Оптические явления в соединениях Pb1-xSnxTe обусловленные свободными носителями Пусеп, Юрий Александрович

Краткое описание

Пусеп, Юрий Александрович.
Оптические явления в соединениях Pb1-xSnxTe обусловленные свободными носителями : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Новосибирск, 1985. - 129 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Пусеп, Юрий Александрович
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
1.1. Зонная структура соединений Pb,xShxTe
1.2. Эффекты непараболичности
1.3. Структура валентной зоны
1.4. Влияние сильного легирования на свойства свободных носителей в полупроводниках
ГЛАВА II. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ МЕТОДИКА
2.1. Блок-схема экспериментальной установки
2.2. Обработка экспериментальных спектров
2.3. Характеристики образцов
ГЛАВА III. ЗАКОН ДИСПЕРСИЙ СОЕДИНЕНИЙ Pb^SnJe
3.1. Получение зависимости £(к) по спектрам поглощения
3.2. Сравнение закона дисперсии, полученного по экспериментальным спектрам с шестизонной моделью
3.3. Применимость шестизонной модели к описанию закона дисперсии соединений Pb(xSnx"fe ••••
ГЛАВА 1У. СПЕКТРЫ ПОГЛОЩЕНИЯ В ОБЛАСТИ ФУНДАМЕНТАЛЬНОГО КРАЯ ВЫРОЖДЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
4.1. Эффект Мосса-Бурштейна в сильно-легированных полупроводниках
4.2. Спектры поглощения соединений PbhxSnxJe в условиях вырождения газа свободных носителей
4.3. Форма края поглощения сильно-легированных полупроводников
4.3.1. Влияние электронного рассеяния на форму края поглощения вырожденных полупроводников Pb,.xSnxTe
4.3.2. Роль обменного взаимодействия в формировании края поглощения вырожденных полупроводников
4.4. Сдвиг края поглощения в сильно-легированных полупроводниках
4.4.1. Сдвиг края поглощения вырожденных полупроводников Pb,.xSnxTe
4.4.2. Сужение запрещенной зоны в многодолинных сильно-легированных полупроводниках
4.5. Особенности рассеяния носителей тока в соединениях Pb,xSnxTe
ГЛАВА У. ПЛАЗМЕННОЕ ОТРАЖЕНИЕ СОЕДИНЕНИЙ
РЬ,-х Snpje
5.1. Описание спектров плазменного отражения с помощью теории Друде
5.2. Определение эффективной массы тяжелых дырок
5.3. ИК - прозрачность газа свободных носителей
ВЫВОДЫ