Загалом робіт:2073
251. Михайлюк Екатерина Андреевна. Электрофизические свойства полупроводниковых гетероструктур In2Te3/InAs и In2xGa2(1-x)Te3/InAs Рік: 2016 252. Овсянников Данила Алексеевич. Исследование транспортных свойств нанофрагментированных и модифицированных углеродными нанокластерами полупроводников. Рік: 2016 253. Паринова Елена Владимировна. Электронно-энергетическое строение и фазовый состав аморфных нанокомпозитных пленок a-SiOx–a-Si:H Рік: 2016 254. Родина Анна Валерьевна. Оптические и спиновые явления в полупроводниковых коллоидных нанокристаллах Рік: 2016 255. Рожанский Игорь Владимирович. Резонансно-туннельные спиновые явления в полупроводниковых гетероструктурах Рік: 2016 256. Талипов Нияз Хатимович. Разработка и исследование моделей оценки производительности коммуникационных протоколов для каналов с помехами Рік: 2016 257. Талипов Нияз Хатимович. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xТе радиационно-термическими воздействиями Рік: 2016 258. Талипов Нияз Хатимович. Коммуникативные стратегии и тактики в медиажанре литературной рецензии (на материале «Литературной газеты») Рік: 2016 259. Талипов Нияз Хатимович. Особенности морфологии легких и интраорганных кровеносных сосудов у ягнят Рік: 2016 260. Трифонов Артур Валерьевич. Когерентная и некогерентная динамика экситонов в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами Рік: 2016 261. Усенко Андрей Александрович. Исследование наноструктурных термоэлектрических материалов на основе твёрдых растворов кремний германия n- и p-типа Рік: 2016 262. Усов Сергей Олегович. Гетероструктуры для светодиодов видимого диапазона и транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе квантоворазмерных слоев InGaN, InAlN и короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN Рік: 2016 263. Фролов Дмитрий Сергеевич. Диагностика полупроводниковых структур методом электрохимического вольт-фарадного профилирования Рік: 2016 264. Шамирзаев Владимир Тимурович. Мощные ультрафиолетовые светоизлучающие диоды: характеристики и использование для контроля загрязнения воды Рік: 2016 265. Шульга Наталья Юрьевна. Перспективные композиционные материалы на основе углеродных наноструктур для суперконденсаторов Рік: 2016 266. Югова Ирина Анатольевна. Динамика спиновой когерентности в полупроводниковых наноструктурах Рік: 2016 267. Яковлев Алексей Андреевич. Структура и свойства поверхностных реконструкций Si(111)33-Bi и Si(111)33-Au, модифицированных атомами металлов Рік: 2016 268. Стеблова Ольга Вікторівна. ЕЛЕКТРОННИЙ ТРАНСПОРТ ТА ЕЛЕКТРОННА ПОЛЬОВА ЕМІСІЯ З НАНОКОМПОЗИТНИХ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУР Рік: 2016 269. Али Рафик Мохамед Кассим. Фотостимулированные процессы в кристаллах CdS1-xSex, легированных рубидием Рік: 2015 270. Васильева Галина Юрьевна. Особенности магнетосопротивления и терагерцовой фотопроводимости в графене Рік: 2015 271. ГУДЗЕВ ВАЛЕРИЙ ВЛАДИМИРОВИЧ. Исследование глубоких энергетических уровней в барьерных структурах на основе кристаллического и аморфного гидрогенизированного кремния Рік: 2015 272. Гавриленко Андрей Николаевич. Получение и физические свойства полупроводниковых соединений системы Cu-Fe-S Рік: 2015 273. Гронин Сергей Вячеславович. Низкопороговые лазерные гетероструктуры зеленого и желтого спектрального диапазона на основе квантовых точек CdSe/Zn(Cd)Se, выращенные на арсениде галлия методом молекулярно-пучковой эпитаксии Рік: 2015 274. Дроздов Константин Андреевич. Оптические и фотоэлектрические свойства композитных структур на основе пористой матрицы SnO2 и гетероэпитаксиальных нанокристаллов CdSe/CdS Рік: 2015 275. Зайнуллин Радик Рустэмович. Эффекты структурной неустойчивости узкощелевых полупроводников Pb1-xMexS и