|
Загалом робіт:2214
951. Жуков Алексей Евгеньевич. Инжекционные лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек
Рік: 2002 952. Закамов Вячеслав Робинович. Исследование свойств тонких пленок фталоцианинов и методов их модифицирования для газовых сенсоров
Рік: 2002 953. Ильин Павел Александрович. Экспериментальное исследование и математическое моделирование кинетики образования и разрушения кластеров лития в германии
Рік: 2002 954. Ишимов Виктор Михайлович. Получение и исследование пленок твердых растворов халькогенидных стеклообразных полупроводников (As2 S3)x . (As2 Se3 )1-x на рулонной основе для оптоэлектронных устройств записи информации
Рік: 2002 955. Казанцева Инга Александровна. Получение и свойства ультратонких пленок аморфного кремния и многослойных периодических наноструктур на их основе
Рік: 2002 956. Комаров Евгений Павлович. Исследование электрических и емкостных свойств слоев пористого кремния различной морфологии и пористости
Рік: 2002 957. Корнилович Александр Антонович. Разработка неразрушающих методов исследования полупроводников и низкоразмерных полупроводниковых структур
Рік: 2002 958. Костко Ирина Андреевна. Статические, динамические и пороговые характеристики быстродействующих гетеролазеров
Рік: 2002 959. Котельников Евгений Юрьевич. Физические принципы увеличения мощности излучения инжекционных лазеров
Рік: 2002 960. Криворотов Николай Павлович. Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе аресенида галлия
Рік: 2002 961. Кузьменко Роман Валентинович. Фотомодуляционная спектроскопия полупроводниковых структур на A iiiB v
Рік: 2002 962. Кузьмин Виталий Вячеславович. Генерационно-рекомбинационные процессы в кремниевых лавинных диодах
Рік: 2002 963. Куницын Александр Евгеньевич. Оптические исследования точечных дефектов в ионно-имплантированном GaAs и GaAs, полученном низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксией
Рік: 2002 964. Максимов Кирилл Сергеевич. Автокаталитический механизм спонтанной композиционной модуляции при эпитаксиальном росте трехкомпонентных соединений A III B V
Рік: 2002 965. Марков Кирилл Александрович. Стимулирование синтеза диэлектрических слоев в кремнии дальнодействующим ионным облучением
Рік: 2002 966. Маслов Александр Юрьевич. Оптические свойства полупроводниковых структур с неоднородным распределением электронной плотности
Рік: 2002 967. Митаров Ризван Гаджимирзаевич. Теплофизические свойства халькогенидов редкоземельных элементов переменного состава
Рік: 2002 968. Михрин Сергей Сергеевич. Инжекционные лазеры с квантовыми точками, работающие в непрерывном режиме : Выращивание методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств
Рік: 2002 969. Морозов Сергей Вячеславович. Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками GaAs/InAs
Рік: 2002 970. Мурашова Алена Владимировна. Исследование процессов эпитаксиального роста четверных твердых растворов InGaAsP в области несмешиваемости
Рік: 2002 971. Павлюченко Максим Николаевич. Анализ самоорганизованных наноразмерных структур в имплантированном кремнии
Рік: 2002 972. Пирюшов Виталий Анатольевич. Электрические и фотоэлектрические характеристики и свойства кремниевых МДП-структур с диэлектрическими слоями из оксидов иттрия, гадолиния и европия
Рік: 2002 973. Писаревский Мстислав Сергеевич. Влияние процессов фазообразования на фотоэлектрические свойства поликристаллических пленок селенида свинца
Рік: 2002 974. Полупанов Александр Федорович. Дырочные состояния в кубических полупроводниках и в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах
Рік: 2002 975. Прыкина Елена Николаевна. Фононные спектры композиционных сверхрешеток на основе полупроводников A3 B5 , A2 B6 и их твёрдых растворов
