Фізика напівпровідників


Загалом робіт:2073



1401. Сулимов, Владимир Борисович. Точечные дефекты в диоксиде кремния, исследование с помощью численного моделирования
Рік: 1997

1402. Супрун, Сергей Петрович. Особенности формирования гетерограниц в системах Ge-ZnSe-GaAs и Pt-Si
Рік: 1997

1403. Таперо, Татьяна Юрьевна. Радиационные эффекты в активных областях кремниевых фотоприемных структур
Рік: 1997

1404. Тер-Мартиросян, Александр Леонович. Исследование излучательных характеристик мощных полупроводниковых лазеров, лазерных линеек и фазированных лазерных решеток
Рік: 1997

1405. Третьяков, Владимир Владимирович. Рентгеноспектральный микроанализ пленочных ВТСП материалов на основе Y-Ba-Cu-O
Рік: 1997

1406. Трифаненко, Дмитрий Николаевич. Эффект Фарадея в полумагнитных полупроводниках типа AII1-xMxBVI
Рік: 1997

1407. Трусова, Алла Юрьевна. Электрофизические свойства кремниевых МПД-структур с оксидом самария и иттербия в качестве диэлектрика
Рік: 1997

1408. Тяжлов, Виталий Семенович. Особенности нелинейного поведения арсенидгаллиевого полевого транзистора с барьером Шотки, работающего в режиме усиления
Рік: 1997

1409. Уваров, Евгений Иванович. Разработка неразрушающих автоматизированных методов исследования полупроводников и полупроводниковых структур
Рік: 1997

1410. Филатов, Дмитрий Олегович. Диагностика квантоворазмерных гетероструктур GaAs/InхGa1-xAs методом спектроскопии конденсаторной фотоэдс
Рік: 1997

1411. Филипп, Андрей Романович. Катодолюминесйенйия алмаза, имплантированного ионами высоких энергий
Рік: 1997

1412. Хвальковский, Николай Аркадьевич. Медленная релаксация примесного возбуждения в легированных полупроводниках
Рік: 1997

1413. Хохлов, Дмитрий Александрович. Модификация структуры и свойств аморфного кремния при ионной имплантации и отжиге
Рік: 1997

1414. Храпко, Ростислав Радиевич. Формирование заготовок волоконных световодов методом легирования кварцевого стекла азотом, изучение их свойств
Рік: 1997

1415. Шаварова, Ганна Петровна. Влияние дефектов структуры на электрические и оптические свойства монокристаллов CdS и AgхGaхGe1-хSe2
Рік: 1997

1416. Шадрин, Евгений Борисович. Оптика фазовых превращений и электретных состояний в оксидах переходных металлов
Рік: 1997

1417. Шалимова, Маргарита Борисовна. Эффект переключения проводимости с памятью и фотоэлектрические явления в слоистых структурах на основе пленочных фторидов РЗЭ
Рік: 1997

1418. Шарафутдинова, Влада Владиславовна. Влияние факторов космического пространства на накопление собственных дефектов в оксиде цинка и терморегулирующих покрытиях на его основе
Рік: 1997

1419. Шемонаев, Николай Викторович. Релаксационные процессы в электретных пленках политетрафторэтилена и стабилизация параметров приборов на их основе
Рік: 1997

1420. Шлыков, Юрий Геннадьевич. Образование структур дефектов на поверхности полупроводников под действием мощного лазерного излучения
Рік: 1997

1421. Шостак, Юрий Антонович. Диэлектрические свойства соединений А2В6 с переходными материалами
Рік: 1997

1422. Шох, Владимир Федорович. Электрофизические и рекомбинационные свойства трансмутационно легированных монокристаллов и эпитаксиальных слоев арсенида галлия
Рік: 1997

1423. Щедрина, Наталия Васильевна. Теория корреляционных эффектов при фазовых переходах в твердых телах
Рік: 1997

1424. Щербакова, Елена Владимировна. Некоторые аспекты влияния нейтронного облучения на диэлектрические и оптические свойства керамических материалов в видимой, УФ и ИК - областях
Рік: 1997

1425. Абдель Монем, Абдель Вахаб Ибрагим. Влияние термообработок и гамма облучения на свойства поликристаллических пленок CdGa2S4
Рік: 1996

1426. Абрамян, Юрий Арсенович. Электрофизические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых материалов и приборов на основе легированного кремния и соединений А4В6
Рік: 1996

1427. Алексеев, Александр Евгеньевич. Структурные свойства поверхностного нарушенного слоя монокристаллов кремния
Рік: 1996

1428. Алексеенко, Маргарита Васильевна. Кинетика нейтронного легирования германия и его электрофизические свойства
Рік: 1996

1429. Амброзевич, Александр Сергеевич. Дефектообразование в фосфидогаллиевых светодиодных структурах зеленого свечения при воздействии внешних факторов
Рік: 1996

1430. Андриевский, Богдан Викторович. Оптико-электронные спектры кристаллов с фазовыми переходами в областях прозрачности и фундаментального поглощения
Рік: 1996

