|
Загалом робіт:2073
1051. Карасев, Платон Александрович. Особенности рассеяния быстрых электронов на тепловых колебаниях при прохождении через тонкие кристаллы
Рік: 2000 1052. Карачевцева, Мария Виссарионовна. Спектры краевой фотолюминисценции эпитаксиальных слоев GaSa, InGaAsP в условиях флуктуаций легирования и состава
Рік: 2000 1053. Карулина Елена Анатольевна. Инфразвуковая диэл. спектроскопия неполярных и полярных фторсодержащих полимерных пленок.
Рік: 2000 1054. Карулина, Елена Анатольевна. Инфразвуковая диэлектрическая спектроскопия неполярных и полярных фторсодержащих полимерных пленок
Рік: 2000 1055. Комарницкая, Елена Александровна. Особенности дефектообразования в ионноимплантированных слоях арсенида галлия
Рік: 2000 1056. Котов, Леонид Нафанаилович. Высокочастотные и магнитоакустические взаимодействия в магнитомягких ферритах с различными формой, размерами и микроструктурой
Рік: 2000 1057. Кочура, Алексей Вячеславович. Оптические и фотоэлектрические свойства твердых растворов арсенид кадмия - арсенид цинка в ИК-области спектра
Рік: 2000 1058. Кривуца, Зоя Федоровна. Проблема создания металл-керамических соединений с использованием вакуум-плазменных технологий
Рік: 2000 1059. Кудряшов, Игорь Вениаминович. Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs
Рік: 2000 1060. Кустов, Дмитрий Евгеньевич. Энергетическая структура многоэлектронных атомов
Рік: 2000 1061. Лабутин, Александр Валериевич. Исследование физических процессов при электретировании диэлектрических пленок в плазме газового разряда и разработка электретных датчиков
Рік: 2000 1062. Лешко, Андрей Юрьевич. Разработка, исследование свойств и оптимизация характеристик мощных InGaAsP/InP лазеров
Рік: 2000 1063. Лившиц Даниил Александрович. Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе: =0,78 - 1,3 мкм
Рік: 2000 1064. Лобода, Вера Владимировна. Влияние ионного обмена на фазовые равновесия в стеклах
Рік: 2000 1065. Макарян, Анушаван Айкарамович. Исследование явления неустойчивости в мультистабильных неоднородных полупроводниках
Рік: 2000 1066. Мансуров, Владимир Геннадьевич. Резонансное и брэгговское рассеяние быстрых электронов от совершенных поверхностей InAs и GaAs в дифракции на отражение
Рік: 2000 1067. Мануковский, Эдуард Юрьевич. Электронная структура, состав и фотолюминесценция пористого кремния
Рік: 2000 1068. Медведев, Александр Вячеславович. Видимая и ближняя инфракрасная фотолюминесценция тонких пленок гидрогенизированного кремния
Рік: 2000 1069. Мельничук, Александр Владимирович. Поверхностные плазмон-фононные возбуждения в одновесных полупроводниках ZnO i 6H-SiC и структура на их основе
Рік: 2000 1070. Митровций, Виктор Васильевич. Динамика решетки и структурные фазовые переходы в гипо (селено)-дифосфатах с слоистой кристаллической структурой
Рік: 2000 1071. Моливер Сергей Соломонович. Электронная структура и спектроскопия полупроводниковых и кластерных систем углерода и кремния
Рік: 2000 1072. Мусаев, Ахмед Магомедович. Неравновесные распределения и дальнее инфракрасное излучение горячих носителей заряда в одноосно деформированном германии и в электронно-дырочной плазме кремния
Рік: 2000 1073. Мусихин, Юрий Геннадьевич. Электронная микроскопия полупроводниковых структур с наноразмерными включениями
Рік: 2000 1074. Неустроев, Ефим Петрович. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С.
Рік: 2000 1075. Новиков, Павел Леонидович. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности
Рік: 2000 1076. Новиков, Юрий Николаевич. Электронная структура дефектов в оксиде и нитриде кремния
Рік: 2000 1077. Ормонт, Михаил Александрович. Энергетический спектр и вертикальная прыжковая проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком
Рік: 2000 1078. Осипов, Павел Анатольевич. Влияние гетеровалентного легирования на электрофизические свойства Sn0,63 Pb0,32 Ge0,05 Te и самокомпенсацию примесей в PbSe
Рік: 2000 1079. Павликов, Александр Владимирович. Динамика рекомбинации неравновесных носителей заряда в наноструктурах пористого кремния
Рік: 2000 1080. Пархоменко, Юрий Николаевич. Атомная и электронная структура поверхности и фазообразование в многослойных композициях на основе кремния
Рік: 2000 1081. Петух, Алла Николаевна. Закономерности распределения междоузельного кислорода в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
Рік: 2000 1082. Пихтин, Никита Александрович. Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода : = 1.3-1.55 мкм
Рік: 2000 1083. Плюсинин, Николай Иннокентьевич. Фазы, стбализированные подложкой, и процессы формирования границы раздела в гетероструктурах на основе переходного 3d-металла (Cr,Co) и кремния
Рік: 2000 1084. Пузиков, Вячеслав Михайлович. Условия образования, структура и свойства алмазоподобных пленок углерода, осажденных из ионных пучков
Рік: 2000 1085. Решанов, Сергей Александрович. Получение и исследование полуизолирующего монокристаллического карбида кремния
Рік: 2000 1086. Розов, Александр Евгеньевич. Исследование магнитотранспорта на гетерогранице II типа в системе GaInAsSb/InAs(GaSb)
Рік: 2000 1087. Рущанский, Константин Золтанович. Спектры элементарных возбуждений решетки кристалловгруппы In-Se, In-Te
Рік: 2000 1088. Салапак, Владимир Михайлович. Активаторные центры окраски в кристаллахSrCl2:TlCl
Рік: 2000 1089. Самойлов, Виктор Александрович. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs
Рік: 2000 1090. Самсонова, Ирина Викторовна. Жидкокристаллические композиты с индуцированной холестерической спиралью, стабилизированной сетчатым полимером
Рік: 2000 1091. Сахаров, Алексей Валентинович. Оптические свойства слоев и гетероструктур на основе нитридов III группы
Рік: 2000 1092. Саъдуллаев, Алавиддин Бобакулович. Влияние концентрации электроактивных атомов марганца на гальваномагнитные и фотоэлектрические свойства кремния в условиях компенсации
Рік: 2000 1093. Слынько, Евгений Илларионович. Технология получения и физические свойства многокомпонентных твёрдых растворов на основе теллурида свинца
Рік: 2000 1094. Смирнов, Валерий Михайлович. Многокомпонентные твердые растворы на основе GaSb и InAs, полученные из растворов-расплавов, обогащенных сурьмой
Рік: 2000 1095. Спирин, Евгений Анатольевич. Кинетико-релаксационные процессы зарядового перераспределения в структурах на основе кристаллов силленитов
Рік: 2000 1096. Стародубцев, Артем Николаевич. Нелинейные эффекты при распаде полупроводниковых твердых растворов в эпитаксиальных пленках
Рік: 2000 1097. Сун Вейгуо. Инфракрасные детекторы на основе HgMnTe: физические и технологические проблемы
Рік: 2000 1098. Сягло, Андрей Иванович. Квазиклассическая модель равновесных электронных процессов в легированных полупроводниках
Рік: 2000 1099. Таскин, Алексей Анатольевич. Комплексообразование в кремнии, легированном селеном
Рік: 2000 1100. Татохин, Евгений Анатольевич. Модифицированные поверхности арсенида индия, обработанной в парах халькогена
Рік: 2000 |
