|
Всего работ:458
351. Пинчук Игорь Владимирович. Разработка полупроводниковых материалов для приборов ночного наблюдения и промышленной технологии их производства
Год: 2001 352. Прусаков Евгений Викторович. Моделирование процесса пленкообразования на стадиях предварительной разработки оборудования электронной техники
Год: 2001 353. Студеникин Павел Алексеевич. Выращивание и исследование сложных галлиевых гранатов ИСГГ: Cr: Nd, ГСГГ: Cr:Nd и ИСГГ: Cr: Ho: Yb для твердотельных лазеров
Год: 2001 354. Сысоев Андрей Александрович. Процессы обработки затравок для выращивания совершенных объемных монокристаллов полупроводникового карбида кремния методом ЛЭТИ
Год: 2001 355. Талимов Алексей Владимирович. Исследование процессов формирования и защиты поверхности планарных p-n переходов и модернизация базовой технологии изготовления фотодиодов на основе InSb
Год: 2001 356. Труфманов Алексей Петрович. Структурная динамика многокомпонентных твердых растворов соединений A3 B5 и A4 B6 , формируемых в поле температурного градиента
Год: 2001 357. Черномордик Владимир Дмитриевич. Солнечные элементы на основе аморфного гидрогенизированного кремния, полученные в низкочастотном тлеющем разряде
Год: 2001 358. Чмырова Ольга Леонидовна. Получение и исследование свойств наногетерогенных структур на основе системы вольфрам-углерод
Год: 2001 359. Шарин Андрей Геннадьевич. Получение и исследование керамических структур для приборов метрологии
Год: 2001 360. Яковлев Сергей Петрович. Обоснование и разработка прецизионного способа двухстороннего шлифования свободным абразивом пластин кремния большого диаметра
Год: 2001 361. Алфимова Диана Леонидовна. Многокомпонентные висмутсодержащие твердые растворы А3 В5 , полученные в поле температурного градиента
Год: 2000 362. Антоненко, Константин Иванович. Голографическая диагностика газофазных процессов микроэлектроники
Год: 2000 363. Богуш, Вадим Анатольевич. Композитные металлосодержащие волокнистые материалы для гибких экранов электромагнитного излучения
Год: 2000 364. Борисова, Ирина Владимировна. Ленгмюровское испарение фосфора из растворов-расплавов фосфидов индия и галлия
Год: 2000 365. Вотинцева, Елена Евгеньевна. Исследование структурного совершенства и путей повышения качества бездислокационных монокристаллов кремния диаметром 100 мм, полученных методом Чохральского в условиях отечественного производства
Год: 2000 366. Громов, Дмитрий Геннадьевич. Материалы и процессы формирования многослойной металлизации кремниевых СБИС
Год: 2000 367. Даниленко, Светлана Григорьевна. Разработка травильных композиций и технологических процессов формирования полированных поверхностей подкладок арсенида и антимонида индия для устройств ИЧ-техники
Год: 2000 368. Дьячков, Сергей Александрович. Разработка и исследование технологических процессов анодного сращивания полупроводниковых структур
Год: 2000 369. Емельянов, Владимир Васильевич. Моделирование кинетики испарения летучего компонента из конденсированной фазы
Год: 2000 370. Корнеева, Валерия Владиславовна. Механизмы испарения и поглощения сурьмы из растворов-расплавов галлия и индия
Год: 2000 371. Косушкин, Виктор Григорьевич. Управление ростом кристаллов арсенидов галлия и индия путем низкоэнергетических воздействий
Год: 2000 372. Макаров Антон Сергеевич. Исследование нарушений структуры кремния, возникающих при химико-механическом полировании
Год: 2000 373. Мальцев, Владимир Петрович. Адгезия фоторезисторов и её влияние на процессы фотолитографии
Год: 2000 374. Мельник, Виктор Иванович. Технологические задачи повышения вибротермопрочности кристаллических сцинтилляционных детекторов
Год: 2000 375. Мустафинов, Эдуард Николаевич. Разработка активных и пассивных материалов для приборов неразрушающего контроля узлов и агрегатов АЭС
