|
Total work:2192
2151. Физические свойства сложных кристаллов, обусловленные длиннопериодной структурой Хархалис, Николай Романович
the year: 1984 2152. Фазовые равновесия и свойства полупроводниковых сплавов в системе кадмий- индий- теллур Дынту, Григорий Михайлович
the year: 1984 2153. Теплопроводность халькогенидов свинца и твердых растворов на основе PbTe Алексеева, Галина Тарасовна
the year: 1984 2154. Теория энергетического спектра кристаллического теллура и селена Пахомов, Сергей Васильевич
the year: 1984 2155. Теория оптических и акустоэлектрических явлений, связанных с аномалиями в пространственной дисперсии, полевой и деформационной зависимостях диэлектрических откликов кристаллов Писковой, Вилли Николаевич
the year: 1984 2156. Теория кинетических и размерных эффектов, обусловленных вырождением зон в полупроводниках Хаецкий, Александр Васильевич
the year: 1984 2157. Температурная зависимость теплоемкости твердых растворов системы арсенид галлия - фосфид индия - арсенид индия в области 5 - 300 К Новиков, Владимир Васильевич
the year: 1984 2158. Субмиллиметровая ЛОВ-спектроскопия полупроводников и сверхпроводников Гольцман, Григорий Наумович
the year: 1984 2159. Структура пленок аморфного германия Бардамид, Александра Федоровна
the year: 1984 2160. Спектроскопия колебательных состояний в соединениях со структурой шеелита и твердых растворов на их основе Нагиев, Вячеслав Мамедович
the year: 1984 2161. Создание и исследование инжекционных лазеров с контролируемым профилем концентрации носителей на основе РbS1-xSex Синятынский, Алексей Алексеевич
the year: 1984 2162. Создание варизонных Ga1-xAlxSb фотоэлектрических Р-П-структур и фотопреобразователей Атаджиков, Какабай
the year: 1984 2163. Релаксация неравновесного обеднения на поверхности кремния при сильных электрических полях Кириллова, Светлана Ильинична
the year: 1984 2164. Разработка физических основ создания градиентных стеклообразных диэлектриков Ремизов, Николай Вениаминович
the year: 1984 2165. Разработка методов улучшения параметров монокристаллических элементов акустоэлектроники на основе исследования анизотропии кристаллов Науменко, Наталья Федоровна
the year: 1984 2166. Прямая и обратная задачи теории кинетических коэффициентов в изотропном приближении Половинкин, В.Г.
the year: 1984 2167. Процессы переноса и захвата заряда в системе электролит-нитрид кремния-окисел-кремний Набок, Алексей Васильевич
the year: 1984 2168. Процессы атомной миграции и напряженно-деформированное состояние кристалла при локальном диффузионном легировании кремния (численное исследование) Големшток, Григорий Михайлович
the year: 1984 2169. Пространственное распределение, накопление и отжиг дефектов в ионно-легированном кремнии Хельцер, Гисберт
the year: 1984 2170. Поляризационные оптические явления в полупроводниках со сложной структурой зон Аверкиев, Никита Сергеевич
the year: 1983 2171. Полупроводниковые перестраиваемые лазеры среднего и дальнего ИК диапазона Бритов, Александр Дмитриевич
the year: 1983 2172. Особенности энергетических спектров и рассеяния электронов проводимости в полупроводниках в квантующих магнитных полях Бреслер, Михаил Семенович
the year: 1983 2173. Особенности дефектной структуры полупроводниковых материалов, связанные с упругой анизотропией Подрезов, Анатолий Аркадьевич
the year: 1983 2174. Образование дефектов в полупроводниковых соединениях Cd/x Hg/1-x Te под действием облучения Ищук, Валерия Петровна
the year: 1983 2175. Моделирование переходных процессов в силовых полупроводниковых приборах Рабкин, Петр Беньяминович
the year: 1983 2176. Коллективные явления в суперионных проводниках Коваленко, Александр Петрович
the year: 1983 2177. Кинетические явления в узкощелевых полупроводниках Шендеровский, Василий Андреевич
the year: 1983 2178. Квазиклассическая динамика носителей заряда в сложных зонах полупроводников Горбовицкий, Борис Моисеевич
the year: 1983 2179. Исследования электронных процессов в полупроводниках с областями пространственногол заряда Овсюк, Виктор Николаевич
the year: 1983 2180. Исследования деформированного состояния полупроводниковых гетероструктур на основе соединений А3В5 с помощью электронного зонда Уманский, Владимир Евгеньевич
the year: 1983 2181. Исследование электронных локальных центров в цинкосульфидных кристаллофосфорах электрофотографическим методом Титов, Алексей Васильевич
the year: 1983 2182. Исследование электрических и оптических свойств ZnSe, ионно-легированного In+ и As+ и излучающих структур на его основе Ластовка, Владимир Викторович
the year: 1983 2183. Исследование физических процессов в Р-П-Р-П структурах при комбинированных импульсных воздействиях Паламарчук, А.И.
the year: 1983 2184. Исследование проводимости и магнитопроводимости легированного германия в области перехода металл-диэлектрик Ионов, Александр Николаевич
the year: 1983 2185. Исследование магнитных явлений в легированных полупроводниках Андрианов, Дмитрий Глебович
the year: 1983 2186. Исследование излучательных характеристик гетероструктур InGaAsP/IпР и лазеров на их основе Тарасов, Илья Сергеевич
the year: 1983 2187. Исследование длинновременной релаксации интенсивности ФЛ (эффекта "усталости" ФЛ) в халькогенидных стеклообразных полупроводниках Чернышев, Андрей Викторович
the year: 1983 2188. Интерференционный лазерный отжиг полупроводников Соколов, Игорь Альбертович
the year: 1983 2189. Изменения оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников системы мышьяк-селен, стимулированные внешними воздействиями Колобов, Александр Владимирович
the year: 1983 2190. Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках Воробьев, Юрий Васильевич
the year: 1983 2191. Влияние положительного и отрицательного давления на фазовый переход в некоторых широкощельных, узкощельных и слоистых сегнетоэлектриках Казаков, Валентин Васильевич
the year: 1983 2192. Меркулов, Александр Иванович. Исследование легированных монокристаллов CdCr2Se4 и создание на их основе поверхностно-барьерных структур типа шоттки
the year: 1980 |
