|
Загалом робіт:1882
1101. Захарова, Анна Александровна. Эффекты межзонного туннелирования в полупроводниковых гетероструктурах
Рік: 1998 1102. Захарьяш, Александр Сергевич. Влияние структурных дефектов на формирование теплофизических свойств монокристаллов Hg1-xCdxTe
Рік: 1998 1103. Зерагия, Эмзар Михайлович. Исследование электрооптических свойств двухатомных реальных кристаллов GaAs, ZnSe, CdTe, GaP и GaSe
Рік: 1998 1104. Иващук, Ольга Александровна. Математическое моделирование электронного возбуждения полупроводников атомарным водородом
Рік: 1998 1105. Ивкин, Андрей Николаевич. Исследование полупроводниковых эпитаксиальных слоев и квантово-размерных структур в системах Ga-In-P-As и Al-Ga-As методом фотопропускания
Рік: 1998 1106. Ильюшонок, Ирина Петровна. Электрофизические свойства ионно-легированных металлфталоцианинов
Рік: 1998 1107. Камаев, Геннадий Николаевич. Изменение состояния легирующих примесей в кремнии при взаимодействии с радиационными дефектами и водородом
Рік: 1998 1108. Карпасюк, Владимир Корнильевич. Структурные микронеоднородности и междоменное взаимодействие в оксидных ферримагнитных средах
Рік: 1998 1109. Кириллов, Борис Адольфович. Получение монокристаллов карбида кремния методом сублимации: моделирование как метод совершенствования технологии
Рік: 1998 1110. Клюев, Виктор Григорьевич. Фотостимулированные процессы на поверхностных дефектах широкозонных полупроводников
Рік: 1998 1111. Козлова, Елена Ивановна. Свойства полиэтилена, модифицированного ионной имплантацией и последующей диффузией
Рік: 1998 1112. Командин, Геннадий Анатольевич. Панорамные спектры легированных диэлектриков в субмиллиметровом и инфракрасном диапазонах волн
Рік: 1998 1113. Коненкова, Елена Васильевна. Пассивация поверхности GaAs растворами сульфида натрия и сульфида аммония в спиртах
Рік: 1998 1114. Корнейчук, Светлана Константиновна. Фоточувствительный гетеропереход GaAs/CuPc
Рік: 1998 1115. Коровкин, Михаил Владимирович. Электромагнитные эффекты в радиодиапазоне, связанные с динамикой радиационных дефектов в диэлектриках
Рік: 1998 1116. Котов, Владимир Михайлович. Акустооптическая брэгговская дифракция многокомпонентного оптического излучения
Рік: 1998 1117. Котов, Игорь Александрович. Закономерности формирования и свойства межфазных границ в структурах кремний-диэлектрик
Рік: 1998 1118. Кошман, Андрей Ромуальдович. Исследование процессов воздействия атомарного водорода на электрическую прочность кремниевых р-n-перехдов и на границу раздела кремний - диоксид кремния.
Рік: 1998 1119. Крестников, Игорь Леонидович. Оптические свойства гетероструктур (Zn, Cd)Se/(Zn, Mg)(S, Se) с массивами квантовых точек
Рік: 1998 1120. Кудрявцев, Юрий Алексеевич. Эмиссия вторичных нейтральных частиц при распылении полупроводниковых соединений ионами низких энергий
Рік: 1998 1121. Кузьменко, Татьяна Алексеевна. Электронные процессы в полевых гетероструктурах на основе системы Ga2 Se3 Si
Рік: 1998 1122. Курбанов, Маликаждар Курбанович. Эпитаксия твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x из газовойфазы и физические свойства гетероструктур на их основе.
