|
Загалом робіт:2073
1451. Дмитриев, Владимир Андреевич. P-n-структуры на основе широкозонных полупроводников: SiC и A3N. Разработка технологии, получение и исследование
Рік: 1996 1452. Донецкий, Дмитрий Владимирович. Оптические явления при разогреве дырок в полупроводниках и размерно-квантованных гетероструктурах
Рік: 1996 1453. Дорошенко, Виктор Георгиевич. Влияние температуры и динамики ее изменения на характеристики полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей
Рік: 1996 1454. Дугаев, Виталий Константинович. Корреляция и примеси в уакозонных полупроводниках и низкоразмерных структурах
Рік: 1996 1455. Егоров, Антон Юрьевич. Прямое получение полупроводниковых квантовых проволок и точек методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Рік: 1996 1456. Жуков, Алексей Евгеньевич. Квантово-размерные напряженные гетероструктуры в системе (In, Ga, Al)As: Технология получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств
Рік: 1996 1457. Закордонец, Владимир Савич. Предельная термоэлектрическая добротностькристаллических полупроводниковых материалов
Рік: 1996 1458. Зиновьев, Николай Николаевич. Неравновесные явления в системе электронов и фононов в полупроводниках
Рік: 1996 1459. Каминский, Алексей Юрьевич. Смешивание дырочных состояний на полупроводниковых гетеропереходах (001) при нормальном падении
Рік: 1996 1460. Камуз, Александр Михайлович. Лазерностимулированные изменения рефракции полупроводников типа AIIIBV и АIIВVI и оптические волноводы на их основе
Рік: 1996 1461. Карачевцева, Людмила Анатольевна. ИК-фоточувствительные твердые растворы CdHgTe: физико-технологическая оптимизация параметров и дефектной структуры
Рік: 1996 1462. Каргашин, Алексей Евгеньевич. Разработка физических моделей и методов сквозного физико-технологического моделирования биполярных кремниевых элементов : В нормальном и криогенном режимах
Рік: 1996 1463. Качер, Егор Эммануилович. Особенности формирования и основные физические свойства пленок CdGa2S(Se)4
Рік: 1996 1464. Копылова, Ирина Борисовна. Инжекция электронного зонда растрового электронного микроскопа в монокристаллы триглицинсульфата
Рік: 1996 1465. Кособуцкий, Петр Сидорович. Физические основы радиационной модификации оптических свойств широкозонных материалов электронной техники
Рік: 1996 1466. Кудин, Александр Михайлович. Роль активаторных дефектов в изменении структуры и сцинтилляционных свойств кристаллов NaI(Tl).
Рік: 1996 1467. Кудинов, Алексей Валерьевич. Спектроскопия поляризованной люминесценции полумагнитных полупроводников CdMnTe и квантовых ям CdTe/CdMnTe
Рік: 1996 1468. Курганский, Сергей Иванович. Электронная структура тонких пленок сложных металлооксидов
Рік: 1996 1469. Логинов, Юрий Юрьевич. Формирование структурных дефектов в монокристаллах и эпитаксиальных пленках полупроводников А2В6
Рік: 1996 1470. Лунц, Дмитрий Георгиевич. Электрофизические и структурные свойства объемных аморфных полупроводников антимонида галлия и кремния
Рік: 1996 1471. Мавлянов, Равшан Каршибаевич. Получение аморфных и микрокристаллических тонко-пленочных материалов a - Si1-xCx:H, мс - Si:H и исследование свойств пленок и приборных структур на их основе
Рік: 1996 1472. Малинич, Сергей Захарович. Оптическая спектроскопия фотостимулированных явлений в металлооксидных купратах
Рік: 1996 1473. Мартинович, Валерия Александровна. ЭПР дефектов в алмазе и кремнии, облученных ионами высоких энергий
Рік: 1996 1474. Марьян, Кузьма. Диффузионные модели лазерного отжига полупроводниковых и металлических твердых растворов
