|
Всего работ:520
201. Крылов Николай Иванович. Получение и свойства стеклообразных полупроводниковых материалов в системах Ge-S-Br и Ge-Se-Br
Год: 2010 202. Невшупа, Роман Александрович. Научные основы управления процессами трибодесорбции газов в узлах трения механизмов сверхвысоковакуумного оборудования электронной техники и нанотехнологий
Год: 2010 203. Примеров Николай Витальевич. Синтез и исследование кристаллов AgClxBr1-x, AgClxBryI1-x-y, легированных редкими элементами, и получение световодов на их основе
Год: 2010 204. Романько Василий Анатольевич. Разработка технологии изготовления термоэлектрических материалов из субмикронных и нанопорошков сплавов теллурида висмута для создания высокоэффективных твердотельных преобразователей энергии
Год: 2010 205. Сысоев, Игорь Александрович. Эпитаксия твердых растворов AIIIBV с микро- и наноструктурой в поле температурного градиента
Год: 2010 206. Фролов Андрій Віталійович. Прогнозування, діагностика, ідентифікація і надійність монокристалічних кремнієвих фотоперетворювачів із структурою n+-p-p+
Год: 2010 207. Рябець Олексій Миколайович. Технологія одержання великогабаритних кремнієвих заготівок для оптико-електронних систем
Год: 2010 208. Волохов Сергій Олександрович. Розробка апаратури, систем управління і контролю технологічних процесів вирощування злитків кремнію для сонячної енергетики
Год: 2010 209. Ваків Микола Михайлович. Технологія структурних модифікацій деградаційно-релаксаційних перетворень в функціональних матеріалах на основі стекол та кераміки для сенсорів електронної техніки
Год: 2010 210. Бритков Олег Михайлович. Разработка конструкций и технологий изготовления микроэлектромеханических приборов в герметичном исполнении
Год: 2009 211. Вишницкий Александр Федорович. Исследование и разработка технологии создания микромодулей бесконтактной идентификации для электронных документов
Год: 2009 212. Воронов Павел Евгеньевич. Оптические и электрофизические свойства тонких нанострктурных пленок Sn-O-In, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления
Год: 2009 213. Дикевич Алексей Александрович. Разработка и исследование волоконно-оптических датчиков влажности газов
Год: 2009 214. Ермошин Иван Геннадьевич. Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN,InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур
Год: 2009 215. Козлов Владимир Валентинович. Разработка основ технологии новых металлоуглеродных нанокомпозитов и углеродного нанокристаллического материала под действием ИК нагрева полимеров
Год: 2009 216. Колесник Леонид Леонидович. Повышение однородности состава и равномерности толщины многослойных тонкопленочных покрытий на поверхностях большого размера
Год: 2009 217. Кулебякин Алексей Владимирович. Синтез, структура и свойства кристаллов ZrO2, частично стабилизированных Y2O3
Год: 2009 218. Овчинников Вячеслав Алексеевич. Разработка и исследование технологического процесса, режимов оборудования и методик устранения прозрачных и непрозрачных дефектов при изготовлении фотошаблонов в полупроводниковом производстве
Год: 2009 219. Перес Васкес Нельсон Отониель. Оборудование для контроля анодного тока при высоковольтной тренировке в производстве рентгеновских приборов
Год: 2009 220. Подщипков Дмитрий Геннадиевич. Исследование процессов роста и свойств многокомпонентных полупроводников с заданной субструктурой в системах Ga-Sb-Bi, In-Sb-Bi и Ga-In-As-Sb-Bi
Год: 2009 221. Попов Владимир Васильевич. Конструирование и технология производства полупроводниковых приборов миллиметрового диапазона и устройств на их основе
Год: 2009 222. Русанов Антон Викторович. Повышение качества технологической среды сверхвысоковакуумного оборудования с алмазоподобными покрытиями трибологического назначения
Год: 2009 223. Симакин Сергей Борисович. Разработка неразрушающих методов контроля ионно-плазменных процессов формирования тонкопленочных структур и элементов оборудования для создания устройств электронной техники
Год: 2009 224. Симунин Михаил Максимович. Разработка и исследование технологических основ создания углеродных нанотрубок методом каталитического пиролиза этанола
