|
Загалом робіт:2073
1101. Тимофеев, Максим Владимирович. Емкостные и транспортные свойства квазидвумерных электронных слоев в субмикронных полевых транзисторах современной микроэлектроники
Рік: 2000 1102. Токранов, Вадим Ефимович. Молекулярно-лучевая эпитаксия низкоразмерных лазерных InGaAs/AlGaAs гетероструктур
Рік: 2000 1103. Трефилова, Лариса Николаевна. Роль примесных ионов СО3 в степени 2- в процессах создания центров свечения и центров окраски в кристаллах йодида цезия
Рік: 2000 1104. Умрихин, Владимир Васильевич. Влияние параметров центров захвата на фотоэлектрические свойства кристаллов типа силленита
Рік: 2000 1105. Ушаков, Дмитрий Владимирович. Электронные и оптические процессы в легированных сверхрешетках на основе GaAs
Рік: 2000 1106. Федив, Владимир Иванович. Магнитооптические эффекты в полумагнитных полупроводниках на основе теллурида ртути
Рік: 2000 1107. Филимонов, Сергей Николаевич. Компьютерное моделирование эволюцииповерхности и захвата примеси при кристаллизации из молекулярного пучка
Рік: 2000 1108. Фирсов, Дмитрий Анатольевич. Оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах, связанные с неравновесными свободными носителями заряда
Рік: 2000 1109. Чабан, Юрий Ярославович. Физические свойства кристаллов селенида цинка, легированных элементами I и V групп
Рік: 2000 1110. Чеканов, Валерий Александрович. Электрические и рекомбинационные свойства нейтронно-легированных твердых растворов Si1-x Ge x со стороны кремния
Рік: 2000 1111. Челядинский, Алексей Романович. Радиационные дефекты межузельного типа и их влияние на электрическую активацию и диффузию имплантированных примесей в кремний
Рік: 2000 1112. Черноуцан, Кирилл Алексеевич. Оптические свойства наноструктур полупроводник-диэлектрик
Рік: 2000 1113. Черный, Зиновий Павлович. Ионные процессы в радиационно загрязненных кристаллах галогенидов двувалентных металлов
Рік: 2000 1114. Шовак, Иван Иванович. Электрофизические и оптические свойства градиентных структур на основе стеклоподобного AsS
Рік: 2000 1115. Штанько, Виктор Федорович. Неравновесные процессы в диэлектриках и полупроводниках при импульсном электронном возбуждении
Рік: 2000 1116. Шумская, Елена Николаевна. Парамагнетизм дефектов решетки кремния, имплантированного высокоэнергетичными ионами Xe и Kr
Рік: 2000 1117. Эски, Тевфик. Влияние состояния поляризации света на оптические и фотогальванические эффекты в полупроводниках и в полупроводниковых структурах
Рік: 2000 1118. Якимова, Елена Владиленовна. Высокоэффективные Al-Ga-As солнечные фотопреобразователи, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии
Рік: 2000 1119. Яровой, Павел Николаевич. Люминисценция и преобразование энергии в минералах, керамиках, катализаторах при лазерном и рентгеновском возбуждении
Рік: 2000 1120. Ярычкин, Владимир Владимирович. Особенности формирования импульса замедленной радиолюминесценции в органических диэлектриках
Рік: 2000 1121. Механизмы токопереноса в поверхностно-допированных полупроводниковых газовых сенсорах Рябцев, Станислав Викторович
Рік: 2000 1122. Магнитоупругая динамика марганец - цинковых ферритов в области спиновой переориентации Баженов, Максим Владимирович
Рік: 2000 1123. Аванесян, Вачаган Тигранович. Поляризационные явления в естественно-неупорядоченных полупроводниках с одиночной электронной парой
Рік: 1999 1124. Ахмедова, Нодира Аминджановна. Разработка технологии получения и исследование свойств интегральных фотодилдных структура на основе AlxGa1-xP/GaP/GayIn1-yP
