Semiconductor physics


Total work:1888



1451. Нгуен, Нгок Чунг. Рентгеноспектральный микроанализ эпитаксиальных слоев и гетероструктур на основе халькогенидов свинца-олова
the year: 1995

1452. Новиков, Юрий Алексеевич. Вторичная электронная эмиссия рельефной поверхности твердого тела
the year: 1995

1453. Ольшанецкий, Евгений Борисович. Эффекты локализации и интерференции в низкоразмерных системах на основе кремния и арсенида галлия
the year: 1995

1454. Офицерова, Наталья Васильевна. Процессы формирования и физические свойства твердых растворов на основе карбида кремния
the year: 1995

1455. Павлишенко, Богдан Михайлович. Рекомбинационный механизм пьезофоторезистивного эффекта в полупроводниках
the year: 1995

1456. Пазюк, Вадим Васильевич. Экситон-фононные состояния плоских гетероструктур
the year: 1995

1457. Пак Чун-Ман. Равновесные и неравновесные фазовые переходы в эпитаксиальных пленках магнитных гранатов
the year: 1995

1458. Паттахов, Абдуманнон Абдураупович. Светодиодные структуры на основе GaInAsSb, полученного из жидкой фазы, обогащенной сурьмой
the year: 1995

1459. Переломов, Александр Аскольдович. Методы синтеза монокристаллических акустоэлектронных фильтров на поверхностных акустических волнах на основе учета краевых электростатических эффектов и анизотропии кристаллов
the year: 1995

1460. Першеев, Сайдулла Казахбаевич. Легирование аморфного гидрированного кремния примесями серебра и диспрозия
the year: 1995

1461. Петров, Алексей Геннадьевич. Межподзонные переходы в квантовых ямах
the year: 1995

1462. Пикулев, Виталий Борисович. Исследование рекомбинационных процессов в пористом кремнии фотолюминесцентными методами
the year: 1995

1463. Плотниченко, Виктор Геннадиевич. Волоконные световоды среднего инфракрасного диапазона
the year: 1995

1464. Поляков, Николай Николаевич. Кинетические явления в ограниченных анизотропных и неоднородных полупроводниках
the year: 1995

1465. Попок, Владимир Николаевич. Радиационное дефектообразование в кремнии при двойной ионной имплантации
the year: 1995

1466. Постников, Константин Олегович. Исследование сверхтонких диэлектрических пленок на поверхности полупроводников методом неупругой электронной туннельной спектроскопии
the year: 1995

1467. Потачев, Сергей Александрович. Исследование диффузионно-дрейфовых процессов в оксидах свинца фотоэлектрическими методами
the year: 1995

1468. Прокопенко, Игорь Васильевич. Деформационные поля в полупроводниковых монокристаллах и эпитаксиальных системах при динамическом рассеянии рентгеновских лучей
the year: 1995

1469. Прошин, Владимир Иванович. Самокомпенсация и явления переноса в полупроводниках типа AIV BVI с большой концентрацией примеси
the year: 1995

1470. Рудь, Василий Юрьевич. Фотоэлектрические свойства структур на основе CdSiAs2 и его аналогов
the year: 1995

1471. Рыбин, Андрей Валерьевич. Исследование пространственного распределения точечных дефектов в полупроводниках, облученных высокоэнергетичными ионами
the year: 1995

1472. Рычков, Андрей Александрович. Электретный эффект в стурктурах неполярный полимер-металл
the year: 1995

1473. Савенко, Олег Михайлович. Экспериментальное исследование откольного разрушения ионных кристаллов, облучаемых сильноточным электронным пучком
the year: 1995

1474. Салиев, Тожидин Муталович. Исследование кристаллической структуры и дефектов в карбиде кремния и их влияние на электрофизические свойства
the year: 1995

1475. Сейковский, Иван Дезидерович. Адсорбционные и фоточувствительные эффекты в халькогенидных сегнетоэлектриках-полупроводниках
the year: 1995

1476. Смирнова, Ольга Ивановна. Долгоживущие возбужденные состояния примесей в алмазоподобных полупроводниках
the year: 1995

1477. Талипов, Фархад Магруфович. Исследование деградации электрофизических свойств кремния и структур на его основе, легированных переходными, редкоземельными и изовалентными элементами
the year: 1995

1478. Тарченко, Виктор Петрович. Рекомбинационное излучение с участием собственных точечных дефектов в фосфиде галлия
the year: 1995

1479. Терлецкий, Андрей Иванович. Влияние радиационных воздействий на излучательные и электрические характеристики фосфида индия и арсенида галлия
the year: 1995

1480. Тихомирова, Марина Павловна. Возбуждение и распространение обменных спиновых волн в ферритовых пленках с неоднородными по толщине магнитными параметрами
the year: 1995

1481. Тупичак, Владимир Павлович. Теория деформационных, пьезо- и магнитооптических эффектов в ян-теллеровских кристаллах
the year: 1995

