|
Total work:1888
1151. Птащенко, Федор Александрович. Пространственно-неоднородные рекомбинационные процессы и поляризация излучения в лазерных гетсроструктурах на основе GaAs-AlGaAs.
the year: 1998 1152. Раззаков, Алижон Шоназарович. Исследование условий эпитаксиального роста новых варизонных твердых растворов (Ge2)1-x(ZnSc)x и их некоторых электрических, фотоэлектрических свойств
the year: 1998 1153. Райчев, Олег Эдуардович. Кинетические явления в низкоразмерных электронных системах с туннельной связью
the year: 1998 1154. Резванов, Ренат Рашитович. Катодолюминесценция полумагнитных полупроводников на основе А2В6
the year: 1998 1155. Романов, Валерий Павлович. Ионные дрейфово-диффузионные процессы в диэлектрических слоях МДП-структур
the year: 1998 1156. Романюк, Оксана Степановна. Исследование рензонансных состояний в бесщелевых и узкозонных полупроводниках
the year: 1998 1157. Рудаков, Валерий Иванович. Неизотермические процессы в системах на основе кремния
the year: 1998 1158. Сабитов, Олег Юрьевич. Исследование методов повышения эффективности электролюминесценции в пленочных структурах на основе сульфида цинка, легированного марганцем
the year: 1998 1159. Сапега, Виктор Федорович. Фотолюминесценция горячих электронов и комбинационное рассеяние света в структурах с квантовыми ямами CaAs/AlAs
the year: 1998 1160. Северцев, Андрей Владимирович. Свойства и сценарии самоорганизации пичковых автосолитонов в полупроводниковых структурах и других активных системах с диффузией
the year: 1998 1161. Семенова, Юлия Валентиновна. Исследования холестерико- нематического перехода в индуцированных холестериках для модуляции лазерного излучения
the year: 1998 1162. Семизоров, Александр Федорович. Структурные дефекты и активные центры в полупроводниковых материалах на основе CdSb и Вi2Те3
the year: 1998 1163. Семухин, Борис Семенович. Блочная структура кристаллов и ее модулирование в тонком протонированном слое
the year: 1998 1164. Сидоров, Юрий Георгиевич. Физико-химические основы молекулярно-лучевой эпитаксии узкозонных полупроводников Pb1 Sn1-x Te и Cd x Hg1-x te
the year: 1998 1165. Скрипаль, Александр Владимирович. Исследование особенностей взаимодействия электромагнитных полей с полупроводниковыми приборами в схемах СВЧ
the year: 1998 1166. Слипухина, Ирина Андреевна. Лазерная спектроскопия CdP2 тетрагональной модификации
the year: 1998 1167. Соколовский, Григорий Семенович. Исследование спектральных и динамических характеристик РОС-лазеров для волоконно-оптических линий связи
the year: 1998 1168. Солдатова, Людмила Юрьевна. Токи и дефектообразование в ЩГК в сильных и сверхсильных электрических полях
the year: 1998 1169. Столярчук, Игорь Дмитриевич. Магнитооптические свойства полумагнитных полупроводников и квантоворазмерных структур на их основе
the year: 1998 1170. Струлева, Елена Вячеславовна. Дислокационные термоэлектрические и термомагнитные эффекты в щелочногалоидных кристаллах
the year: 1998 1171. Студенец, Виктор Иванович. Короткопериодные сверхрешетки полупроводников со структурой цинковой обманки на примере CdTe/HgTe и GaAs/AlAs.
the year: 1998 1172. Сучалкин, Сергей Дорианович. Субмиллиметровая спектроскопия двумерных полупроводниковых структур в сильном магнитном поле
the year: 1998 1173. Тарасенко, Олег Анатольевич. Механизм формирования быстрой радиолюминесценции в органических полупроводниках и диэлектриках
the year: 1998 1174. Туланов, Вахаб Туланович. Инфракрасные фотографические процессы на тонких слоях полупроводников с использованием эффектов комбинированного возбуждения
the year: 1998 1175. Угрюмова, Надежда Викторовна. Исследование влияния СВЧ-излучения высокого уровня мощности на структуры с p-n-переходом
the year: 1998 1176. Федонюк, Анатолий Ананьевич. Получение и физические свойства монокристаллов Tl3PbГ5(Г- Cl,Br,I).
