|
Total work:2192
1001. Нагорнов Юрий Сергеевич. Электронно-стимулированные изменения состава поверхности и фотолюминесценции кремниевых и карбидкремниевых наноразмерных структур
the year: 2001 1002. Потапова Дарья Александровна. Кинетические коэффициенты прыжкового переноса и плотность электронных состояний в неупорядоченных системах с сильной локализацией носителей заряда
the year: 2001 1003. Приходько Олег Владимирович. Моделирование и экспериментальное исследование преципитации кислорода в кремнии
the year: 2001 1004. Ромашко Лариса Николаевна. Исследование процессов переноса заряда в p-n переходах, изготовленных на основе CdHgTe (X0.22) и их изменений при механическом и температурном воздействиях
the year: 2001 1005. Субач Сергей Владимирович. Особенности формирования фазовых неоднородностей в гетероэпитаксиальных слоях InP и InGaAs
the year: 2001 1006. Тарасов Сергей Анатольевич. Исследование фотодиодных структур на основе фосфида галлия и твердых растворов A III B V для селективных фотоприемников
the year: 2001 1007. Тимошенко Виктор Юрьевич. Фотоиндуцированные электронные процессы и структурные перестройки в полупроводниковых системах пониженной размерности
the year: 2001 1008. Титков Илья Евгеньевич. Неразрушающая диагностика электронных свойств структур на основе SiC и GaAs/AlGaAs
the year: 2001 1009. Усачев Павел Анатольевич. Влияние подпороговых мод на шум интенсивности излучения полупроводникового лазера
the year: 2001 1010. Фроленкова Лариса Юрьевна. Влияние бомбардировки полупроводников заряженными частицами на их электронное возбуждение диссоциированными газами
the year: 2001 1011. Черемухина Ирина Анатольевна. Анализ областей несмешиваемости квазибинарных твердых растворов III-V и II-VI групп
the year: 2001 1012. Шайблер Генрих Эрнстович. Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения
the year: 2001 1013. Юрченко Алексей Васильевич. Планарная неоднородность фоточувствительности кремниевых фотоэлектрических преобразователей
the year: 2001 1014. Якимов Андрей Иннокентьевич. Электронные явления в массивах квантовых точек германия в кремнии
the year: 2001 1015. Абдэль-Ваххаб Абдэль-Кадер Базбаз Хийярат. Влияние условий роста на структуру и свойства эпитаксиальных слоев (SiC)1-x (AlN) x
the year: 2000 1016. Аветисян, Артак Араевич. Влияние непараболичности закона дисперсии носителей заряда на примесные состояния в низкоразмерных полупроводниковых системах
the year: 2000 1017. Агасян, Мгер Мартиросович. Теоретическое исследование зонной структуры и оптических и кинетических свойств квазиодномерных электронных систем
the year: 2000 1018. Акимов, Илья Андреевич. Свойства горячих электронов в квантовых ямах и сверхрешетках GaAs/Al x Ga1-x As
the year: 2000 1019. Александрович, Елена Викторовна. Стеклообразование и электропроводность в халькогенидных системах
the year: 2000 1020. Алешин, Алексей Николаевич. Фотоэлектрические свойства пленок сульфида свинца с различным потенциальным рельефом зон
the year: 2000 1021. Ардышев Михаил Вячеславович. Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоёв n-GaAs
the year: 2000 1022. Асатрян, Рубен Симонович. Оптоэлектронные методы исследования полей излучения
the year: 2000 1023. Астахов, Георгий Владимирович. Экситон-электронное взаимодействие в модулированно-легированных квантовых ямах на основе полупроводников А2В6
the year: 2000 1024. Барасюк, Ярослав Николаевич. Физические свойства гетеропереходов в системе сульфид-теллурид кадмия
the year: 2000 1025. Бланк, Татьяна Владимировна. Горячий фотоэффект в поверхностно-барьерных структурах на основе арсенида и фосфида галлия
