|
Загалом робіт:1888
401. Жевнеров, Евгений Владимирович. Исследование микродефектов в монокристаллах арсенида галлия, легированного кремнием
Рік: 2011 402. Иман Абдель-Монем Эль-Сайед Махди. Получение и исследование электрофизических свойств объемных и пленочных материалов в тройной системе Co-Ge-Te
Рік: 2011 403. Калюжный, Николай Александрович. Многопереходные солнечные элементы, содержащие субэлемент на основе германия
Рік: 2011 404. Кашерининов, Петр Георгиевич. Оптические регистрирующие среды на основе полупроводниковых M(TI)S-структур с туннельно-тонким диэлектриком (TI)
Рік: 2011 405. Кириенко, Виктор Владимирович. Эффект поля, зарядовые состояния и ИК фотопроводимость в гетероструктурах на основе Si с квантовыми точками Ge
Рік: 2011 406. Ковш, Алексей Русланович. Динамические, шумовые и спектральные характеристики лазеров на квантовых точках
Рік: 2011 407. Козлов, Дмитрий Андреевич. Электронный транспорт в наноструктурах с резкими потенциальными границами на основе гетероперехода AlGaAs/GaAs
Рік: 2011 408. Комиссаров, Андрей Леонидович. Исследование электрофизических свойств фоторезисторов на основе PbS
Рік: 2011 409. Комиссарова, Татьяна Александровна. Электрофизические свойства нитрида индия и твердых растворов на его основе
Рік: 2011 410. Кучерова, Ольга Владимировна. Спектроскопия адмиттанса полупроводниковых гетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN
Рік: 2011 411. Левчук, Сергей Александрович. Свойства осаждённых из лазерной плазмы разбавленных магнитных полупроводников на основе GaSb, Si и Ge, легированных Mn или Fe
Рік: 2011 412. Мамутин, Владимир Васильевич. Разработка физических основ молекулярно-пучковой эпитаксии для создания полупроводниковых наноструктур и ВТСП соединений
Рік: 2011 413. Махиборода, Максим Александрович. Исследование тепловых процессов при автоэлектронной эмиссии из кремниевого острийного катода
Рік: 2011 414. Мизеров, Андрей Михайлович. Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота слоев и гетероструктур в системе (Al,Ga)N с высоким содержанием Al для ультрафиолетовой оптоэлектроники
Рік: 2011 415. Надточий, Алексей Михайлович. Динамические характеристики новых типов поверхностно-излучающих лазеров с вертикальным микрорезонатором
Рік: 2011 416. Никитина, Лариса Николаевна. Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n
Рік: 2011 417. Номери Мохамед Абасс Хадия. Получение и исследование оптических свойств нитевидных полупроводниковых оксидов SnO2 и In2O3
Рік: 2011 418. Павлюченко, Алексей Сергеевич. Исследование процессов генерации и вывода света в светодиодах на основе гетероструктур AllnGaN
Рік: 2011 419. Паюсов, Алексей Сергеевич. Инжекционные полупроводниковые лазеры со спектрально-селективными потерями и спектрально-зависимым фактором оптического ограничения
Рік: 2011 420. Подольская, Наталья Игоревна. Исследование термодинамических свойств многокомпонентных соединений AIIIBV методом поля валентных сил
Рік: 2011 421. Пономарев, Иван Викторович. Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия
Рік: 2011 422. Пчелинцева, Екатерина Сергеевна. Моделирование и исследование бетавольтаического эффекта на кремниевых PIN структурах
Рік: 2011 423. Речкунов, Сергей Николаевич. Захват свободных носителей заряда на глубокие уровни в слоях объёмного заряда арсенида галлия
Рік: 2011 424. Рыбин, Николай Борисович. Исследование полупроводниковых наногетероструктур методами токовой релаксационной спектроскопии, атомно-силовой микроскопии и спектроскопии НЧ-шумов
