Зонная структура, динамика решетки и явления переноса в некоторых сложных алмазоподобных полупроводниках Поплавной, Анатолий Степанович

Краткое описание

Поплавной, Анатолий Степанович.
Зонная структура, динамика решетки и явления переноса в некоторых сложных алмазоподобных полупроводниках : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10. - Кемерово, 1982. - 542 с. : ил.
Оглавление диссертациидоктор физико-математических наук Поплавной, Анатолий Степанович
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1. Теория энергетической зонной структуры кристаллов с решеткой халькопирита.
§ 1. Кристаллическая структура и свойства симметрии энергетических зон
§ 2. Соотношения совместности групп симметрии решеток халькопирита и сфалерита
§ 3. Потенциал возмущения
§ 4. Метод псевдопотенциала в применении к кристаллам с решеткой халькопирита
§ 5. Учет релятивистских эффектов при вычислении энергетической зонной структуры.
ГЛАВА П. Энергетическая зонная структура полупроводников А2В4с|.
§ 1. Полупроводники с прямой и "псевдопрямой" энергетической щелью
§ 2. Структура энергетических зон кристаллов с прямой энергетической щелью.
2.1. Соединение
2.2. Соединение
2.3. Соединение ЪгЪпАЬо.
2.4. Соединение Т-П&еЛЬц
2.5. Соединение 'СсСЗпР^ :
2.6. Соединение СсСВ^бо
2.7. Соединение Ъь^пР^
2.8. Соединение СсС&ер£
§ 3. Структура энергетических зон кристаллов с "псевдоггрямой" энергетической щелью „
3.1. Соединение ¿л ¿1 Ллр„
3.2. Соединение 1к (к,
3.3. Соединение и Л Рг.
3.4. Соединения Сс1 ¿1 Рг и МС* ¿1 Ря
3.4.1. С(1ЬР^.
3.4.2. Мд & Рг.
ГЛАВА Ш. Энергетическая зонная структура полупроводников' А1В3С^.
§ I. ¿/-электроны атомов благородных металлов и проблема построения кристаллического потенциала.
§ 2. -Энергетическая зонная структура соединений (л В3с|.
2.1. Соединение СиМ £г.
2.2. Соединение Си М
2.3. Соединение Си (и £&
2.4. Соединение Си 9(
2.5. Соединение С(1 9(1 Те &.
2.6. Соединение (к ^П £ц,.
2.7. Соединение & А
2.8. Соединение СиУпТе-г.
§ 3. Энергетическая зонная структура соединений Ц В3с|
3.1. Соединение ЛйМ^г,.
3.2. Соединение М (та £ &.
3.3. Соединение Ц
- 4 ~
3.4. Соединение
3.5. Соединение ЛдУпВа
3.6. Соединение ДдУпЗъ^.
3.7. Соединение ЯдОпТе^
§ 4. Экспериментальное проявление Ж -зон атомов благородных металлов. Строение
И О) п валентной зоны соединений А В С| • • •
ГЛАВА 1У. Симметрия нормальных колебаний и оптические свойства кристаллов со структурой халькопирита.
5 1. Симметрия решеточных колебаний соединений А2В4С| и А1В3С|.
§ 2. Правила отбора для инфракрасного поглощения и комбинационного рассеяния света на колебаниях решетки халькопирита
§ 3. Взаимодействие электронов с колебаниями решетки халькопирита
§ 4. Правила отбора для неупругого рассеяния нейтронов в кристаллах со структурой халькопирита
§ 5. Теория инфракрасной дисперсии света в кристаллах с решеткой халькопирита
§ 6. Упругие волны в кристаллах халькопирита, рассеяние Мандельштама-Бриллю
ГЛАВА У. Применение модели жестких ионов к исследованию колебательных спектров кристаллов с решеткой халькопирита.
§ 1. Общая характеристика модели.
§ 2. Кулоновская часть динамической матрицы
§ 3. Вклад короткодействующих нецентральных сил в динамическую матрицу.
§ 4. Упрощение динамической матрицы,основанное на симметрии и кристаллохими-ческих особенностях тройных соединений
§ 5. Качественный анализ длинноволновых оптических колебаний в кристаллах с решеткой халькопирита.
§ 6. Определение параметров модели жестких ионов на основе экспериментов по ИК отражению,поглощению и КР света.
§ 7. Вычисление упругих и пьезоэлектрических постоянных.
Г~ Л |Г
ГЛАВА У1. Решеточная динамика соединений А^В С!? и
§ 1. Соединение 2пЗсР^
§ 2. Соединение СсССеРг
§ 3. Соединение 2п(кР^
§ 4. Соединения СЖЪ'ьР^ } ЪгВ/гР^
Со(.&пРг
4.2. СоС5пРг и ЪгЗпРг.
§ 5. Соединение Ъ1г8сЛ$э.
§ 6. Соединение
- 6
§ 7. Сульфиды.
ЧЛ.СиСаВг.
7.3. СиУп$2.
§ 8. Селениды.
8.1. Л^йгЯе^
8.2. £¿¿<7/2,5%.
§ 9. Теллуриды. ъл.Лд(я>Тег.
9.3.Л#Ые г.
9.4. ¿6 ¿«Те*.
§ 10.Модель тензорного заряда в решеточной динамике соединений А2В4с| и А1В3с|.
Константы поляронной связи
§ 11.Модель жестких ионов и химическая связь в тройных полупроводниках.
ГЛАВА УП. Анизотропия явлений переноса в полупроводниках А2В4с| и А1В3С|.
§ 1. Экспериментальные исследования подвижности и механизмов рассеяния нор д с сителей заряда в соединениях А В С^ и А1В3С| (обзор)
1.1. Механизмы рассеяния
1.2. Соединения
1.3. Соединения А1В3с|
§ 2. Теория анизотропии кинетических явлений в полупроводниковых соединениях тетрагональной сингонии
§ 3. Теория анизотропии кинетических явлений для различных вариантов энергетической зонной структуры соединений А2В4С| и А1В3С|.