|
Загалом робіт:2073
451. Шамирзаев, Тимур Сезгирович. Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной
Рік: 2012 452. Шашкин, Илья Сергеевич. Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации
Рік: 2012 453. Бакшаев, Илья Олегович. Интегрально-оптическая абсорбционная спектроскопия полупроводниковых наногетероструктур
Рік: 2011 454. Блошкин, Алексей Александрович. Электронная структура напряженных гетероструктур Ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge
Рік: 2011 455. Булатов, Альберт Рунарович. Высокочастотные акустические и магнитные исследования бората железа и слаболегированных лантан-стронциевых манганитов состава La1-xSrxMnO3 (0.12 < x < 0.175)
Рік: 2011 456. Быков, Алексей Александрович. Магнетотранспортные явления в гетероструктурах GaAs/AIAs при больших факторах заполнения
Рік: 2011 457. Галеева, Александра Викторовна. Исследование проводимости полупроводниковых структур методом импедансной спектроскопии
Рік: 2011 458. Глотов, Антон Валерьевич. Структурные и оптические исследования легированных эпитаксиальных гетероструктур на основе A3B5
Рік: 2011 459. Гриняев, Сергей Николаевич. Электронные состояния в квантово-размерных и дефектных полупроводниковых структурах
Рік: 2011 460. Данилевич, Надежда Дмитриевна. Взаимозависимость оптических свойств, кристаллической структуры и состава кристаллов CdS(O) : с привлечением теории непересекающихся зон
Рік: 2011 461. Дудин, Александр Александрович. Исследование структуры частиц веществ наноразмерной дисперсности
Рік: 2011 462. Еганова, Елена Михайловна. Влияние сильного электрического поля на электронные процессы в пленках g-As2Se3
Рік: 2011 463. Егоров, Антон Юрьевич. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники
Рік: 2011 464. Емельянов, Виктор Михайлович. Математическое моделирование и исследование характеристик многопереходных A3B5 фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения
Рік: 2011 465. Жевнеров, Евгений Владимирович. Исследование микродефектов в монокристаллах арсенида галлия, легированного кремнием
Рік: 2011 466. Иман Абдель-Монем Эль-Сайед Махди. Получение и исследование электрофизических свойств объемных и пленочных материалов в тройной системе Co-Ge-Te
Рік: 2011 467. Калюжный, Николай Александрович. Многопереходные солнечные элементы, содержащие субэлемент на основе германия
Рік: 2011 468. Кашерининов, Петр Георгиевич. Оптические регистрирующие среды на основе полупроводниковых M(TI)S-структур с туннельно-тонким диэлектриком (TI)
Рік: 2011 469. Кириенко, Виктор Владимирович. Эффект поля, зарядовые состояния и ИК фотопроводимость в гетероструктурах на основе Si с квантовыми точками Ge
Рік: 2011 470. Ковш, Алексей Русланович. Динамические, шумовые и спектральные характеристики лазеров на квантовых точках
Рік: 2011 471. Козлов, Дмитрий Андреевич. Электронный транспорт в наноструктурах с резкими потенциальными границами на основе гетероперехода AlGaAs/GaAs
Рік: 2011 472. Комиссаров, Андрей Леонидович. Исследование электрофизических свойств фоторезисторов на основе PbS
Рік: 2011 473. Комиссарова, Татьяна Александровна. Электрофизические свойства нитрида индия и твердых растворов на его основе
Рік: 2011 474. Кучерова, Ольга Владимировна. Спектроскопия адмиттанса полупроводниковых гетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN
Рік: 2011 475. Левчук, Сергей Александрович. Свойства осаждённых из лазерной плазмы разбавленных магнитных полупроводников на основе GaSb, Si и Ge, легированных Mn или Fe
Рік: 2011 476. Мамутин, Владимир Васильевич. Разработка физических основ молекулярно-пучковой эпитаксии для создания полупроводниковых наноструктур и ВТСП соединений
Рік: 2011 477. Махиборода, Максим Александрович. Исследование тепловых процессов при автоэлектронной эмиссии из кремниевого острийного катода
Рік: 2011 478. Мизеров, Андрей Михайлович. Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота слоев и гетероструктур в системе (Al,Ga)N с высоким содержанием Al для ультрафиолетовой оптоэлектроники
Рік: 2011 479. Надточий, Алексей Михайлович. Динамические характеристики новых типов поверхностно-излучающих лазеров с вертикальным микрорезонатором
Рік: 2011 480. Никитина, Лариса Николаевна. Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n
Рік: 2011 481. Номери Мохамед Абасс Хадия. Получение и исследование оптических свойств нитевидных полупроводниковых оксидов SnO2 и In2O3
Рік: 2011 482. Павлюченко, Алексей Сергеевич. Исследование процессов генерации и вывода света в светодиодах на основе гетероструктур AllnGaN
Рік: 2011 483. Паюсов, Алексей Сергеевич. Инжекционные полупроводниковые лазеры со спектрально-селективными потерями и спектрально-зависимым фактором оптического ограничения
Рік: 2011 484. Подольская, Наталья Игоревна. Исследование термодинамических свойств многокомпонентных соединений AIIIBV методом поля валентных сил
Рік: 2011 485. Пономарев, Иван Викторович. Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия
Рік: 2011 486. Пчелинцева, Екатерина Сергеевна. Моделирование и исследование бетавольтаического эффекта на кремниевых PIN структурах
Рік: 2011 487. Речкунов, Сергей Николаевич. Захват свободных носителей заряда на глубокие уровни в слоях объёмного заряда арсенида галлия
Рік: 2011 488. Рыбин, Николай Борисович. Исследование полупроводниковых наногетероструктур методами токовой релаксационной спектроскопии, атомно-силовой микроскопии и спектроскопии НЧ-шумов
Рік: 2011 489. Рябцев, Станислав Викторович. Электрофизические и оптические свойства различных наноформ оксида олова
Рік: 2011 490. Саблин, Виктор Александрович. Разработка физических основ исследования моноатомного слоя поверхности полупроводников ионами низких и гипертермальных энергий
Рік: 2011 491. Сачков, Виктор Анатольевич. Исследование динамики решетки низкоразмерных реальных структур на основе GaAs/ALAs методом численного эксперимента
Рік: 2011 492. Серебренникова, Ольга Юрьевна. Создание и исследование оптоэлектронных приборов в средней инфракрасной области спектра на основе узкозонных гетероструктур A3B5
Рік: 2011 493. Сидоров, Георгий Юрьевич. Исследование процессов образования, активации и аннигиляции электрически активных точечных дефектов в CdxHg1-xTe
Рік: 2011 494. Сошников, Александр Игоревич. Методы измерения электрических свойств наноструктур с помощью полупроводникового алмазного зонда
Рік: 2011 495. Тимошнев, Сергей Николаевич. Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя
Рік: 2011 496. Усикова, Анна Александровна. Формирование и оптические свойства наноструктур на основе IN-содержащих полупроводниковых соединений А3-В5 с выводящими излучение брэгговскими элементами
Рік: 2011 497. Феклистов, Константин Викторович. Преципитация бора в кремнии при имплантации и отжиге : расслоение на стадии Оствальдовского созревания
Рік: 2011 498. Цюк, Александр Игоревич. Исследование пленок нитрида галлия, выращенных методом хлоридгидридной газофазной эпитаксии
Рік: 2011 499. Чэнь Сяосин. Локализованные состояния и флуктуации в графене
Рік: 2011 500. Шабунина, Евгения Игоревна. Низкочастотный шум в светодиодах на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур
Рік: 2011 |
