|
Total work:2214
451. Подоскин, Александр Александрович. Эффекты переключения мод в AlGaAs/InGaAs/GaAs полупроводниковых лазерах и интегрально-оптические модуляторы мощного излучения на их основе
the year: 2012 452. Потапович, Наталия Станиславовна. Фотоэлектрические преобразователи солнечной и тепловой энергии на основе антимонида галлия
the year: 2012 453. Рудов, Фёдор Валентинович. Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров диоксида азота на основе тонких пленок WO3
the year: 2012 454. Середин, Павел Владимирович. СУБСТРУКТУРА И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ А3В5
the year: 2012 455. Сухоруков, Андрей Владимирович. Изотопические эффекты в спиновом резонансе электронов с различной степенью локализации в кремнии
the year: 2012 456. Тихонов, Евгений Васильевич. Электронная структура, геометрия и спиновые свойства монофталоцианинов переходных металлов и элементов III и IV группы
the year: 2012 457. Хрипунов, Юрий Вадимович. Особенности формирования и физические свойства наноразмерных структур на основе висмута
the year: 2012 458. Чугров, Иван Александрович. Формирование и оптоэлектронные свойства периодических структур с массивами нанокристаллов кремния в диэлектрике
the year: 2012 459. Шамирзаев, Тимур Сезгирович. Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной
the year: 2012 460. Шашкин, Илья Сергеевич. Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации
the year: 2012 461. Бакшаев, Илья Олегович. Интегрально-оптическая абсорбционная спектроскопия полупроводниковых наногетероструктур
the year: 2011 462. Блошкин, Алексей Александрович. Электронная структура напряженных гетероструктур Ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge
the year: 2011 463. Булатов, Альберт Рунарович. Высокочастотные акустические и магнитные исследования бората железа и слаболегированных лантан-стронциевых манганитов состава La1-xSrxMnO3 (0.12 < x < 0.175)
the year: 2011 464. Быков, Алексей Александрович. Магнетотранспортные явления в гетероструктурах GaAs/AIAs при больших факторах заполнения
the year: 2011 465. Галеева, Александра Викторовна. Исследование проводимости полупроводниковых структур методом импедансной спектроскопии
the year: 2011 466. Глотов, Антон Валерьевич. Структурные и оптические исследования легированных эпитаксиальных гетероструктур на основе A3B5
the year: 2011 467. Гриняев, Сергей Николаевич. Электронные состояния в квантово-размерных и дефектных полупроводниковых структурах
the year: 2011 468. Данилевич, Надежда Дмитриевна. Взаимозависимость оптических свойств, кристаллической структуры и состава кристаллов CdS(O) : с привлечением теории непересекающихся зон
the year: 2011 469. Дудин, Александр Александрович. Исследование структуры частиц веществ наноразмерной дисперсности
the year: 2011 470. Еганова, Елена Михайловна. Влияние сильного электрического поля на электронные процессы в пленках g-As2Se3
the year: 2011 471. Егоров, Антон Юрьевич. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники
the year: 2011 472. Емельянов, Виктор Михайлович. Математическое моделирование и исследование характеристик многопереходных A3B5 фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения
the year: 2011 473. Жевнеров, Евгений Владимирович. Исследование микродефектов в монокристаллах арсенида галлия, легированного кремнием
the year: 2011 474. Иман Абдель-Монем Эль-Сайед Махди. Получение и исследование электрофизических свойств объемных и пленочных материалов в тройной системе Co-Ge-Te
the year: 2011 475. Калюжный, Николай Александрович. Многопереходные солнечные элементы, содержащие субэлемент на основе германия
the year: 2011 476. Кашерининов, Петр Георгиевич. Оптические регистрирующие среды на основе полупроводниковых M(TI)S-структур с туннельно-тонким диэлектриком (TI)
the year: 2011 477. Кириенко, Виктор Владимирович. Эффект поля, зарядовые состояния и ИК фотопроводимость в гетероструктурах на основе Si с квантовыми точками Ge
the year: 2011 478. Ковш, Алексей Русланович. Динамические, шумовые и спектральные характеристики лазеров на квантовых точках
the year: 2011 479. Козлов, Дмитрий Андреевич. Электронный транспорт в наноструктурах с резкими потенциальными границами на основе гетероперехода AlGaAs/GaAs
the year: 2011 480. Комиссаров, Андрей Леонидович. Исследование электрофизических свойств фоторезисторов на основе PbS
the year: 2011 481. Комиссарова, Татьяна Александровна. Электрофизические свойства нитрида индия и твердых растворов на его основе
the year: 2011 482. Кучерова, Ольга Владимировна. Спектроскопия адмиттанса полупроводниковых гетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN
the year: 2011 483. Левчук, Сергей Александрович. Свойства осаждённых из лазерной плазмы разбавленных магнитных полупроводников на основе GaSb, Si и Ge, легированных Mn или Fe
the year: 2011 484. Мамутин, Владимир Васильевич. Разработка физических основ молекулярно-пучковой эпитаксии для создания полупроводниковых наноструктур и ВТСП соединений
the year: 2011 485. Махиборода, Максим Александрович. Исследование тепловых процессов при автоэлектронной эмиссии из кремниевого острийного катода
the year: 2011 486. Мизеров, Андрей Михайлович. Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота слоев и гетероструктур в системе (Al,Ga)N с высоким содержанием Al для ультрафиолетовой оптоэлектроники
the year: 2011 487. Надточий, Алексей Михайлович. Динамические характеристики новых типов поверхностно-излучающих лазеров с вертикальным микрорезонатором
the year: 2011 488. Никитина, Лариса Николаевна. Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n
the year: 2011 489. Номери Мохамед Абасс Хадия. Получение и исследование оптических свойств нитевидных полупроводниковых оксидов SnO2 и In2O3
the year: 2011 490. Павлюченко, Алексей Сергеевич. Исследование процессов генерации и вывода света в светодиодах на основе гетероструктур AllnGaN
the year: 2011 491. Паюсов, Алексей Сергеевич. Инжекционные полупроводниковые лазеры со спектрально-селективными потерями и спектрально-зависимым фактором оптического ограничения
the year: 2011 492. Подольская, Наталья Игоревна. Исследование термодинамических свойств многокомпонентных соединений AIIIBV методом поля валентных сил
the year: 2011 493. Пономарев, Иван Викторович. Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия
the year: 2011 494. Пчелинцева, Екатерина Сергеевна. Моделирование и исследование бетавольтаического эффекта на кремниевых PIN структурах
the year: 2011 495. Речкунов, Сергей Николаевич. Захват свободных носителей заряда на глубокие уровни в слоях объёмного заряда арсенида галлия
the year: 2011 496. Рыбин, Николай Борисович. Исследование полупроводниковых наногетероструктур методами токовой релаксационной спектроскопии, атомно-силовой микроскопии и спектроскопии НЧ-шумов
the year: 2011 497. Рябцев, Станислав Викторович. Электрофизические и оптические свойства различных наноформ оксида олова
the year: 2011 498. Саблин, Виктор Александрович. Разработка физических основ исследования моноатомного слоя поверхности полупроводников ионами низких и гипертермальных энергий
the year: 2011 499. Сачков, Виктор Анатольевич. Исследование динамики решетки низкоразмерных реальных структур на основе GaAs/ALAs методом численного эксперимента
the year: 2011 500. Серебренникова, Ольга Юрьевна. Создание и исследование оптоэлектронных приборов в средней инфракрасной области спектра на основе узкозонных гетероструктур A3B5
the year: 2011 |