Рік: 2011 425. Рябцев, Станислав Викторович. Электрофизические и оптические свойства различных наноформ оксида олова
Рік: 2011 426. Саблин, Виктор Александрович. Разработка физических основ исследования моноатомного слоя поверхности полупроводников ионами низких и гипертермальных энергий
Рік: 2011 427. Сачков, Виктор Анатольевич. Исследование динамики решетки низкоразмерных реальных структур на основе GaAs/ALAs методом численного эксперимента
Рік: 2011 428. Серебренникова, Ольга Юрьевна. Создание и исследование оптоэлектронных приборов в средней инфракрасной области спектра на основе узкозонных гетероструктур A3B5
Рік: 2011 429. Сидоров, Георгий Юрьевич. Исследование процессов образования, активации и аннигиляции электрически активных точечных дефектов в CdxHg1-xTe
Рік: 2011 430. Сошников, Александр Игоревич. Методы измерения электрических свойств наноструктур с помощью полупроводникового алмазного зонда
Рік: 2011 431. Тимошнев, Сергей Николаевич. Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя
Рік: 2011 432. Усикова, Анна Александровна. Формирование и оптические свойства наноструктур на основе IN-содержащих полупроводниковых соединений А3-В5 с выводящими излучение брэгговскими элементами
Рік: 2011 433. Феклистов, Константин Викторович. Преципитация бора в кремнии при имплантации и отжиге : расслоение на стадии Оствальдовского созревания
Рік: 2011 434. Цюк, Александр Игоревич. Исследование пленок нитрида галлия, выращенных методом хлоридгидридной газофазной эпитаксии
Рік: 2011 435. Чэнь Сяосин. Локализованные состояния и флуктуации в графене
Рік: 2011 436. Шабунина, Евгения Игоревна. Низкочастотный шум в светодиодах на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур
Рік: 2011 437. Шахмин, Алексей Александрович. Катодолюминесцентные методы исследования лазерных гетероструктур на основе ZnSe
Рік: 2011 438. Якушев, Максим Витальевич. Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si
Рік: 2011 439. Аньчков, Денис Геннадьевич. Влияние адсорбции молекул газа на поверхностную электронную проводимость оксидных полупроводников
Рік: 2010 440. Ахкубеков, Александр Эдуардович. Метод Laplace-DLTS с выбором параметра регуляризации по L-кривой
Рік: 2010 441. Бондаренко, Евгений Владимирович. Моделирование низкоинтенсивного радиационного воздействия на зарядовые свойства кремниевых МОП-структур
Рік: 2010 442. Бормонтов, Александр Евгеньевич. Спектроскопия глубоких уровней в полупроводниковых структурах
Рік: 2010 443. Гагис, Галина Сергеевна. Новые полупроводниковые материалы на основе соединений A3B5 для оптоэлектронных устройств на длины волн 3 - 5 мкм
Рік: 2010 444. Демидова Наталия Евгеньевна. Транспорт тока, ЭПР и фотолюминесценция в пористом кремнии
Рік: 2010 445. Дзядух, Станислав Михайлович. Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками
Рік: 2010 446. Добровольский Александр Александрович. Электронный транспорт и фотопроводимость в нанокристаллических пленках PbTe(In)
Рік: 2010 447. Дусь, Андрей Игоревич. Моделирование многостадийного термического окисления кремния и образования фиксированного заряда
Рік: 2010 448. Журавлев, Андрей Григорьевич. Электронные состояния на поверхности GaAs с адсорбированными слоями цезия и сурьмы
Рік: 2010 449. Исламов, Дамир Ревинирович. Магнитотранспорт в GaAs/AlAs гетероструктурах в присутствии микроволнового излучения
Рік: 2010 450. Истомин, Леонид Анатольевич. Фотоэлектрические явления и эффект поля в квантово-размерных гетеронаноструктурах In(Ga)As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
Рік: 2010 |