Pb1-xMexTe (Me – Mn, Gd) с неоднородным распределением марганца и гадолиния Рік: 2015 276. Илларионов Юрий Юрьевич. Туннельный транспорт носителей и связанные с ним физические явления в структурах золото – фторид кальция – кремний (111) Рік: 2015 277. Канахин Алексей Алексеевич. Применение модели антипересекающихся зон в случае высокого легирования кислородом CdS Рік: 2015 278. Клочков Алексей Николаевич. Электронный спектр в модулированно-легированных гетероструктурах InGaAs/InAlAs на подложках GaAs и InP Рік: 2015 279. Котов Геннадий Иванович. Электронные и фотоэлектрические явления в гетероструктурах типа aiii2 bvi3/aiii bv с барьером шоттки Рік: 2015 280. Ловыгин Михаил Вячеславович. Влияние подложки на структуру металлических и полупроводниковых слоев в гетерокомпозициях на основе A3B5 по данным электронной микроскопии Рік: 2015 281. Лямкина Анна Алексеевна. Структуры металлический кластер - квантовая точка, выращенные нанокапельной молекулярно-лучевой эпитаксией Рік: 2015 282. Малыш Виталий Александрович. Высокочастотный транспорт в квантово-размерных системах на основе германия и кремния. Бесконтактные методы исследования Рік: 2015 283. Минтаиров Сергей Александрович. Многопереходные гетероструктурные фотопреобразователи на основе материалов A3B5 и германия, полученные методом мос-гидридной эпитаксии Рік: 2015 284. Обухов Сергей Владимирович. Ab initio теория электрон-фононных процессов в полупроводниковых кристаллах Рік: 2015 285. Папроцкий Станислав Константинович. Транспортные явления в объёмном Ge и наноструктурах на основе Si, GaAs и InAs, перспективных для генерации ТГц излучения Рік: 2015 286. Рыльков Владимир Васильевич. Электронный транспорт
в si структурах с малой компенсацией
при эффекте поля в примесной зоне и монополярном фотовозбуждении Рік: 2015 287. Самосват Дмитрий Михайлович. Безызлучательные переходы и перенос энергии в полупроводниковых квантовых точках Рік: 2015 288. Сергеев Владимир Олегович. Электронные явления в полупроводниковых наноструктурированных материалах, насыщенных водородом Рік: 2015 289. Тучин Андрей Витальевич. Размерная модуляция электронной структуры и эффекты сильного электрического поля в ультракоротких углеродных нанотрубках Рік: 2015 290. Тысченко Ида Евгеньевна. Физические процессы при ионно-лучевом синтезе структур на основе кремния Рік: 2015 291. Хенкин Марк Вадимович. Электрические , фотоэлектрические и оптические свойства двухфазных пленок гидрогенизированного кремния Рік: 2015 292. Цуриков Давыд Евгеньевич. Моделирование квантового электронного транспорта в разветвлённых полупроводниковых структурах с пониженной размерностью Рік: 2015 293. Шмаргунов Антон Владимирович. Нелинейная зависимость высоты барьера от смещения и природа аномалий характеристик контактов с барьером Шоттки Рік: 2015 294. Біланич Ростислав Михайлович. Ангармонізм динаміки ґратки та особливості дипольного впорядкування в халькогенідних кристалах Рік: 2015 295. Вакульчак Василь Васильович. Електронна структура дихалькогенідів кремнію і германію та суперіоніків M2Si(Ge)S3 (M=Li,Na,Ag) Рік: 2015 296. Курчак Анатолій Іванович. Електронні характеристики шаруватих вуглецевих структур на діелектричній та сегнетоелектричній підкладках Рік: 2015 297. Лис Роман Мирославович. Радіаційно- та деформаційно-стимульовані зміни властивостей приповерхневого шару кристалів p-Si Рік: 2015 298. Максимчук Павло Олегович. Формування люмінесцентних центрів у нанокристалах CeO2-x Рік: 2015 299. Федоров Володимир Володимирович. Спектральні властивості одновимірних фотонних кристалів з трьома півхвильовими резонаторами Рік: 2015 300. Шевчик Віталій Васильович. Вплив впровадження кобальту і водню на властивості шаруватих кристалів InSe та GaSe Рік: 2015 |