|
Загалом робіт:2073
501. Шахмин, Алексей Александрович. Катодолюминесцентные методы исследования лазерных гетероструктур на основе ZnSe
Рік: 2011 502. Якушев, Максим Витальевич. Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si
Рік: 2011 503. Аньчков, Денис Геннадьевич. Влияние адсорбции молекул газа на поверхностную электронную проводимость оксидных полупроводников
Рік: 2010 504. Ахкубеков, Александр Эдуардович. Метод Laplace-DLTS с выбором параметра регуляризации по L-кривой
Рік: 2010 505. Бондаренко, Евгений Владимирович. Моделирование низкоинтенсивного радиационного воздействия на зарядовые свойства кремниевых МОП-структур
Рік: 2010 506. Бормонтов, Александр Евгеньевич. Спектроскопия глубоких уровней в полупроводниковых структурах
Рік: 2010 507. Гагис, Галина Сергеевна. Новые полупроводниковые материалы на основе соединений A3B5 для оптоэлектронных устройств на длины волн 3 - 5 мкм
Рік: 2010 508. Демидова Наталия Евгеньевна. Транспорт тока, ЭПР и фотолюминесценция в пористом кремнии
Рік: 2010 509. Дзядух, Станислав Михайлович. Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками
Рік: 2010 510. Добровольский Александр Александрович. Электронный транспорт и фотопроводимость в нанокристаллических пленках PbTe(In)
Рік: 2010 511. Дусь, Андрей Игоревич. Моделирование многостадийного термического окисления кремния и образования фиксированного заряда
Рік: 2010 512. Журавлев, Андрей Григорьевич. Электронные состояния на поверхности GaAs с адсорбированными слоями цезия и сурьмы
Рік: 2010 513. Исламов, Дамир Ревинирович. Магнитотранспорт в GaAs/AlAs гетероструктурах в присутствии микроволнового излучения
Рік: 2010 514. Истомин, Леонид Анатольевич. Фотоэлектрические явления и эффект поля в квантово-размерных гетеронаноструктурах In(Ga)As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
Рік: 2010 515. Карташова Анна Петровна. Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала
Рік: 2010 516. Колесникова Екатерина Владимировна. Формирование нанокластеров кремния в диоксиде кремния под воздействием электронного пучка
Рік: 2010 517. Ле Ван Ван. Влияние оптического излучения на свойства газовых сенсоров на основе нанокристаллических пленок оксида олова
Рік: 2010 518. Лубов, Максим Николаевич. Компьютерное моделирование роста наноструктур: нанокластеров и нанокристаллов
Рік: 2010 519. Манцевич Владимир Николаевич. Особенности локальной проводимости и спектральной плотности туннельного тока в полупроводниковых наноструктурах при наличии примесных состояний
Рік: 2010 520. Марков Игорь Александрович. Диагностика фазовых превращений в приповерхностных слоях арсенида галия с помощью поверхностных акустических волн
Рік: 2010 521. Маслова Наталья Евгеньевна. Структурные и оптические свойства нанокластеров кремния в матрице субоксида кремния
Рік: 2010 522. Матвеев, Борис Анатольевич. Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на его основе
Рік: 2010 523. Милованова, Оксана Александровна. Влияние состава и толщин слоев на электрофизические свойства квантово-размерных структур на основе ZnCdS/ZnSSe, ZnSSe/ZnMgSSe
Рік: 2010 524. Можаев, Алексей Владиславович. Динамическая модель процессов формирования трехмерных кластеров в кремнии
Рік: 2010 525. Настовьяк, Алла Георгиевна. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование)
Рік: 2010 526. Николаев Данил Валериевич. Электрофизические свойства структур кремний-на-изоляторе, изготовленных методом сращивания и водородного расслоения
Рік: 2010 527. Новиков, Вадим Александрович. Исследование морфологии и электронных свойств поверхности пленок AIIIBV и контактов металла/AIIIBV методом атомно-силовой микроскопии