Рік: 2002 976. Садофьев Сергей Юрьевич. Особенности формирования самоорганизующихся наноостровков при эпитаксии германия на профилированные кремниевые подложки в условиях электропереноса
Рік: 2002 977. Садыков Марат Фердинантович. Электрические, магнитооптические и магнитоакустические эффекты в магнитном полупроводнике -Fe2 O3
Рік: 2002 978. Светлова Наталья Юрьевна. Влияние германия на кинетику образования низкотемпературных термодоноров и на начальные стадии процесса распада пересыщенного твердого раствора кислорода в кремнии
Рік: 2002 979. Синис Валерий Павлович. Стимулированное дальнее ИК-излучение в одноосно деформированном p-Ge и напряженных гетероструктурах SiGe/Si
Рік: 2002 980. Соловьев Александр Александрович. Динамика дефектной структуры и акустическая эмиссия в кремнии при электрических и механических возмущениях
Рік: 2002 981. Тарасов Илья Сергеевич. Гетероструктуры в системе твердых растворов InGaAsP и лазеры на их основе
Рік: 2002 982. Тиллес Ванда Феликсовна. Исследование влияния рентгеновского облучения на релаксационные и переключательные процессы в перовскитоподобных сегнетоэлектриках
Рік: 2002 983. Фещенко Игорь Сергеевич. Фотоэлектрические свойства и фотоструктурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках твердых растворов (As2 S3)x . (As2 Se3)1-x , легированных металлами.
Рік: 2002 984. Фридман Татьяна Петровна. Свойства гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si, полученных химическим газотранспортным методом, и тензопреобразователи на их основе
Рік: 2002 985. Черкашин Николай Анатольевич. Электронно-микроскопические исследования влияния температурных режимов роста на микроструктуру и морфологию квантовых точек в системе InAs-(Al)GaAs
Рік: 2002 986. Шалыгина Ольга Александровна. Оптические свойства квантовых нитей CdSe/Al2 O3 и квантовых точек CdSe/ZnSe
Рік: 2002 987. Шляпин Александр Владимирович. Исследование влияния объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка, легированного марганцем
Рік: 2002 988. Щербаков Алексей Валерьевич. Люминесцентное детектирование неравновесных фононов в полумагнитных квантовых ямах
Рік: 2002 989. Абрамов Алексей Станиславович. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе
Рік: 2001 990. Благов Евгений Владимирович. Аддитивная теория силового взаимодействия в атомно-силовой микроскопии и ее приложения в диагностике поверхностных микроструктур
Рік: 2001 991. Боженов Александр Вячеславович. Механизм и условия формирования скрытых слоев монокристаллической фазы дисилицида кобальта в кремнии в процессе ионно-лучевого синтеза
Рік: 2001 992. Варавин Василий Семенович. Точечные дефекты и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных структур Cd x Hg1-x Te, выращенных методами парофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии
Рік: 2001 993. Воробьёв Александр Борисович. Морфология гетерограниц и транспорт дырок в сверхрешетках GaAs/AlAs(311)А
Рік: 2001 994. Воронцов Владимир Анатольевич. Структурная модификация свойств аморфного гидрогенизированного углерода
Рік: 2001 995. Галкин Николай Геннадьевич. Полупроводниковые силициды хрома, железа и магния на Si(111)
Рік: 2001 996. Гордо Наталья Михайловна. Фотоэлектрические процессы в объемных каналах полупроводниковых структур
Рік: 2001 997. Гумаров Габдрауф Габдрашитович. Ионно-лучевой синтез силицидов металлов подгруппы железа в кремнии
Рік: 2001 998. Джабраилов Тайяр Акбер оглы. Влияние преципитации и изоэлектронной ионной имплантации на дефектообразование в монокристаллическом кремнии
Рік: 2001 999. Жаринова Наталья Николаевна. Исследование явлений самоорганизации при эпитаксии гетероструктур
Рік: 2001 1000. Жмерик Валентин Николаевич. Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота : Применение для p-легирования ZnSe и роста GaN
Рік: 2001 |
