Получение и исследование гетероструктур и приборов на основе твердых растворов InGaAsP Ахмедов, Давронали

Краткое описание

Ахмедов, Давронали.
Получение и исследование гетероструктур и приборов на основе твердых растворов InGaAsP : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1982. - 148 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Ахмедов, Давронали
ВВЕДЕНИЕ . S
Глава I - ЧЕТВЕРНЫЕ ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ InGci/IsP . Ю
§ I.I.I. Многокомпонентные твердые растворы на основе соединений А^В^ . ^
§ I.I.2. Физико-химические свойства твердых растворов In &cl As Р
§ 1.2. Методы получения твердых растворов In&aflsP
§ I.2.I. Метод жидкостной эпитаксии
§ 1.2.2. Метод газовой и молекулярной эпитаксии
§ 1.3. Приборы на основе гетероструктур твердых растворов InScL/lsP . 2.
§ I.3.I. Излучательные приборы на основе твердых растворов In&aftsP а) Гетеролазеры в системе б) Гетеролазеры в системе и In6-a.AsP-&aAsP. в) Светодиоды в системе I п(г&Я$Р —In Р и 1п£сиЛ<>Р -6-CLfisP.
§ 1.3.2. Фотоприемники на основе твердых растворов
In G-cu AsP
Глава П - ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Irl(rCu#sP у 1/7 &аР и In (га As . ъо
§ 2.1. Установка для выращивания эпитаксиальных слоев твердых растворов tn ёа. /)$ Р; 1л£а.Р и Tn&aAs
§ 2.2. Методика выращивания твердых растворов
InfazfisP, и
§ 2.3. Электронно-зондовый метод контроля параметров полупроводниковых гетероструктур
§ 2.4. Особенности выращивания эпитаксиальных слоев <zAsP и Тп&аР на подложках Gcl/Is.
§ 2.5. Особенности выращивания эпитаксиальных слоев
Infc&As и In£a.AsP на подложках In Р
§ 2.6. Получение многослойных гетероструктур на основе твердых растворов Tri£cL/lsP на под-ложах ZtuP
Глава Ш - ИССЛЕДОВАНИЕ ЛШИНЕСЦЕНТНЫХ СВОЙСТВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ 1пвл/ЬбР
И ПРИБОРОВ НА ИХ ОСНОВЕ
§ 3.1. Методика регистрации и исследования спектральных характеристик излучения эпитаксиальных твердых растворов In6-a.AsРf Irifa^P и In&CL#$ .S
§3.2. Влияние величины несоответствия постоянных решетки и коэффициентов термического расширения на люминесцентные свойства гетероструктур 1пб-а^Р - &a,As
§3.3. Влияние внутренних деформаций на поляризацию излучения в гегеролазерных структурах In&a. AsP - ZnP.
§3.4. Показатель преломления твердых растворов
InG-cbAsP
§ 3.5. Гегеролазеры в системе IrG-OLflsP - In Р • • •
§ 3.6. Гетеролазеры InGa-AsP - InP с гофрированным волноводом .///
§ 3.7. Гетерофоготранзисторы в системе InfcaflsP • . НА