|
Total work:1888
1801. Сибельдин, Николай Николаевич. Фононный ветер и динамика капель электронно-дырочной жидкости
the year: 1992 1802. Синицкий, Алексей Владимирович. Сегнетоэлектрическая динамика дипольных стекол дигидрофосфата рубидия-аммония (RADP) и его дейтрированного аналога (DRADP)
the year: 1992 1803. Смекалин, Константин Евгеньевич. Исследование спектров комбинационного рассеяния света в AlGaAs-слоях и квантоворазмерных гетероструктурах
the year: 1992 1804. Солоцкая, Татьяна Ивановна. Перенос горячих электронов в многослойных гетероструктурах на основе многодолинных полупроводников
the year: 1992 1805. Стальмахов, Андрей Всеволодович. Распространение пучков магнитостатических волн в тонкопленочных структурах
the year: 1992 1806. Сторонский, Николай Миронович. Кулоновская гибридная локализация электронов в неупорядоченных системах и ее влиение на электрофизические свойства МДП структур
the year: 1992 1807. Стрельчук, Анатолий Маркович. Механизмы тока и процессы рекомбинации носителей заряда в SiC p-n-структурах
the year: 1992 1808. Султанов, Ахмаджон Мажидович. Разработка технологии создания и исследование фотонно-инжекционных коммутаторов на основе гетероструктур GaAs-AlGaAs
the year: 1992 1809. Сычев, Сергей Альбертович. Нелинейное поглощение излучения ближнего ИК-диапазона радиационно окрашенными кристаллами со структурой флюорита, активированными неодимом
the year: 1992 1810. Ткач, Юрий Яковлевич. Кулоновские корреляции и концентрационно-неравновесные явления в полупроводниках
the year: 1992 1811. Тошходжаев, Хаким Азимович. Полупроводниковые сэндвич структуры на основе халькогенидов цинка (процессы роста и токопереноса)
the year: 1992 1812. Фетисов, Юрий Константинович. Магнитостатические волны в планарных магнитных структурах с нестационарными и неоднородными параметрами
the year: 1992 1813. Фуксман, Михаил Викторович. Особенности жидкофазного выращивания лазерных InGaAsP/GaAs РО ДГС ( =0.8 мкм) структур ориентации (100) и лазеры на их основе
the year: 1992 1814. Хасан Сулеман. Условия конденсации и механизмы электропереноса в аморфных полупроводниках
the year: 1992 1815. Хохлов, Дмитрий Ремович. Примесные метастабильные состояния в теллуридах свинца и олова, легированных элементами III группы
the year: 1992 1816. Цацульников, Андрей Федорович. Строение и свойства глубоких акцепторных центров, создаваемых элементами подгруппы меди в GaAs
the year: 1992 1817. Чу Чор. Диффузия и механизмы растворимости примесей (цинка, индия) в твердых растворах теллурида свинца-теллурида олова
the year: 1992 1818. Шофман, Вадим Григорьевич. Исследование метастабильных состояний в эпитаксиальном n-GaAs по краевой люминесценции
the year: 1992 1819. Эм, Александр Семенович. Особенности динамики нагрева и моделирования процесса наносекундного импульсного лазерного облучения полупроводников в режимах развитого плавления
the year: 1992 1820. Юзбашев, Эльтадж Рамзи оглы. Псевдопараболическая модель и ее применение к объяснению гальвано- и термомагнитных свойств твердых растворов BI1-xSBx (X
the year: 1992 1821. Юнис, Мурад Бадрахан. Влияние связанных экситонов на фотоэлектрические свойства фосфида галлия, легированного азотом
the year: 1992 1822. Якунова, Ада Юрьевна. Механизм потерь в магнитомягких ферритах в зависимости от их состава и технологии изготовления
the year: 1992 1823. Абдуллаев, Хаким Олимжанович. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP-InGaAs со встроенным потенциальным барьером
the year: 1991 1824. Андаспаева, Айкуль Абжапаровна. Исследование электролюминесценции гетеропереходов InGaAsSb/AlGaAsSb
the year: 1991 1825. Белоусов, Игорь Иванович. Перенос заряда в МДП-структурах с двуокисью кремния, полученной при низких (100-400°С) температурах
the year: 1991 1826. Витусевич, Светлана Александровна. Исследование контактной эхоклюзии электронно-дырочной плазмы в полупроводниках конечных размеров