the year: 2000 1026. Бомк, Олег Иосифович. Газовая чувствительность поверхностно-барьерных структур на основе кремния, арсенида галлия и сульфида кадмия с сверхтонкими пленками титана и никеля
the year: 2000 1027. Возний, Максим Валериевич. Влияние дефектной подсистемы на фотоэлектрические свойства кремния
the year: 2000 1028. Воронова, Валерия Васильевна. Радиационно-стимулированные процессы в кристаллах LiBaF3
the year: 2000 1029. Ганжа, Антон Владимирович. Идентификация компонент спектров фотоотражения полупроводников группы А3В5 иполупроводниковых структур на их основе
the year: 2000 1030. Гонтарук, Александр Николаевич. Деградационные и релаксационные процессы в светодиодах GaP, обусловленные ультразвуком и радиацией
the year: 2000 1031. Горбенко, Виталий Иванович. Исследование изменений свойств приповерхностныхслоев фосфида индия под действием атомов водорода тепловых энергий
the year: 2000 1032. Гунда, Борис Михайлович. Люминесцентные свойства моно- и поликристаллов нелегированного и легированного медью тетрабората лития
the year: 2000 1033. Гурский, Александр Леонидович. Излучательная рекомбинация в активных средах полупроводниковых лазеров на основе широкозонных соединений А2В6
the year: 2000 1034. Давлеткильдеев, Надим Анварович. Исследование эффекта спонтанного упорядочения примесных комплексов в арсениде галлия n-типа
the year: 2000 1035. Демарина, Наталия Витальевна. Электронный транспорт в GaAs структурах при радиационном воздействии
the year: 2000 1036. Демич, Николай Васильевич. Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур на базе монокристаллического теллурида кадмия
the year: 2000 1037. Джумалиев, Александр Сергеевич. Исследование особенностей получения и свойств пленок оксида цинка и железа
the year: 2000 1038. Диденко Сергей Иванович. Моделирование физических явлений в инноимплантированных приборных структурах на основе соединений A III B U
the year: 2000 1039. Диденко, Ирина Сергеевна. Особенности распространения поверхностных и оттекающих акустических волн в монокристаллах и слоистых средах
the year: 2000 1040. Думеш, Борис Самуилович. Коррелированные ядерные спиновые системы в антиферромагнетиках
the year: 2000 1041. Дьяков, Сергей Николаевич. Исследование влияния добавок Pb, Sn, Tl, Bi на электрофизические свойства систем Ge-Se и Ga-Te
the year: 2000 1042. Ежлов, Вадим Сергеевич. Физические свойства и структурные особенности легированных германием монокристаллов кремния, выращенных в условиях жидкостной подпитки
the year: 2000 1043. Еремян, Аршам Серобович. Нелинейные оптические явления и эффекты фазовой памяти в полупроводниковых системах с пониженной размерностью
the year: 2000 1044. Жачкин, Владимир Арефьевич. Электронный парамагнитный резонанс ионов группы железа и дефектов в оксидных и фторидных стеклах
the year: 2000 1045. Заварцев, Юрий Дмитриевич. Физико-химические процессы в расплаве на границах раздела фаз при направленной кристаллизации оксидных соединений
the year: 2000 1046. Иванов, Сергей Викторович. Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктурыпа основе широкозонных соединений А2 В6(основы технологии получения методоммолекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств)
the year: 2000 1047. Ильин, Николай Петрович. Локализованные примесные центры с частично заполненными d- и f- оболочками в бинарных полупроводниках
the year: 2000 1048. Ищук, Лариса Вадимовна. Экстремальные токи в полупроводниковых структурах
the year: 2000 1049. Каманин, Александр Вадимович. Исследование диффузии цинка из полимерных диффузантов в полупроводники A3 B5 : На примере InP
the year: 2000 1050. Каменев, Борис Владимирович. Оптоэлектронные свойства светоизлучающих кремниевых структур
the year: 2000 |