1482. Тютько, Игорь Олегович. Изменения физических параметров диодных структур на базе ZnS и CdS, индуцированные рентгеновским облучением
the year: 1995

1483. Умаров, Кудиратулла Бекбаевич. Влияние разогрева носителей заряда и фононов на электрофизические свойства полупроводниковых выпрямляющих структур
the year: 1995

1484. Урицкий, Валерий Яковлевич. Формирование и электрофизические характеристики многослойных структур на основе системы кремний-диоксид кремния
the year: 1995

1485. Урманов, Надыр Алимович. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в n-v-n и n-пи-р-структурах
the year: 1995

1486. Урюпин, Олег Николаевич. Термоэлектрические явления в кристаллах системы висмут-сурьма в широкоминтервале температур
the year: 1995

1487. Хляп, Галина Михайловна. Исследования свойств гетеропереходов на основе сульфида свинца и соединений А2В6
the year: 1995

1488. Холодилов, Андрей Николаевич. Инфракрасная Фурье-спектроскопия полупроводниковых структур с тонкими слоями (InxGa1-xAs/GaAs, Pb1-xSnxSe/BaF2, пористый кремний)
the year: 1995

1489. Швгай, Олег Александрович. Спектроскопия мелких примесей в Ge, GaAs и сверхрешетках (GaAs)n(InAs) в магнитном поле
the year: 1995

1490. Шокина, Джульетта Ивановна. Влияние термообработок в водороде на эволюцию примесно-дефектной подсистемы кремния
the year: 1995

1491. Штеренгас, Ривера Максовна. Исследование возбужденных состояний примесей халькогенов в Германии
the year: 1995

1492. Шуста, Владимир Семенович. Сжимаемость и фазовые превращения в сегнетоэлектрических кристаллах (PbySn1-х)2P2S6 при высоких гидростатических давлениях
the year: 1995

1493. Яблонский, Геннадий Петрович. Излучательная рекомбинация и структурные изменения в широкозонных полупроводниках и диэлектриках при сильном электрическом и оптическом возбуждении
the year: 1995

1494. Яковлев, Юрий Павлович. Инфракрасная оптоэлектроника на основе многокомпонентных твердых растворов антимонида галлия
the year: 1995

1495. Яркин, Дмитрий Геннадьевич. Метастабильные состояния, возникающие в результате длительного освещения легированного и компенсированного гидрированного аморфного кремния
the year: 1995

1496. Ярошевич, Александр Сергеевич. Исследование электронных свойств дельта-легированных арсенид-галлиевых структур методами фотоэлектрической спектроскопии
the year: 1995

1497. Акимов, Андрей Владимирович. Оптические исследования неравновесных фононов и электрон-фононного взаимодействия в полупроводниках
the year: 1994

1498. Али-Нур, Хусейн. Люминесцентная спектроскопия радиационных дефектов в алмазе
the year: 1994

1499. Аль-Шуфи, Кендж. Теплопроводность сегнетополупроводинков Sn(Pb)2P2S(Se)6
the year: 1994

1500. Андреев, Антон Георгиевич. Эффекты кулоновского взаимодействия в низкотемпературной электронной кинетике нейтронно-легированного Ge: Ga
the year: 1994



SEARCH READY THESIS OR ARTICLE


Доставка любой диссертации из России и Украины


THE LAST ARTICLES AND ABSTRACTS

ГБУР ЛЮСЯ ВОЛОДИМИРІВНА АДМІНІСТРАТИВНА ВІДПОВІДАЛЬНІСТЬ ЗА ПРАВОПОРУШЕННЯ У СФЕРІ ВИКОРИСТАННЯ ТА ОХОРОНИ ВОДНИХ РЕСУРСІВ УКРАЇНИ
МИШУНЕНКОВА ОЛЬГА ВЛАДИМИРОВНА Взаимосвязь теоретической и практической подготовки бакалавров по направлению «Туризм и рекреация» в Республике Польша»
Ржевский Валентин Сергеевич Комплексное применение низкочастотного переменного электростатического поля и широкополосной электромагнитной терапии в реабилитации больных с гнойно-воспалительными заболеваниями челюстно-лицевой области
Орехов Генрих Васильевич НАУЧНОЕ ОБОСНОВАНИЕ И ТЕХНИЧЕСКОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ЭФФЕКТА ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ КОАКСИАЛЬНЫХ ЦИРКУЛЯЦИОННЫХ ТЕЧЕНИЙ
СОЛЯНИК Анатолий Иванович МЕТОДОЛОГИЯ И ПРИНЦИПЫ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССАМИ САНАТОРНО-КУРОРТНОЙ РЕАБИЛИТАЦИИ НА ОСНОВЕ СИСТЕМЫ МЕНЕДЖМЕНТА КАЧЕСТВА