Физико-химические свойства разбавленного магнитного полупроводника GaMnAs Крюков Руслан Николаевич

Краткое описание

Крюков, Руслан Николаевич.
Физико-химические свойства разбавленного магнитного полупроводника GaMnAs : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Крюков Руслан Николаевич; [Место защиты: Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского]. - Нижний Новгород, 2019. - 172 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат наук Крюков Руслан Николаевич
Список сокращений и обозначений
ВВЕДЕНИЕ
1.1 Приборы спинтроники
1.2 Разбавленные магнитные полупроводники
1.3 Методы формирования слоев РМП
1.4 Параметры разбавленных магнитных полупроводников
1.5. Процедуры постростовой обработки слоев GaMnAs
1.6 Фазовый состав разбавленных магнитных полупроводников
Выводы к главе
Глава 2. Методика эксперимента
2.1 Методика получения образцов
2.2 Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия
2.3 Дополнительные методы диагностики, использованные в работе
Выводы к главе
Глава 3. Физико-химические свойства слоев разбавленного магнитного полупроводника GaMnAs, выращенного методом импульсного лазерного осаждения
3.1 Процедура химического анализа методом РФЭС
3.2 Исходный слой GaMnAs
3.3 Диагностика слоев GaMnAs, выращенных с избытком Лб
3.4 Исследование поверхности слоев НТ-ОаЛБ и GaMnAs
Выводы к главе
Глава 4. Изменение химического состава слоев разбавленного магнитного полупроводника GaMnAs при низкотемпературном отжиге
4.1 Низкотемпературный отжиг слоев GaMnAs с покровным слоем НТ-ОаЛБ
4.2 Низкотемпературный отжиг слоев GaMnAs без покровного слоя
4.3 Обобщенная модель поведения физико-химических процессов,
протекающих в слоях РМП GaMnAs
Выводы к главе
Глава 5. Исследование слоев разбавленных магнитных полупроводников, полученных при иных технологических условиях
5.1 Слои GaMnAs, полученные облучением GaAs ионами Мп
5.2 Слои разбавленных магнитных полупроводников, содержащие Бе
5.3 Слои разбавленного магнитного полупроводника InMnAs
Выводы к главе
Общие выводы