Генерация форвакуумным плазменным источником электронов сфокусированных непрерывных пучков для обработки диэлектрических материалов Бакеев Илья Юрьевич

Краткое описание

Бакеев,ИльяЮрьевич.Генерацияфорвакуумнымплазменнымисточникомэлектроновсфокусированныхнепрерывныхпучковдляобработкидиэлектрическихматериалов: диссертация ... кандидата технических наук : 01.04.04 /БакеевИльяЮрьевич; [Место защиты: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники]. - Томск, 2019. - 130 с. : ил.больше
Цитаты из текста:

стр. 1
РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ» На правах рукописиБакеевИльяЮрьевичГЕНЕРАЦИЯФОРВАКУУМНЫМПЛАЗМЕННЫМИСТОЧНИКОМЭЛЕКТРОНОВСФОКУСИРОВАННЫХНЕПРЕРЫВНЫХПУЧКОВДЛЯОБРАБОТКИДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХМАТЕРИАЛОВ01.04.04 Физическая электроника Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук Научный руководитель:

стр. 35
установки: 1 вакуумная камера; 2 механическая система откачки; 3 форвакуумныйплазменныйисточникэлектронов; 4 высоковольтныйисточникэлектропитанияфорвакуумногоисточника; 5 электронная система отклонения электронногопучка2.2 Экспериментальный макетфорвакуумногоплазменногоисточникаэлектроновГенерациястационарного электронногопучкапроизводиласьфорвакуумным...

стр. 80
настоящей главе описана конструкция, а также представлены характеристики и достигнутые параметры модернизированного опытного образцаплазменногоисточника, предназначенногодлягенерациисфокусированныхнепрерывныхэлектронныхпучковвфорвакуумнойобласти давлений. Продемонстрирована возможность применения такого электронногоисточникадляобработкивысокотемпературных диэлектриков. 4.1. Конструкция...

Оглавление диссертациикандидат наук Бакеев Илья Юрьевич
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1 ГЕНЕРАЦИЯ СФОКУСИРОВАННЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ПУЧКОВ ИСТОЧНИКАМИ С ПЛАЗМЕННЫМИ ЭМИТТЕРАМИ
1.1 Способы повышения плотности эмиссионной плазмы в плазменных источниках электронов на основе разряда с полым катодом
1.2 Формирование сфокусированных электронных пучков плазменными эмиттерами с одиночным эмиссионным каналом
1.3 Формирование и фокусировка электронных пучков в области повышенных давлений форвакуумного диапазона
1.4 Применение сфокусированных электронных пучков, генерируемых форвакуумными источниками, для обработки непроводящих материалов
1.5 Выводы и постановка задач исследований
ГЛАВА 2 ТЕХНИКА И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1. Вакуумная камера и система откачки
2.2 Экспериментальный макет форвакуумного плазменного источника электронов
2.3 Энергокомплекс электропитания электронного источника и система отклонения электронного пучка
2.4 Диагностика электронного пучка и плазмы
2.5 Выводы
ГЛАВА 3 ЭМИССИЯ И ФОРМИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ ПУЧКОВ, ГЕНЕРИРУЕМЫХ ФОРВАКУУМНЫМ ПЛАЗМЕННЫМ ИСТОЧНИКОМ
3.1. Влияние геометрии катодной полости на эмиссионные свойства плазмы в форвакуумном источнике электронов
3.2 Формирование электронного пучка при отборе электронов из плазмы через одиночный эмиссионный канал
3.2.1 Влияние геометрии эмиссионного канала
3.2.2 Моделирование процессов распространения плазмы в эмиссионном канале
3.2.3 Оптимизация геометрии ускоряющего промежутка
3.2.4 Влияние давления и рода рабочего газа
3.2.5 Особенности магнитной фокусировки электронного пучка
3.3 Формирование электронного пучка при отборе электронов из плазмы через множество эмиссионных каналов
3.4 Выводы
ГЛАВА 4 ФОРВ АКУУМНЫЙ ПЛАЗМЕННЫЙ ИСТОЧНИК СФОКУСИРОВАННОГО
ЭЛЕКТРОННОГО ПУЧКА
4.1. Конструкция форвакуумного плазменного источника электронов
4.2 Характеристики и параметры источника электронов
4.3. Некоторые применения сфокусированных электронных пучков в форвакуумной области давлений
4.3.1 Электронно-лучевая резка высокотемпературных диэлектриков
4.3.2 Послойное селективное спекание керамического порошка
4.4 Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
ПРИЛОЖЕНИЕ 1 Свидетельство о регистрации программы для ЭВМ №1
ПРИЛОЖЕНИЕ 2 Свидетельство о регистрации программы для ЭВМ №2
ПРИЛОЖЕНИЕ 3 Свидетельство о регистрации программы для ЭВМ №3
ПРИЛОЖЕНИЕ 4 Патент на полезную модель
ПРИЛОЖЕНИЕ 5 Патент на изобретение
ПРИЛОЖЕНИЕ 6 Акт об использовании