the year: 1991 1827. Гулаков, Аркадий Борисович. Исследование особенностей ватт-амперных и теплофизических характеристик квантоворазмерных лазерных диодов с =0,8 МКМ и разработка диодной системы накачки АИГ: Nd3+ на основе ИнГаАсП/ГаАс ГЕТЕРОСТРУКТУР
the year: 1991 1828. Джумаев, Бердишукур Режепович. Исследование электронных и ионных процессов, приводящих к изменению фотоэлектрических и оптических свойств полупроводников A2 B6 под действием лазерного излучения
the year: 1991 1829. Дзамашвили, Александр Акакиевич. Исследование процессов роста при молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур с напряженными слоями
the year: 1991 1830. Дикарев, Алексей Вадимович. Рассеяние волн нерегулярными границами раздела фаз в поликристаллах и композитах
the year: 1991 1831. Кабулов, Ибрагим Акрем оглы. Сопряженное действие радиации и внешних факторов на деградацию фотоэнергетических параметров фотопреобразователей
the year: 1991 1832. Клингер, Павел Михайлович. Взаимодействие электрически неактивных примесей с собственными дефектами в кремнии
the year: 1991 1833. Кондратьев, Борис Сергеевич. Динамика флуктуаций тока микроплазм в P-N-переходах на кремнии и карбиде кремния
the year: 1991 1834. Корнев Константин Петрович. Фотоэмиссионные исследования электронной структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников
the year: 1991 1835. Коротаев, Александр Григорьевич. Исследование радиационных дефектов в кристаллах Hg1+xCdxTe ядернофизическими методами
the year: 1991 1836. Ланская, Татьяна Георгиевна. Фотоспилловер водорода в пленках оксидов переходных металлов
the year: 1991 1837. Лякас, Михаил Аронович. Исследование и разработка быстродействующих туннельных переходов в Ge и GaAs
the year: 1991 1838. Макаров, Олег Артемович. Оптические свойства полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик в области вакуумного ультрафиолета
the year: 1991 1839. Мынбаев, Карим Джафарович. Диффузионное и ионно-лучевое легирование CdxHg1-xTe
the year: 1991 1840. Николаева, Елена Петровна. Динамические преобразования доменных границ в импульсных магнитных полях
the year: 1991 1841. Нугманов, Дамир Лукманджанович. Нелегированные эпитаксиальные слои арсенида галлия и высоковольтные р-п-р-п структуры на их основе
the year: 1991 1842. Перепелицын, Юрий Николаевич. Светоуправляемые приборы на основе полупроводниковых структур
the year: 1991 1843. Перепелкин, Анатолий Дмитриевич. Исследование электрофизических явлений на поверхности и вв приповерхностных слоях узкощелевых и бесщеелевых полупроводников методом эффекта поля в электролитах
the year: 1991 1844. Рафаилов, Эдик Урихаевич. Исследование оптических характеристик InGaAsP/InP (лямбда=1,3 мкм) и InGaAsP/GaAs (лямбда=10,8 мкм) мощных лазеров раздельного ограничения с широким полосковым контактом
the year: 1991 1845. Сидоров, Павел Петрович. Особенности свойств чистых и активированных редкоземельными элементами полупроводниковых пленок, выращенных фотостимулированной эпитаксией
the year: 1991 1846. Фоминых, Сергей Васильевич. Исследование локальных уровней сильнолокализованных точечных дефектов в кристаллических полупроводниках
the year: 1991 1847. Харионовский, Александр Валентинович. Исследование фотоакустического эффекта в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
the year: 1991 1848. Андреев, Владимир Михайлович. Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в структурах и проблема дрейфа лития в кремнии и германии
the year: 1990 1849. Анисимкин, Владимир Иванович. Поверхностные и приповерхностные акустические волны в планарных структурах
the year: 1990 1850. Васильев, Валерий Анатольевич. Длинноволновая фурье-спектроскопия эпитаксиальных слоев твердых растворов InAs1-x-y Sb x P y и Cex Si1-x
the year: 1990 |