Рік: 1996 1475. Мединский, Сергей Владимирович. Эффекты обменного взаимодействия в кристаллах, тонких слоях и квантовых структурах на основе полумагнитных полупроводников
Рік: 1996 1476. Мейтин, Марк Наумович. Электрофизические свойства и метастабильные процессы в a-Si: H и сплавах на его основе
Рік: 1996 1477. Мокрий, Владимир Иванович. Влияние структурных комплексов на оптические и диэлектрические свойства монокристаллов алкиламингалогенметаллатов при фазовых переходах
Рік: 1996 1478. Мурин, Дмитрий Игоревич. Диагностика крупномасштабных примесных скоплений в полупроводниках и анализ таких скоплений в кремнии, выращенном методом Чохральского
Рік: 1996 1479. Мясников, Александр Михайлович. Диффузия и активация имплантированных примесей в арсениде и антимониде индия
Рік: 1996 1480. Мясоедов, Юрий Николаевич. Исследование влияния дефектов на электрофизические и магнитные свойства ртутьсодержащих металлооксидных купратов
Рік: 1996 1481. Названова, Елена Васильевна. Сильные оптические нелинейности и оптическая бистабильность в полупроводниках CdS, CdSSe, GaSSe
Рік: 1996 1482. Немчук, Николай Игоревич. Механизмы проводимости пленок фуллеренов C60 и С70
Рік: 1996 1483. Нисафи Абдул Мохсен. ПАВ-элементы для обработки широкополосных сигналов
Рік: 1996 1484. Оконечников, Александр Петрович. Радиационно-стимулированные процессы в полупроводниках А2В6 с дефектами различной размерности
Рік: 1996 1485. Орлецкий, Иван Григорьевич. Особенности поведения марганца и гадолиния в узкозонных тетраэдрических полупроводниках
Рік: 1996 1486. Паранчич, Юрий Степанович. Новые полумагнитные полупроводники MхHg1-xSe(M-Cr, Cо) получение и их основные свойства
Рік: 1996 1487. Петренко, Александр Николаевич. Обменные параметры переноса электронной теории молекулярных периодических структур со слабым взаимодействием фрагментов
Рік: 1996 1488. Пилипенко, Геннадий Иванович. Локальные состояния в гидриде и дейтериде лития
Рік: 1996 1489. Прошина, Ольга Владимировна. Поляризационные эффекты в полупроводниках А2И6 и А4В6
Рік: 1996 1490. Ризак, Василий Михайлович. Влияние изовалентных замещений на статические и динамические свойства собственных сегнетоэлектриков (PbySn1-y)2P2(SexS1-x)6
Рік: 1996 1491. Рогозин, Егор Викторович. Структура та iнжекцiйна електролюмiнесценцiя гетеропереходу ZnO—ZnSe одержаного методом радикало-променевоi гетеруючоi епiтаксii
Рік: 1996 1492. Роткина (Гладышева), Лолита Геннадьевна. Методы создания периодических оптических неоднородностей и их использование в устройствах интегральной оптики
Рік: 1996 1493. Рощупкин, Дмитрий Валентинович. Взаимодействие поверхностных акустических волн с электронными и рентгеновскими пучками
Рік: 1996 1494. Румянцев, Сергей Львович. Объемный шум I/f и шумовая спектроскопия локальных уровней в материалах полупроводниковой электроники
Рік: 1996 1495. Салах Ель-Дин, Махмуд Мохамед Сальман. Структура, электрические и оптические свойства аморфных пленок InSb-Ge
Рік: 1996 1496. Сапольков, Александр Юрьевич. Геттерирование подвижных ионов в диэлектрических слоях МДП-структур
Рік: 1996 1497. Семененя, Татьяна Викторовна. Оптические и фотоэлектрические свойства диарсенидов кадмия и цинка
Рік: 1996 1498. Сказочкин, Александр Викторович. Структура и свойства дефектов с глубокими уровнями в эпитаксиальных слоях фосфида галлия
Рік: 1996 1499. Скворцов, Аркадий Алексеевич. Высокотемпературные электротранспортные процессы в полупроводниковых структурах с участием жидкой фазы
Рік: 1996 1500. Скутин, Евгений Дмитриевич. Кинетика электронных и адсорбционных процессов на поверхности арсенида галлия
Рік: 1996 |
