Прозрачные омические контакты для изделий гетероструктурной полупроводниковой оптоэлектроники Жидик Юрий Сергеевич

Краткое описание

Жидик, Юрий Сергеевич.
Прозрачные омические контакты для изделий гетероструктурной полупроводниковой оптоэлектроники : диссертация ... кандидата технических наук : 01.04.04 / Жидик Юрий Сергеевич; [Место защиты: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники]. - Томск, 2019. - 159 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат наук Жидик Юрий Сергеевич
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. Плёнки ГГО: Технология синтеза, структура, свойства
1.1 Структура и свойства тонких плёнок ГГО
1.1.1 Электрические свойства плёнок ГГО
1.1.2 Оптические свойства плёнок ГТО
1.2 Вакуумные методы осаждения плёнок ГТО
1.2.1 Синтез плёнок ГТО методом магнетронного распыления
1.2.2 Воздействие плазмы магнетронного разряда на подложку и растущую пленку
1.2.3 Методы отвода заряженных частиц от подложки и конденсирующейся на ней плёнки в процессе магнетронного распыления
1.2.4 Синтез плёнок ГТО методом электронно-лучевого испарения
Выводы к главе 1 и формулировка цели диссертационной работы
ГЛАВА 2. Технология изготовления образцов._ Структура и свойства плёнок ГТО
2.1 Технологическое, измерительное и аналитическое оборудование. Методики исследований свойств плёнок ГТО
2.1.1 Методика измерения поверхностного сопротивления тонких плёнок
2.1.2 Методика измерения концентрации и подвижности носителей заряда
2.1.3 Методика исследования электропроводности плёнок
2.1.4 Методика исследования термо-ЭДС плёнок ГТО
2.2 Методика приготовления исследуемых образцов
2.3 Технологии осаждения плёнок ГТО методом реактивного магнетронного
распыления
2.5 Электрические свойства плёнок ГГО
2.5 Температурная стабильность электрических свойств плёнок ГТО
2.6 Стабильность электрических свойств плёнок ГТО при выполнении операции фотолитографии
2.7 Механизмы электропроводности плёнок ГТО
Выводы к главе
ГЛАВА 3. Осаждение плёнок ITO методом реактивного магнетронного распыления с устранением радиационного воздействия плазмы магнетронного разряда
3.1 Напыление плёнок ITO с применением магнитной отклоняющей системы
3.1.1 Разработка магнитной отклоняющей системы
3.1.2 Методика исследования эффективности отвода заряженных частиц от подложки и конденсирующейся на ее поверхности плёнки в процессе магнетронного распыления магнитной отклоняющей системой
3.1.3 Исследование эффективности уменьшения радиационного воздействия плазмы магнетронного разряда на подложку и растущую плёнку
3.2 Свойства плёнок ITO, напыленных методом реактивного магнетронного распыления с уменьшением радиационного воздействия плазмы магнетронного
разряда
Выводы к главе
ГЛАВА 4. Применение плёнок ITO в оптоэлектронных приборах
4.1 Применение плёнок ITO в качестве прозрачного проводящего контакта для электрооптических модуляторов на основе гетероэпитаксиальных структур InP96
4.1.1 Методика измерения контактного сопротивления ITO/p-InGaAs
4.1.2 Исследование омических характеристик контакта ITO/p-InGaAs
4.1.3 Разработка технологического маршрута изготовления электрооптического модулятора в бескорпусном исполнении с омическим самосовмещенным контактом ITO/p-InGaAs
4.2 Просветляющие покрытия для изделий оптоэлектроники и радиофотоники109
4.3 Применение плёнок ITO в качестве слоя растекания тока для светодиодов на основе гетероэпитаксиальных структур AlInGaN
4.3.1 Среда для моделирования светодиода на основе гетероструктуры GaN/AlInGaN/GaN со слоем растекания тока ITO
4.3.2 Моделирование светодиода на основе гетероструктуры GaN/AlInGaN/GaN со слоем растекания тока ITO
Выводы к главе
Заключение
Список литературы
Приложение А. Акты внедрения
Приложение Б. Результаты интеллектуальной деятельности
ВВЕДЕНИЕ