the year: 1998 1177. Федоренко, Янина Геннадьевна. Динамические характеристики кремниевых МДП-структур с P-N-переходом в подложке
the year: 1998 1178. Хоренко, Виктор Владимирович. Исследование структурных и электрических свойств композитных металл-диэлектрических пленок с металлическими гранулами нанометровых размеров
the year: 1998 1179. Четверикова, Изабелла Федоровна. Катодолюминесценция нитрида галлия, полученного методом гидридно-хлоридной гетероэпитаксии на сапфире
the year: 1998 1180. Чучева, Галина Викторовна. Кинетика ионного транспорта в окисных слоях на поверхности кремния и эффекты ионно-электронного взаимодействия на межфазной границе SIO2 Si
the year: 1998 1181. Шамирзаев, Тимур Сезгирович. Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акцепторами эпитаксиальном GaAs
the year: 1998 1182. Шенгуров, Дмитрий Владимирович. Структура и электрические свойства легированных пленок поликристаллического кремния, полученных методом молекулярно-лучевого осаждения
the year: 1998 1183. Юсупова, Шаира Абдувалиевна. Влияние взаимодействия примесей с глубокими уровнями Mn, Ni и Fe на их распределение и спектр энергетических уровней в кремнии
the year: 1998 1184. Яковлев, Виктор Борисович. Материальные и полевые характеристики текстурированных поликристаллов и композитов
the year: 1998 1185. Badalian, Samvel Michael. Carrier interaction in quantum nanosystems
the year: 1997 1186. Абайдулина, Татьяна Григорьевна. Электрофизические свойства и дефектообразование в узкощелевых полупроводниках с примесью In
the year: 1997 1187. Азарко, Игорь Иосифович. Электронный парамагнетизм углеродных материалов, модифицированных облучением и термической обработкой
the year: 1997 1188. Андреев, Алексей Александрович. Процессы перемагничивания аморфных пленочных сплавов редкоземельных и переходных металлов для термомагнитной записи информации
the year: 1997 1189. Андреев, Алексей Дмитриевич. Теоретическое исследование беспороговых процессов оже-рекомбинации в полупроводниковых гетероструктурах
the year: 1997 1190. Анкудинов, Александр Витальевич. Сканирующая туннельная микроскопия границ раздела в гетероструктурах полупроводниковых соединений А III B V и A II B VI в атмосферных условиях
the year: 1997 1191. Атажанов, Шавкат Ражабович. Исследование гетероэпитаксиального выращивания пленок 3C-SiC на кремнии из твердофазных источников химическим газотранспортным методом и создание термопреобразователей на их основе
the year: 1997 1192. Афанасьев, Валентин Петрович. Структуры сегнетоэлектрик-полупроводник: свойства, технология и применение
the year: 1997 1193. Беломестных, Владимир Николаевич. Акустические и упругие свойства твердых многокомпонентных диэлектриков
the year: 1997 1194. Вабищевич, Сергей Ананьевич. Процессы дефектообразования в кремнии и фосфиде галлия, легированных редкоземельными элементами и изовалентными примесями
the year: 1997 1195. Вилинская, Людмила Николаевна. Образование пространственного заряда и возникновение ЭДС в пленках оксида алюминия при их взаимодействии с водой
the year: 1997 1196. Владимирова, Мария Рудольфовна. Электронные и фотонные состояния в полупроводниковых структурах с интерференционным механизмом ограничения
the year: 1997 1197. Волчек, Андрей Олегович. Теоретическое исследование особенностей неэкспоненциальной релаксации в области стеклования на основе модели иерархически ограниченной динамики
the year: 1997 1198. Выграненко, Юрий Константинович. Влияние примесей галлия и иттербия на электрические и фотоэлектрические свойства теллуридов свинца-олова-германия
the year: 1997 1199. Гаспарян, Арман Суренович. Теория примесных состояний в полупроводниковых квантовых точках
the year: 1997 1200. Гермогенов, Валерий Петрович. Эпитаксиальные структуры на основе твердого раствора Al x Ga1-xSb : Физические основы технологии, свойства, применение
the year: 1997 |