Рік: 1998 1123. Курбанова, Угилой Хасановна. Автоколебательные процессы в компенсированном кремнии, легированном серой
Рік: 1998 1124. Ланкин, Сергей Викторович. Механическое двойникование и его влияние на электрические свойства висмута и его сплавов
Рік: 1998 1125. Латышев, Александр Васильевич. Атомные ступени на поверхности кремния в процессах сублимации, эпитаксии и фазовых переходов
Рік: 1998 1126. Лебедев, Александр Александрович. Емкостная спектроскопия карбида кремния
Рік: 1998 1127. Лигачев, Валерий Алексеевич. Роль морфологии в формировании электронных спектров, оптических и электрофизических характеристик тонких пленок a-Si: Н, а-С: Н и а-Si1-x Cx : Н
Рік: 1998 1128. Личманов, Юрий Олегович. Транспорт носителей в аморфных диэлектриках МДП структур с пространственными неоднородностями
Рік: 1998 1129. Лундин, Всеволод Владимирович. Эпитаксиальные слои GaN и многослойные гетероструктуры GaN/AlGaN. Разработка технологии выращивания и исследование свойств
Рік: 1998 1130. Магомедова, Патимат Мустафаевна. Ассоциаты точечных дефектов собственной и примесной природы в кристаллах ZnS, ZnSe, CdSe
Рік: 1998 1131. Мартынов, Александр Алексеевич. Исследование линейных и нелинейных оптических свойств скандобората церия
Рік: 1998 1132. Мирина, Сейед Нуреддин. Разработка технологии получения пленок твердых растворов ZnxCd1-xSe методом испарения исходных соединений в квазизамкнутом объеме и исследования их кристаллической структуры и электрофизических свойств
Рік: 1998 1133. Мосин, Юрий Викторович. Атомно-молекулярные и электронные процессы на поверхности полупроводников, помещенных в диссоциированные газы
Рік: 1998 1134. Несмелов, Сергей Николаевич. Релаксационные процессы в Si-МДП-структурах, стимулированные слабым магнитным полем
Рік: 1998 1135. Никифорова, Ирина Олеговна. Формирование и исследование зарядовых свойств МДП структур на основе оксида алюминия
Рік: 1998 1136. Одноблюдов, Максим Анатольевич. Резонансные состояния в деформированных полупроводниках
Рік: 1998 1137. Онаркулов, Каримберди Эгамбердиевич. Исследование влияния внешних воздействий на кинетические процессы в активных элементах пленочных ИК-детекторов на основе солей свинца
Рік: 1998 1138. Орлов, Дмитрий Анатольевич. Исследование фотоэмиссии из GaAs с отрицательным электронным сродством методом спектроскопии эмитированных электронов
Рік: 1998 1139. Осинский, Андрей Владимирович. Разработка и исследование молекулярно-лучевой эпитаксии наноструктур ZnCdSeS/GaAs из металлорганических соединений
Рік: 1998 1140. Петров, Александр Александрович. Влияние молекулярных процессов на зарядовый транспорт в структуре кремний-пористый кремний
Рік: 1998 1141. Пивченко, Елена Борисовна. Субструктурные изменения высокоглиноземистых керамических диэлектриков в результате нейтронного облучения
Рік: 1998 1142. Питиримов, Алексей Николаевич. Исследование неизотермической электрической релаксации заряда в кристаллах природного алмаза
Рік: 1998 1143. Плажченко, Вероника Ивановна. Особенности внутрикристаллического строения монокристаллов твердых растворов висмута с элементами IV и VI групп таблицы Д.И. Менделеева
Рік: 1998 1144. Пономарь, Владимир Николаевич. Планаризация диалектрика и повышение термостабильности алюминия при создании интегральных схем
Рік: 1998 1145. Птащенко, Федор Александрович. Пространственно-неоднородные рекомбинационные процессы и поляризация излучения в лазерных гетсроструктурах на основе GaAs-AlGaAs.
Рік: 1998 1146. Раззаков, Алижон Шоназарович. Исследование условий эпитаксиального роста новых варизонных твердых растворов (Ge2)1-x(ZnSc)x и их некоторых электрических, фотоэлектрических свойств
Рік: 1998 1147. Райчев, Олег Эдуардович. Кинетические явления в низкоразмерных электронных системах с туннельной связью
Рік: 1998 1148. Резванов, Ренат Рашитович. Катодолюминесценция полумагнитных полупроводников на основе А2В6
Рік: 1998 1149. Романов, Валерий Павлович. Ионные дрейфово-диффузионные процессы в диэлектрических слоях МДП-структур
Рік: 1998 1150. Романюк, Оксана Степановна. Исследование рензонансных состояний в бесщелевых и узкозонных полупроводниках
Рік: 1998 |