Год: 2009 225. Фесенко Максим Владимирович. Исследование процессов, разработка и создание аппаратуры для стирания информации с носителей на основе микросхем с энергонезависимой памятью
Год: 2009 226. Юрасов Юрий Игоревич. Получение, электрофизические и термочастотные свойства сегнетопьезоэлектрических твердых растворов многокомпонентных систем
Год: 2009 227. Ніконова Аліна Олександрівна. Омічні контакти типу Me-SiC для напівпровідникових приладів
Год: 2009 228. Хозя Павло Олександрович. Розробка теплового вузла для вирощування монокристалів GaАs за LEC технологією зі зниженим вмістом структурних дефектів
Год: 2009 229. Черпак Владислав Володимирович. Технологія мікроелектронних електрогенераційних пристроїв на основі органічних напівпровідникових бар'єрних структур
Год: 2009 230. Балабанов Владимир Тарасович. Технология создания плоских микромодулей для приборов бесконтактной идентификации
Год: 2008 231. Буздуган Алексей Анатольевич. Исследование причин деградации и разработка подходов к повышению стабильности наноразмерных межсоединений СБИС
Год: 2008 232. Бузынин Александр Николаевич. Получение и исследование эпитаксиальных структур "полупроводник-фианит"
Год: 2008 233. Ветров Владимир Алексеевич. Разработка методов проектирования миниатюрных низковакуумных насосов для оборудования электронной техники
Год: 2008 234. Данилкин Евгений Викторович. Исследование и оптимизация процесса реактивно-ионного травления углублений в кремнии для формирования мелкощелевой изоляции
Год: 2008 235. Железнякова Анастасия Вячеславовна. Разработка метода молекулярного наслаивания для синтеза сверхтонких пленок халькогенидов металлов
Год: 2008 236. Корнилов Денис Юрьевич. Разработка технологических принципов создания композиционных материалов на основе наночастиц кобальта в матрице полистирола
Год: 2008 237. Лыков Павел Андреевич. Выращивание и исследование легированных монокристаллов ниобата бария-стронция
Год: 2008 238. Матузов Антон Викторович. Технология структур "карбид кремния - кремний" для приборов микроэлектроники и микросистемной техники
Год: 2008 239. Митченко Иван Сергеевич. Исследование влияния условий химического осаждения из газовой фазы на микроструктуру пленок карбида кремния
Год: 2008 240. Муратов Дмитрий Геннадьевич. Разработка основ технологии получения углеродного нанокристаллического материала и металлоуглеродных нанокомпозитов на основе полиакрилонитрила и солей металлов : Cu, Fe, Co
Год: 2008 241. Мьо Хейн Зо. Разработка и исследование процессов формирования фоторезистивных пленок на подложках некруглой формы
Год: 2008 242. Полунина Алиса Александровна. Экспериментальное определение тонких механизмов поглощения водорода титаном для расширения номенклатуры эксплуатационных характеристик пористых геттеров
Год: 2008 243. Савенко Алексей Юрьевич. Исследование процессов локально-селективной обработки материалов и элементов электронной техники наноразмерным ионным пучком
Год: 2008 244. Силаев Иван Вадимович. Разработка способа выращивания профильных монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского
Год: 2008 245. Стратейчук Диана Михайловна. Разработка технологических приемов получения фоточувствительных пленок на основе твердых растворов CdS1-xSex методом трафаретной печати
Год: 2008 246. Трепов Дмитрий Александрович. Исследование импульсных разрядов атмосферного давления и разработка оборудования для создания бактерицидной защиты технологических сред и изделий РЭА
Год: 2008 247. Ушков Александр Викторович. Разработка конструктивно-технологических методов производства кремниевых чувствительных элементов давления с повышенной стойкостью к перегрузкам
Год: 2008 248. Шаповалов Виктор Иванович. Пленочные структуры оксидов переходных металлов: технология, контроль, оборудование
Год: 2008 249. Волинюк Дмитро Юрійович. Технологія напівпровідникових гетероструктур на основі органічних та неорганічних матеріалів для електрооптичних елементів мікроелектроніки
Год: 2008 250. Маркевич Сергій Михайлович. Удосконалення технології вирощування монокристалів GaAs для детекторів рентгенівського та y-випромінювання
Год: 2008 |
