 428. Громов, Дмитрий Геннадьевич. Материалы и процессы формирования многослойной металлизации кремниевых СБИС
Год: 2000 429. Даниленко, Светлана Григорьевна. Разработка травильных композиций и технологических процессов формирования полированных поверхностей подкладок арсенида и антимонида индия для устройств ИЧ-техники
Год: 2000 430. Дьячков, Сергей Александрович. Разработка и исследование технологических процессов анодного сращивания полупроводниковых структур
Год: 2000 431. Емельянов, Владимир Васильевич. Моделирование кинетики испарения летучего компонента из конденсированной фазы
Год: 2000 432. Корнеева, Валерия Владиславовна. Механизмы испарения и поглощения сурьмы из растворов-расплавов галлия и индия
Год: 2000 433. Косушкин, Виктор Григорьевич. Управление ростом кристаллов арсенидов галлия и индия путем низкоэнергетических воздействий
Год: 2000 434. Макаров Антон Сергеевич. Исследование нарушений структуры кремния, возникающих при химико-механическом полировании
Год: 2000 435. Мальцев, Владимир Петрович. Адгезия фоторезисторов и её влияние на процессы фотолитографии
Год: 2000 436. Мельник, Виктор Иванович. Технологические задачи повышения вибротермопрочности кристаллических сцинтилляционных детекторов
Год: 2000 437. Мустафинов, Эдуард Николаевич. Разработка активных и пассивных материалов для приборов неразрушающего контроля узлов и агрегатов АЭС
Год: 2000 438. Нефедов, Александр Сергеевич. Получение слоев кремния методом термомиграции в нестационарных температурных условиях
Год: 2000 439. Плющев, Дмитрий Юрьевич. Получение слоев металлов и полупроводников сублимацией в ультратонком вакуумном промежутке
Год: 2000 440. Разумовский, Павел Иванович. Разработка физико-химических основ получения пятикомпонентных твердых растворов InGaAsSbP в поле температурного градиента
Год: 2000 441. Савченко, Владислав Анатольевич. Моделирование диффузионных процессов изотермической жидкофазной эпитаксии полупроводников
Год: 2000 442. Середин Лев Михайлович. Основы технологии получения кремниевых структур с объемными элементами методом жидкофазной эпитаксии в поле температурного градиента
Год: 2000 443. Смолин, Александр Юрьевич. Получение высокоэффективных солнечных элементов на базе многослойных гетероструктур Al x Ga1-x As/GaAs/Ge/Si x Ge1-x /Si
Год: 2000 444. Сорокин Константин Викторович. Исследование и разработка методов защиты поверхности кремниевых фотодиодов с применением ионной имплантации
Год: 2000 445. Стук, Алексей Афанасьевич. Разработка технологии ядерного легирования монокристаллического кремния больших размеров
Год: 2000 446. Тюрнев, Николай Валерьевич. Применение зондирующего СВЧ электромагнитного излучения для определения рекомбинационных свойств полупроводников
Год: 2000 447. Харламов, Роман Валентинович. Разработка технологии производства кремниевых эпитаксиальных структур для силовых приборов
Год: 2000 448. Четвергов, Михаил Владимирович. Структурно-морфологические особенности нитрида алюминия в зависимости от условий получения
Год: 2000 449. Чикирякин Алексей Анатольевич. Разработка информационного обеспечения вакуумных процессов создания пленочных композиций
Год: 2000 450. Шагаров Борис Анатольевич. Исследование и разработка процессов термообработки полупроводниковых материалов для специального применения
Год: 2000 |