Рік: 2010 528. Петров, Дмитрий Викторович. Исследования волн пространственного заряда в магнитном поле в высокоомных полупроводниках
Рік: 2010 529. Поддубный, Александр Никитич. Теория резонансных фотонных кристаллов и квазикристаллов
Рік: 2010 530. Салихов, Хафиз Миргазямович. Электрические и фотоэлектрические явления в гетероструктурах и диодах Шоттки на основе полупроводников A3B5 и кремния и их применение в сенсорах водорода
Рік: 2010 531. Саркисов Сергей Юрьевич. Электронные, оптические и механические свойства кристаллов Ga1-x(Inx, Alx)Se, GaSe1-x(Sx, Tex) нелинейной оптики терагерцового диапазона
Рік: 2010 532. Сидоров Евгений Николаевич. Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs:Te в условиях коррелированного распределения примеси
Рік: 2010 533. Сидоров, Игорь Викторович. Исследование электрофизических свойств двухкомпонентной слоистой структуры, состоящей из жидких органических веществ
Рік: 2010 534. Сизов Виктор Сергеевич. Особенности формирования InGaN/(In,Al)GaN активной области для светоизлучающих приборов
Рік: 2010 535. Смирнов Евгений Валерьевич. Метод обработки результатов измерений температуры в процессах высокотемпературного синтеза
Рік: 2010 536. Соколовский, Григорий Семенович. Насыщение усиления и нелинейные эффекты в полупроводниковых лазерах с периодическими оптическими неоднородностями
Рік: 2010 537. Софронов Антон Николаевич. Оптические явления, связанные с локализованными и резонансными состояниями в полупроводниковых структурах
Рік: 2010 538. Тхумронгсилапа Папхави. Люминесценция и поглощение излучения среднего ИК диапазона в наноструктурах с квантовыми ямами в условиях разогрева носителей заряда
Рік: 2010 539. Фомин, Дмитрий Владимирович. Формирование и полупроводниковые свойства тонких слоев на основе Fe и Ca2Si на Si(111)
Рік: 2010 540. Чербунин Роман Викторович. Долгоживущая спиновая поляризация в наноструктурах с квантовыми ямами и квантовыми точками
Рік: 2010 541. Чубенко, Дмитрий Николаевич. Взаимодействие атомов Ge с поверхностными реконструкциями в системе Me/Si(111)
Рік: 2010 542. шаренкова наталия викторовна. Влияние структурных особенностей на физические свойства редкоземельных полупроводников на основе сульфида самария
Рік: 2010 543. Авачева Татьяна Геннадиевна. Исследование самоорганизации структуры поверхности неупорядоченных полупроводниковых материалов
Рік: 2009 544. Алексеев Павел Сергеевич. Туннельные и магнитные спин-зависимые эффекты в кубических полупроводниках без центра инверсии
Рік: 2009 545. Алешин Андрей Николаевич. Транспорт носителей заряда в проводящих полимерах вблизи перехода металл-диэлектрик
Рік: 2009 546. Антонова Ирина Вениаминовна. Локализованные состояния в гетеросистемах на основе кремния, сформированные в деформационных полях
Рік: 2009 547. Афанасьев Александр Михайлович. Генерационные процессы в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка, легированного марганцем
Рік: 2009 548. Барыгин Илья Алексеевич. Применение модели U-минус-центров к объяснению транспортных свойств нормальной фазы халькогенидных стеклообразных полупроводников и высокотемпературных сверхпроводников
Рік: 2009 549. Белогорохов Иван Александрович. Оптические и электрические свойства полупроводниковых структур на основе молекулярных комплексов фталоцианинов, содержащих ионы лантанидов в качестве комплексообразователя
Рік: 2009 550. Васев Андрей Васильевич. Реконструкции поверхности GaAs(001) и их влияние на морфологию слоёв при МЛЭ и вакуумном отжиге
Рік: 2009 |
