|
Загалом робіт:1888
901. Пирюшов Виталий Анатольевич. Электрические и фотоэлектрические характеристики и свойства кремниевых МДП-структур с диэлектрическими слоями из оксидов иттрия, гадолиния и европия
Рік: 2002 902. Писаревский Мстислав Сергеевич. Влияние процессов фазообразования на фотоэлектрические свойства поликристаллических пленок селенида свинца
Рік: 2002 903. Полупанов Александр Федорович. Дырочные состояния в кубических полупроводниках и в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах
Рік: 2002 904. Прыкина Елена Николаевна. Фононные спектры композиционных сверхрешеток на основе полупроводников A3 B5 , A2 B6 и их твёрдых растворов
Рік: 2002 905. Садофьев Сергей Юрьевич. Особенности формирования самоорганизующихся наноостровков при эпитаксии германия на профилированные кремниевые подложки в условиях электропереноса
Рік: 2002 906. Садыков Марат Фердинантович. Электрические, магнитооптические и магнитоакустические эффекты в магнитном полупроводнике -Fe2 O3
Рік: 2002 907. Светлова Наталья Юрьевна. Влияние германия на кинетику образования низкотемпературных термодоноров и на начальные стадии процесса распада пересыщенного твердого раствора кислорода в кремнии
Рік: 2002 908. Синис Валерий Павлович. Стимулированное дальнее ИК-излучение в одноосно деформированном p-Ge и напряженных гетероструктурах SiGe/Si
Рік: 2002 909. Соловьев Александр Александрович. Динамика дефектной структуры и акустическая эмиссия в кремнии при электрических и механических возмущениях
Рік: 2002 910. Тарасов Илья Сергеевич. Гетероструктуры в системе твердых растворов InGaAsP и лазеры на их основе
Рік: 2002 911. Тиллес Ванда Феликсовна. Исследование влияния рентгеновского облучения на релаксационные и переключательные процессы в перовскитоподобных сегнетоэлектриках
Рік: 2002 912. Фещенко Игорь Сергеевич. Фотоэлектрические свойства и фотоструктурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках твердых растворов (As2 S3)x . (As2 Se3)1-x , легированных металлами.
Рік: 2002 913. Фридман Татьяна Петровна. Свойства гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si, полученных химическим газотранспортным методом, и тензопреобразователи на их основе
Рік: 2002 914. Черкашин Николай Анатольевич. Электронно-микроскопические исследования влияния температурных режимов роста на микроструктуру и морфологию квантовых точек в системе InAs-(Al)GaAs
Рік: 2002 915. Шалыгина Ольга Александровна. Оптические свойства квантовых нитей CdSe/Al2 O3 и квантовых точек CdSe/ZnSe
Рік: 2002 916. Шляпин Александр Владимирович. Исследование влияния объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка, легированного марганцем
Рік: 2002 917. Щербаков Алексей Валерьевич. Люминесцентное детектирование неравновесных фононов в полумагнитных квантовых ямах
Рік: 2002 918. Абрамов Алексей Станиславович. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе
Рік: 2001 919. Благов Евгений Владимирович. Аддитивная теория силового взаимодействия в атомно-силовой микроскопии и ее приложения в диагностике поверхностных микроструктур
Рік: 2001 920. Боженов Александр Вячеславович. Механизм и условия формирования скрытых слоев монокристаллической фазы дисилицида кобальта в кремнии в процессе ионно-лучевого синтеза
Рік: 2001 921. Варавин Василий Семенович. Точечные дефекты и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных структур Cd x Hg1-x Te, выращенных методами парофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии
Рік: 2001 922. Воробьёв Александр Борисович. Морфология гетерограниц и транспорт дырок в сверхрешетках GaAs/AlAs(311)А
Рік: 2001 923. Воронцов Владимир Анатольевич. Структурная модификация свойств аморфного гидрогенизированного углерода