1431. Базиевна, Наталья Ерахцаовна. Синтез аморфного гидрогенизированного углерода, легированного медью
Рік: 1996

1432. Барышев, Михаил Геннадьевич. Размерные эффекты в слоистых полупроводниковых структурах с распределенным р +-n-переходом
Рік: 1996

1433. Березовский, Михаил Михайлович. Влияние изовалентной примеси кадмия на физические свойства кристаллов селенида цинка
Рік: 1996

1434. Бокотей, Александр Александрович. Явления переноса и динамика решетки при фазовых переходах в сегнетоэлектриках-полупроводниках типа Sn2P2S6
Рік: 1996

1435. Болеста, Иван Михайлович. Электронная структура и оптические спектры примесей в галогенидах типа А2ВХ4 и ВХ2.
Рік: 1996

1436. Болотов, Валерий Викторович. Радиационная модификация структур на основе кремния и германия
Рік: 1996

1437. Болотов, Леонид Николаевич. Сканирующая туннельная микроскопия и спектроскопия поверхностей (III) невырожденного кремния
Рік: 1996

1438. Ван Вэньли. Прыжковый перенос по примесям в квантовых ямах
Рік: 1996

1439. Ванина, Елена Александровна. Изучение радиационных изменений в керамических диэлектриках методом ИК-спектроскопии
Рік: 1996

1440. Векслер, Михаил Исаакович. Исследование физических эффектов, связанных с инжекцией горячих электронов в кремниевых МДП-структурах с туннельно-тонким диэлектриком
Рік: 1996

1441. Величко, Олег Иванович. Моделирование процессов совместной диффузии примесных атомов и собственных точечных дефектов в полупроводниковых кристаллах
Рік: 1996

1442. Войцеховская, Оксана Николаевна. Теория спектра квазичастиц, взаимодействующих с фононами в многозонных системах разной размерности
Рік: 1996

1443. Вьюн, Владимир Алексеевич. Нелинейные акустоэлектронные явления в слоистых структурах пьезоэлектрик-полупроводник
Рік: 1996

1444. Гаджиалиев, Магомед Магомедович. Экспериментальное исследование явлений переноса в полупроводниках в квантующем магнитном поле и при большом градиенте температуры
Рік: 1996

1445. Гаджиева, Солтанат Магомедовна. Исследование полупроводниковых термоэлектрических интенсификаторов теплопередачи и разработка устройств для термостабилизации радиоэлектронных систем
Рік: 1996

1446. Гайслер, Владимир Анатольевич. Спектроскопия комбинационного рассеяния света слоистых полупроводниковых структур
Рік: 1996

1447. Гельбух, Сергей Сергеевич. Исследование процессов роста субмикронных слоев наповерхности монокристаллов ниобия и кремния методом оже-электронной спектроскопии
Рік: 1996

1448. Голант, Константин Михайлович. Волоконные световоды с малыми потерями, сформированные плазмохимическимосаждением кварцевого стекла в СВЧ-разрядах
Рік: 1996

1449. Грудзинский, Аркадий Сергеевич. Парамагнетизм, структура и закономерности образования примесных дефектов в кристаллах слоистых галогенидов
Рік: 1996

1450. Груцо, Сергей Алексеевич. Выращивание монокристаллов и исследование оптических свойств тройного полупроводникового соединения CuAlSe2
Рік: 1996



ПОШУК ГОТОВОЇ ДИСЕРТАЦІЙНОЇ РОБОТИ АБО СТАТТІ


Доставка любой диссертации из России и Украины


ОСТАННІ СТАТТІ ТА АВТОРЕФЕРАТИ

ГБУР ЛЮСЯ ВОЛОДИМИРІВНА АДМІНІСТРАТИВНА ВІДПОВІДАЛЬНІСТЬ ЗА ПРАВОПОРУШЕННЯ У СФЕРІ ВИКОРИСТАННЯ ТА ОХОРОНИ ВОДНИХ РЕСУРСІВ УКРАЇНИ
МИШУНЕНКОВА ОЛЬГА ВЛАДИМИРОВНА Взаимосвязь теоретической и практической подготовки бакалавров по направлению «Туризм и рекреация» в Республике Польша»
Ржевский Валентин Сергеевич Комплексное применение низкочастотного переменного электростатического поля и широкополосной электромагнитной терапии в реабилитации больных с гнойно-воспалительными заболеваниями челюстно-лицевой области
Орехов Генрих Васильевич НАУЧНОЕ ОБОСНОВАНИЕ И ТЕХНИЧЕСКОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ЭФФЕКТА ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ КОАКСИАЛЬНЫХ ЦИРКУЛЯЦИОННЫХ ТЕЧЕНИЙ
СОЛЯНИК Анатолий Иванович МЕТОДОЛОГИЯ И ПРИНЦИПЫ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССАМИ САНАТОРНО-КУРОРТНОЙ РЕАБИЛИТАЦИИ НА ОСНОВЕ СИСТЕМЫ МЕНЕДЖМЕНТА КАЧЕСТВА