Год: 2000 376. Нефедов, Александр Сергеевич. Получение слоев кремния методом термомиграции в нестационарных температурных условиях
Год: 2000 377. Плющев, Дмитрий Юрьевич. Получение слоев металлов и полупроводников сублимацией в ультратонком вакуумном промежутке
Год: 2000 378. Разумовский, Павел Иванович. Разработка физико-химических основ получения пятикомпонентных твердых растворов InGaAsSbP в поле температурного градиента
Год: 2000 379. Савченко, Владислав Анатольевич. Моделирование диффузионных процессов изотермической жидкофазной эпитаксии полупроводников
Год: 2000 380. Середин Лев Михайлович. Основы технологии получения кремниевых структур с объемными элементами методом жидкофазной эпитаксии в поле температурного градиента
Год: 2000 381. Смолин, Александр Юрьевич. Получение высокоэффективных солнечных элементов на базе многослойных гетероструктур Al x Ga1-x As/GaAs/Ge/Si x Ge1-x /Si
Год: 2000 382. Сорокин Константин Викторович. Исследование и разработка методов защиты поверхности кремниевых фотодиодов с применением ионной имплантации
Год: 2000 383. Стук, Алексей Афанасьевич. Разработка технологии ядерного легирования монокристаллического кремния больших размеров
Год: 2000 384. Тюрнев, Николай Валерьевич. Применение зондирующего СВЧ электромагнитного излучения для определения рекомбинационных свойств полупроводников
Год: 2000 385. Харламов, Роман Валентинович. Разработка технологии производства кремниевых эпитаксиальных структур для силовых приборов
Год: 2000 386. Четвергов, Михаил Владимирович. Структурно-морфологические особенности нитрида алюминия в зависимости от условий получения
Год: 2000 387. Чикирякин Алексей Анатольевич. Разработка информационного обеспечения вакуумных процессов создания пленочных композиций
Год: 2000 388. Шагаров Борис Анатольевич. Исследование и разработка процессов термообработки полупроводниковых материалов для специального применения
Год: 2000 389. Юзвишин, Виктор Францович. Разработка технологических процессов и оборудования для операций гальванического осаждения в производстве электронной техники
Год: 2000 390. Викулина, Лидия Федоровна. Магниточувствительные полупроводниковые сенсоры
Год: 1999 391. Ильяшева, Екатерина Владимировна. Разработка стекловидного материала с низкой диэлектрической проницаемостью для толстопленочных элементов ГИС
Год: 1999 392. Борзистая, Екатерина Леонидовна. Прогнозирование условий жидкофазной гетероэпитаксии профилированных структур InP/Ga x In1-x P y As1-y /InP для излучателей с 1,6 МКМ
Год: 1998 393. Енишерлова-Вельяшева, Кира Львовна. Физико-технологические основы управления процессами дефектообразования в кремниевых полупроводниковых структурах
Год: 1998 394. Кравченко, Константин Юрьевич. Получение тонких пленок Y Ba2Cu3O6+6 для устройств твердотельной электроники
Год: 1998 395. Красовицкий, Дмитрий Михайлович. Закономерности пиролиза аммиакатов трихлоридов галлия и индия в процессе осаждения слоев GaN, InN In x Ga1-x N
Год: 1998 396. Кукоз, Виктор Федорович. Зонная перекристаллизация градиентом температуры в системе кремний-германий
Год: 1998 397. Кулинич, Наталья Владимировна. Эволюция межфазных границ в процессе зонной перекристаллизации в поле температурного градиента с учетом гидродинамических эффектов
Год: 1998 398. Кутовой, Сергей Александрович. Выращивание и лазерные свойства монокристаллов в лантан-скандиевого бората с редкоземельными активаторами
Год: 1998 399. Лищук, Николай Вячеславович. Разработка холодных катодов на основе бериллия и алюминия для гелий-неоновых лазеров с повышенной долговечностью
Год: 1998 400. Мармалюк, Александр Анатольевич. Исследование и разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии нитрида галлия
Год: 1998 |
