|
Total work:1888
951. Абдэль-Ваххаб Абдэль-Кадер Базбаз Хийярат. Влияние условий роста на структуру и свойства эпитаксиальных слоев (SiC)1-x (AlN) x
the year: 2000 952. Аветисян, Артак Араевич. Влияние непараболичности закона дисперсии носителей заряда на примесные состояния в низкоразмерных полупроводниковых системах
the year: 2000 953. Агасян, Мгер Мартиросович. Теоретическое исследование зонной структуры и оптических и кинетических свойств квазиодномерных электронных систем
the year: 2000 954. Акимов, Илья Андреевич. Свойства горячих электронов в квантовых ямах и сверхрешетках GaAs/Al x Ga1-x As
the year: 2000 955. Александрович, Елена Викторовна. Стеклообразование и электропроводность в халькогенидных системах
the year: 2000 956. Алешин, Алексей Николаевич. Фотоэлектрические свойства пленок сульфида свинца с различным потенциальным рельефом зон
the year: 2000 957. Ардышев Михаил Вячеславович. Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоёв n-GaAs
the year: 2000 958. Асатрян, Рубен Симонович. Оптоэлектронные методы исследования полей излучения
the year: 2000 959. Астахов, Георгий Владимирович. Экситон-электронное взаимодействие в модулированно-легированных квантовых ямах на основе полупроводников А2В6
the year: 2000 960. Барасюк, Ярослав Николаевич. Физические свойства гетеропереходов в системе сульфид-теллурид кадмия
the year: 2000 961. Бланк, Татьяна Владимировна. Горячий фотоэффект в поверхностно-барьерных структурах на основе арсенида и фосфида галлия
the year: 2000 962. Бомк, Олег Иосифович. Газовая чувствительность поверхностно-барьерных структур на основе кремния, арсенида галлия и сульфида кадмия с сверхтонкими пленками титана и никеля
the year: 2000 963. Возний, Максим Валериевич. Влияние дефектной подсистемы на фотоэлектрические свойства кремния
the year: 2000 964. Воронова, Валерия Васильевна. Радиационно-стимулированные процессы в кристаллах LiBaF3
the year: 2000 965. Ганжа, Антон Владимирович. Идентификация компонент спектров фотоотражения полупроводников группы А3В5 иполупроводниковых структур на их основе
the year: 2000 966. Гонтарук, Александр Николаевич. Деградационные и релаксационные процессы в светодиодах GaP, обусловленные ультразвуком и радиацией
the year: 2000 967. Горбенко, Виталий Иванович. Исследование изменений свойств приповерхностныхслоев фосфида индия под действием атомов водорода тепловых энергий
the year: 2000 968. Гунда, Борис Михайлович. Люминесцентные свойства моно- и поликристаллов нелегированного и легированного медью тетрабората лития
the year: 2000 969. Гурский, Александр Леонидович. Излучательная рекомбинация в активных средах полупроводниковых лазеров на основе широкозонных соединений А2В6
the year: 2000 970. Давлеткильдеев, Надим Анварович. Исследование эффекта спонтанного упорядочения примесных комплексов в арсениде галлия n-типа
the year: 2000 971. Демарина, Наталия Витальевна. Электронный транспорт в GaAs структурах при радиационном воздействии
the year: 2000 972. Демич, Николай Васильевич. Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур на базе монокристаллического теллурида кадмия
the year: 2000 973. Джумалиев, Александр Сергеевич. Исследование особенностей получения и свойств пленок оксида цинка и железа
the year: 2000 974. Диденко Сергей Иванович. Моделирование физических явлений в инноимплантированных приборных структурах на основе соединений A III B U
the year: 2000 975. Диденко, Ирина Сергеевна. Особенности распространения поверхностных и оттекающих акустических волн в монокристаллах и слоистых средах
the year: 2000 976. Думеш, Борис Самуилович. Коррелированные ядерные спиновые системы в антиферромагнетиках
the year: 2000 977. Дьяков, Сергей Николаевич. Исследование влияния добавок Pb, Sn, Tl, Bi на электрофизические свойства систем Ge-Se и Ga-Te
the year: 2000 978. Ежлов, Вадим Сергеевич. Физические свойства и структурные особенности легированных германием монокристаллов кремния, выращенных в условиях жидкостной подпитки
the year: 2000 979. Еремян, Аршам Серобович. Нелинейные оптические явления и эффекты фазовой памяти в полупроводниковых системах с пониженной размерностью
the year: 2000 980. Жачкин, Владимир Арефьевич. Электронный парамагнитный резонанс ионов группы железа и дефектов в оксидных и фторидных стеклах
the year: 2000 981. Заварцев, Юрий Дмитриевич. Физико-химические процессы в расплаве на границах раздела фаз при направленной кристаллизации оксидных соединений
the year: 2000 982. Иванов, Сергей Викторович. Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктурыпа основе широкозонных соединений А2 В6(основы технологии получения методоммолекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств)
the year: 2000 983. Ильин, Николай Петрович. Локализованные примесные центры с частично заполненными d- и f- оболочками в бинарных полупроводниках
the year: 2000 984. Ищук, Лариса Вадимовна. Экстремальные токи в полупроводниковых структурах
the year: 2000 985. Каманин, Александр Вадимович. Исследование диффузии цинка из полимерных диффузантов в полупроводники A3 B5 : На примере InP
the year: 2000 986. Каменев, Борис Владимирович. Оптоэлектронные свойства светоизлучающих кремниевых структур
the year: 2000 987. Карасев, Платон Александрович. Особенности рассеяния быстрых электронов на тепловых колебаниях при прохождении через тонкие кристаллы
the year: 2000 988. Карачевцева, Мария Виссарионовна. Спектры краевой фотолюминисценции эпитаксиальных слоев GaSa, InGaAsP в условиях флуктуаций легирования и состава
the year: 2000 989. Карулина Елена Анатольевна. Инфразвуковая диэл. спектроскопия неполярных и полярных фторсодержащих полимерных пленок.
the year: 2000 990. Карулина, Елена Анатольевна. Инфразвуковая диэлектрическая спектроскопия неполярных и полярных фторсодержащих полимерных пленок
the year: 2000 991. Комарницкая, Елена Александровна. Особенности дефектообразования в ионноимплантированных слоях арсенида галлия
the year: 2000 992. Котов, Леонид Нафанаилович. Высокочастотные и магнитоакустические взаимодействия в магнитомягких ферритах с различными формой, размерами и микроструктурой
the year: 2000 993. Кочура, Алексей Вячеславович. Оптические и фотоэлектрические свойства твердых растворов арсенид кадмия - арсенид цинка в ИК-области спектра
the year: 2000 994. Кривуца, Зоя Федоровна. Проблема создания металл-керамических соединений с использованием вакуум-плазменных технологий
the year: 2000 995. Кудряшов, Игорь Вениаминович. Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs
the year: 2000 996. Кустов, Дмитрий Евгеньевич. Энергетическая структура многоэлектронных атомов
the year: 2000 997. Лабутин, Александр Валериевич. Исследование физических процессов при электретировании диэлектрических пленок в плазме газового разряда и разработка электретных датчиков
the year: 2000 998. Лешко, Андрей Юрьевич. Разработка, исследование свойств и оптимизация характеристик мощных InGaAsP/InP лазеров
the year: 2000 999. Лившиц Даниил Александрович. Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе: =0,78 - 1,3 мкм
the year: 2000 1000. Лобода, Вера Владимировна. Влияние ионного обмена на фазовые равновесия в стеклах
the year: 2000 |