Рік: 2001 924. Галкин Николай Геннадьевич. Полупроводниковые силициды хрома, железа и магния на Si(111)
Рік: 2001 925. Гордо Наталья Михайловна. Фотоэлектрические процессы в объемных каналах полупроводниковых структур
Рік: 2001 926. Гумаров Габдрауф Габдрашитович. Ионно-лучевой синтез силицидов металлов подгруппы железа в кремнии
Рік: 2001 927. Джабраилов Тайяр Акбер оглы. Влияние преципитации и изоэлектронной ионной имплантации на дефектообразование в монокристаллическом кремнии
Рік: 2001 928. Жаринова Наталья Николаевна. Исследование явлений самоорганизации при эпитаксии гетероструктур
Рік: 2001 929. Жмерик Валентин Николаевич. Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота : Применение для p-легирования ZnSe и роста GaN
Рік: 2001 930. Зайцев Роман Владимирович. Эффект позиционного беспорядка и примесное поглощение света в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами и точками
Рік: 2001 931. Иванов Павел Анатольевич. Полевые и биполярные приборы на основе карбида кремния
Рік: 2001 932. Калитеевская Наталия Алексеевна. Взаимодействие вакуумного ультрафиолетового излучения с тонкими неорганическими пленками
Рік: 2001 933. Колобаев Виктор Валентинович. Исследование тонкопленочных структур на основе CdTe и их применение в солнечных батареях
Рік: 2001 934. Кудряшов Владимир Евгеньевич. Механизмы излучательной рекомбинации в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами
Рік: 2001 935. Кузнецов Сергей Викторович. Фотоэлектрические свойства аморфного гидрированного кремния, легированного бором
Рік: 2001 936. Львов Павел Евгеньевич. Термодинамика образования дефектов в полупроводниках с учетом кластеризации в жидкой и газовой фазах
Рік: 2001 937. Нагорнов Юрий Сергеевич. Электронно-стимулированные изменения состава поверхности и фотолюминесценции кремниевых и карбидкремниевых наноразмерных структур
Рік: 2001 938. Потапова Дарья Александровна. Кинетические коэффициенты прыжкового переноса и плотность электронных состояний в неупорядоченных системах с сильной локализацией носителей заряда
Рік: 2001 939. Приходько Олег Владимирович. Моделирование и экспериментальное исследование преципитации кислорода в кремнии
Рік: 2001 940. Ромашко Лариса Николаевна. Исследование процессов переноса заряда в p-n переходах, изготовленных на основе CdHgTe (X0.22) и их изменений при механическом и температурном воздействиях
Рік: 2001 941. Субач Сергей Владимирович. Особенности формирования фазовых неоднородностей в гетероэпитаксиальных слоях InP и InGaAs
Рік: 2001 942. Тарасов Сергей Анатольевич. Исследование фотодиодных структур на основе фосфида галлия и твердых растворов A III B V для селективных фотоприемников
Рік: 2001 943. Тимошенко Виктор Юрьевич. Фотоиндуцированные электронные процессы и структурные перестройки в полупроводниковых системах пониженной размерности
Рік: 2001 944. Титков Илья Евгеньевич. Неразрушающая диагностика электронных свойств структур на основе SiC и GaAs/AlGaAs
Рік: 2001 945. Усачев Павел Анатольевич. Влияние подпороговых мод на шум интенсивности излучения полупроводникового лазера
Рік: 2001 946. Фроленкова Лариса Юрьевна. Влияние бомбардировки полупроводников заряженными частицами на их электронное возбуждение диссоциированными газами
Рік: 2001 947. Черемухина Ирина Анатольевна. Анализ областей несмешиваемости квазибинарных твердых растворов III-V и II-VI групп
Рік: 2001 948. Шайблер Генрих Эрнстович. Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения
Рік: 2001 949. Юрченко Алексей Васильевич. Планарная неоднородность фоточувствительности кремниевых фотоэлектрических преобразователей
Рік: 2001 950. Якимов Андрей Иннокентьевич. Электронные явления в массивах квантовых точек германия в кремнии
Рік: 2001 |