Рік: 1999 1125. Богатов, Николай Маркович. Влияние объемных неоднородностей на параметры полупроводниковых структур
Рік: 1999 1126. Велиев, Зохраб Ахмед оглы. Кинетические эффекты в дислоцированных полупроводниках
Рік: 1999 1127. Величко, Александр Андреевич. Разработка технологии оптоэлектронных ИС на гетероструктурах полупроводник - (Ca, Sr, Ba)F2 - полупроводник
Рік: 1999 1128. Грушко, Наталия Сергеевна. Генерационно-рекомбинационные процессы в неоднородных полупроводниковых структурах
Рік: 1999 1129. Задорожный, Филипп Михайлович. Рассеяние электромагнитной волны краевыми дислокациями в щелочногалоидных кристаллах
Рік: 1999 1130. Иванкив, Игорь Михайлович. Исследование двумеризации носителей заряда на поверхности полупроводников при комнатных температурах
Рік: 1999 1131. Кибис, Олег Васильевич. Взаимодействие носителей заряда с акустическими фононами в низкоразмерных полупроводниковых системах
Рік: 1999 1132. Коханенко, Андрей Павлович. Радиационная модификация свойств узкозонных полупроводников КРТ и структур на его основе для фотоприемников ИК диапазона
Рік: 1999 1133. Кучинский, Петр Васильевич. Радиационное дефектообразование в кремнии и структурах на его основе в зависимости от уровня легирования и примесного состава
Рік: 1999 1134. Лагов, Петр Борисович. Радиационно-термические процессы в кремниевых биполярных структурах и их влияние на электрофизические параметры
Рік: 1999 1135. Малышев, Андрей Викторович. К теории связанных состояний дырок в алмазоподобных и гексагональных полупроводниках
Рік: 1999 1136. Палчаев, Даир Каирович. Закономерности, связывающие электрические, тепловые и механические свойства твердых тел
Рік: 1999 1137. Петьков, Сергей Александрович. Физико-математические модели многопараметровых электроемкостных систем для исследования диэлектриков
Рік: 1999 1138. Пещев, Владимир Викторович. Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия
Рік: 1999 1139. Потапов, Александр Иванович. Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения
Рік: 1999 1140. Приходько, Кирилл Евгеньевич. Радиационно-индуцированные структурные превращения в графите
Рік: 1999 1141. Растегаева Марина Геннадьевна. Омические контакты металл-карбид кремния
Рік: 1999 1142. Рогачева, Екатерина Александровна. Динамика фазовых превращений релаксорных сегнетоэлектриков в спектрах комбинационного рассеяния света
Рік: 1999 1143. Сомов, Андрей Ильич. Генерационно-рекомбинационные процессы с участием глубоких уровней в кремниевых силовых транзисторах
Рік: 1999 1144. Черепанов, Валерий Михайлович. Исследование эффектов анизотропии электронно-ядерных взаимодействий в диэлектрических кристаллах
Рік: 1999 1145. Развитие емкостных методов измерения профилей легирования полупроводниковых структур Уткин, Алексей Борисович
Рік: 1999 1146. Развитие метода эффективной массы для анализа электронных состояний в полупроводниковых гетероструктурах Кравченко, Константин Олегович
Рік: 1999 1147. Размерные эффекты и релаксационные явления в квазиодномерных проводниках с волной зарядовой плотности Зайцев-Зотов, Сергей Владимирович
Рік: 1999 1148. Рекомбинационные процессы в области пространственного заряда p-n-переходов Лакалин, Александр Вячеславович
Рік: 1999 1149. Сверхбыстрые процессы в плотной, горячей электронно-дырочной плазме GaAs, взаимодействующей с мощным стимулированным излучением Кривоносов, Александр Николаевич
Рік: 1999 1150. Свойства дефектов и процессы дефектообразования в ионно-имплантированных структурах Si-SiO2 Малявка, Лариса Васильевна
Рік: 1999 |
